霍尔系数相关论文
半导体材料的出现,促进了科学与技术的发展,使我们社会进入了现代化的生活方式。目前半导体材料在微电子、光电子、人工智能、航空......
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜.运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的......
通过讨论几种测量磁场的方法,引导学生从不同的角度分析问题,解决问题,以最基本的实验入手,将所学的基本原理,基本定律在实验中得......
在磁场中制备了含NaI盐的环氧树脂-PEO400系统高分子固体电解质膜,测量了样品在不断固化过程中的霍尔效应,并计算了相应的霍尔系数......
我们综合了一系列 Nb <sub>2</sub > Pd <sub>1x </sub > Ru <sub> x </sub > S <sub>5</sub> 多晶的样品由一固态反应方法并且系......
1.5 碳化过程概述 从能量的观点来看,化学变化是向更稳定的系统进行的。图1.14表示了各种代表性化合物的温度与生成自由能之间的......
要想制备出性能符合要求的材料,重要的一点就是要弄懂构成多相系统的各物相的物理参量与整个系统的有效参量之间的关系.尤其不可少......
鉴于研究热解石墨的电磁性能对阐明碳的载流子输运过程及判断晶体完善程度有着重要的意义,我们用国产的仪器设备先后建立了霍尔系......
经1000℃以上的温度热处理后的碳,是电的良导体。这是由于碳试料中存在着自由运动的π电子。固体物质的物理性质中,与电子直接有......
纯 CaB6 单个晶体在高压力(1 GPa ) 和温度下面被综合(1050...
Diluted ferromagnetic semiconductor(LaCa)(ZnMn)SbO isostructural to “1111” type iron pnictide superc
We report discovery of ferromagnetism in(LaCa)(ZnMn)SbO isostructural to the well-studied iron-based superconductor LaFe......
设计与研制了一种小型的用于制备薄膜样品电接触的烧结炉装置.该装置简单、实用,特别适用于半导体霍尔样品电极的烧结.
A compact si......
采用溶胶 -凝胶 (Sol -Gel)工艺在普通Na -Ca -Si玻璃基体上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透光率以及高电导率的Al3 + 离......
本文根据固体物理的一般原理和矿物物理的一些实验结果,评述了某些固体物理现象在探查固体矿产方面的应用.这些现象包括:1.在某些......
采用离子束溅射技术交替沉积Sb-Te-Sb多层薄膜后进行高真空热处理,直接制备Sb2Te3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、霍尔系数测试仪、薄......
用范德保法研制了半导体矿物霍尔系数及电阻率测量设置。阐述了天然半导体矿物样品通常具有质地甚不均匀、性质参数变化范围甚大等......
ZnO发光二极管(LEDs)在照明应用方面有着巨大的潜力。需要解决的主要问题是光的产生和对辐射的控制,这个问题来自LED波长的变化和......
目前,测量SiC电阻率主要采用非接触的方式,因为对于SiC这种宽禁带半导体很难找到满足形成欧姆接触的低功函数金属作为电极。所......
为了解决雷电磁场测量的二维局限性问题,利用霍尔效应原理,设计出一种新型雷电磁场测量装置。在三维正交的空间支架3个轴上,分别安......
1金属的霍尔电压符号不都是一样的在中学物理的“霍尔效应”教学中,都采用经典的金属导电电子理论来解释霍尔电压的形成.如图1所示......
本文介绍了利用激光及具有法拉弟效应的传感元件(YIG)检测电流的研究结果,并给出了计算线圈中心点磁场强度与电流的关系的解析式。......
文章简单介绍了作者在铁砷基材料的合成方面所取得的一系列工作进展.首先介绍了在空穴型掺杂的1111系统中发现超导电性的工作以及......
这里所说的复合场是指重力场、电场、磁场并存,或其中两场并存的场·带电粒子在复合场中运动时,要同时考虑受重力、电场力和洛仑兹......
1.1956年李政道和杨振宁提出在弱相互作用中宇称不守恒,并由吴健雄用_(27)~(60)Co放射源进行了实验验证。_(27)~(60)Co的衰变方程......
霍尔效应是著名物理效应之一。通过该效应中霍尔系数等测定,将提供半导体材料及红外器件材料性能研究的手段。由霍尔系数测定可确......
霍尔系数和直流电导率是固体薄膜的主要电特性参数.我们测量了P-型Pb1-xCdxTe薄膜的霍尔系数和直流电导率,实验表明其禁带宽度和电子迁移率随镉组......
:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3~ 1......
少数载流子寿命τ是一项重要的材料参数,有利于鉴别电子—空穴复合性质。本文报导1.3μm波长的四元有源层τ的测量。该层是由液相......
采用质子轰击使x=0.20和x=0.24 P型Pb_(1-x)Sn_xTe转变为n型。质子能量在200和450千电子伏之间。对于初始浓度低于10~(17)/厘米~3......
对一些呈现异常特性的样品提出了霍尔系数和电阻率对温度的依赖关系,并探讨了各种表面处理对电性能的影响。在某些情况下,通过适当......
本文对梯度禁带外延碲镉汞层的“刚生长”的补偿层和在真空中变为p-型的退火层以及在汞蒸汽下变为n-型的那些层的电学传输测量结果......
本文讨论了梯度组分的n-p结外延HgCdTe材料与器件,研究了外延层、退火层和扩散层的电学特性,观察到扩散层载流子浓度的反常分布,描......
电子器件是电子技术的心脏,这是普通的常识。然而电子器件的发展却是一个很不平常的故事。从电子学的全部历史看来,电子之所以被广......
1977年底在昆明举行了有关碲镉汞材料器件中若干主要技术问题的讨论会(会议消息见本刊1978年第2期)。会上讨论了碲镉汞晶体生长工......
从实现声电互作用的观点来看,有前途的压电半导体器件是弹性表面波的薄膜放大器.放大器用LiNbO_3压电晶体和InSb半导体薄膜(厚度L......
从室温开始,掺铟碲锡铅的霍尔常数与温度倒数成指数增加,然后下降,而最后平稳下来。这种特性可根据自动补偿及禁带的正温关系而加......
本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。单晶Si材料是由直拉法与浮带......
以单晶碲化镉为基体在等温条件下在密封的结构内利用气相输运方法生长碲镉汞外延膜。用该法制备出来的外延层在汞蒸汽压下退火。用......
一般Hg_(1-x)Cd_xTe晶体都用液相生长法制得。但除资料[1]之特殊方法外,单从液相生长时,由于其液-固线差别显著,难得长成均匀的单......
一、引言美国宇航局戈达德宇航中心正在设计卫星之间使用的高数据速率CO_2激光通信系统,因而与亨尼威尔公司订立合同,要求研制一......
本文叙述了如何用切克劳斯基法来制备P型掺金锗单晶。根据卅多次拉晶实验,我们总结得到制备时的要求:①金的加料要适当偏高,②锗料......