晶化率相关论文
随着陆地上化石能源消耗殆尽,深海资源的开采成为获取新能源主要途径之一。由于深海海洋环境的复杂性与恶劣性,目前常见金属材料及......
采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法，以SiH4和H2为气源，在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。利用XRD、Raman光谱......
通常采用氢稀释方法调节非晶硅薄膜的晶化率.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料中,辉......
本文在超高频PECVD系统中对一种新颖的改性硅基薄膜材料的沉积进行了详细研究.发现这种硅基薄膜可在与非晶硅完全相同的沉积系统中......
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅......
随着薄膜太阳能电池的兴起，微晶硅薄膜由于其较稳定的效率引起人们的广泛关注，而降低成本和提高效率是微晶硅薄膜电池发展应用的主要......
采用液氮-室温循环深冷处理工艺方法对Fe87.4Cr2.5Si6.8B2.4C0.9非晶合金粉末进行预处理,通过调控冷喷涂工艺参数,成功在6061铝合......
用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的......
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以PH3为掺杂剂,在浮法玻璃衬底和不锈钢衬底上制备了纳米级的n型微晶硅薄膜。采......
报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备高效率单结微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层电池时几个关键问题的研究......
将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光......
采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了硼不同掺杂比系列的p型微晶硅薄膜。采用光发射谱仪对薄膜的沉积过程进行了原位表征,采......
采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的......
采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分......
采用SR500光谱光度计对甚高频等离子体增强化学气相沉积本征微晶硅薄膜过程进行了在线监测,分析了硅烷不同注入方式对等离子体光发......
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到......
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的......
通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的......
采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的......
采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测......
采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜.傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳......
利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积......
实验研究了不同晶化率的微晶硅（μc-Si）薄膜的光衰退现象,提出了制备高稳定性硅薄膜太阳电池材料选取方案。研究结果表明,μc-Si中的......
采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP......
在气体激波管中，利用激波对非晶的直接作用，在微秒量级时间内，成功地将ＦｅＢＳｉ、ＦｅＭｏＢ－Ｓｉ及ＦｅＣｕＮｂＢＳｉ等非晶合金转变成为纳米晶，主晶化相晶粒平均尺寸在２０－ ６０ｎｍ 范围，晶......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积了有无籽晶层两个系列微晶硅薄膜.通过椭圆偏振光谱、拉曼光谱和XRD对薄膜进行了......
Sb2Te3（ST）薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度（～132℃）等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉......
通过光发射光谱监测高速沉积微晶硅薄膜过程中I(Hα+)/I(SiH+)随沉积时间的变化趋势,分析高速率微晶硅薄膜纵向晶化率逐渐增大的原......
采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,......
我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n~+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在1......
采用快速热退火(RTA)对热丝化学气相沉积HWCVD制备的非晶氢-硅(a-Si:H)薄膜进行晶化处理,并在此基础上制备了纳米晶氢-硅(nc-Si:H)......
为制备高质量的结晶硅薄膜,以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备非晶硅(α-Si)薄膜,然后分别通过固相晶化和激......
本文采用多孔空心阴极等离子体增强化学气相沉积(HC—PECVD)技术，以二氯硅烷(SiH.Cl.)和氢气(H：)分别作为硅源和还原剂制备微晶......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大 面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓......
为了便于研究微晶硅材料的性能和结构，以及改善微晶硅在异质衬底上的成核和生长，在RF-PECVD(13.56 MHz)条件下，研究了微晶硅籽晶层的......
以铸造废砂为主要原料,通过烧结法制得CaO-MgO-Al2O3-SiO2(CMAS)系微晶玻璃,研究了热处理工艺对微晶玻璃成核和晶化过程的影响,对......
对高压耗尽法（HPD-PECVD）制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明，本征微晶硅材料存在氧吸附及......
