二氧化硅膜相关论文
高效晶硅电池(如PESC，PERL等)需要热生长二氧化硅膜作为表面钝化层，用以降低表面的复合速率。适当降低氧化层的厚度可以提高电池的电......
浮法在线镀膜技术以其产能大、成本低等优势，随着国外这方面技术的成熟，国内在近十多年间，也得到快速发展。本文简单介绍了浮法在线镀......
本文通过研究硅靶中频反应磁控溅射SiO膜工艺特点及氧气分压对ITO膜特性影响,研究中频反应溅射SiO膜与直流溅射ITO膜的在线联镀工......
采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多......
采用磁控溅射法在Si衬底上制备了SiO_2介质膜,系统地研究了SiO_2膜引入对Ag纳米颗粒的表面覆盖率、形貌、形成机理和光学性质的影......
本文研究了火焰水解法制备的掺锗二氧化硅膜在 KrF 紫外激光下曝光后的结构和光学性质的变化。经过 10 分钟的照射后，在 1550nm 处......
椭偏光谱测量结果不能直接反映所测量样品材料的结构和先学性质，需要利用最小二乘法来拟合分析椭偏光谱数据，而且椭偏光谱数据的分析......
微孔SiO2膜具有高孔隙率、孔径在气体分子尺寸的范围内可调、抗腐蚀、高温稳定性好以及机械强度大等特点，在气体分离领域具有重要的......
二氧化硅膜的渗透率高、分离效果好，化学性能稳定、耐高温、机械强度大，是气体分离和膜反应器中理想的分离膜材料。特别是在高温渗透......
本文旨在制备和研究介质-金属核壳结构的亚微米球体、金属基光子晶体结构和光子禁带性质,以期制备一类新型的具有光学和近红外波段......
CO等酸性气体的膜分离技术研究已成为倍受世界瞩目的关于能源和环境问题的重大课题之一。二氧化硅膜以其优异的化学稳定性和热稳定......
受天然草酸钙防护膜的启发,通过仿生技术,以十六烷基三甲基溴化铵为有机模板调控氟硅酸钠的水解沉积,在青石表面制备出SiO2防护膜......
以正硅酸乙酯(TEOS),甲基三乙氧基硅烷(MTES)为硅源,硝酸为催化剂,制备了甲基修饰的二氧化硅膜,研究了MTES改性二氧化硅膜的表面润......
利用分子模拟手段,研究了氮气/丙酮混合气体透过二氧化硅陶瓷膜的渗透过程.主要探讨了计算模块的选取,参数的确定及计算模型的建立......
使用溶胶－凝胶方法在０．４５μｍ的α－Ａｌ２Ｏ３载体膜上制得了平均孔径为２ｎｍ，整体孔隙率为４５％的α－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２超细孔复合膜，红外光膜测试结果表明，超滤ＳｉＯ２膜与α－Ａｌ２Ｏ３载体膜之间是通......
根据光吸收定律和边界层理论，得到了直接法ＣＶＤＳｉＯ２膜沉积速率方和Ｒｓｉｏ２＝∑／ｉ，ｊ，ｋＫｉＤｉ／Ｎｓｉｏ２√ｐＵ０／μＬＩ０λ「１－ｅ－（ｐｐｃｒ／ｐＴｘ）」主程与实验结果基本相符。......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备SiO2膜，由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065－1088cm......
叙述了Sol-Gel法制备SiO2膜的原理以及工艺;举例说明了近些年来SiO2膜的制备进展,讨论了SiO2膜制备过程的影响因素;进而指出了采用......
由于二氧化硅仿生材料具有优越的耐候性,与基底石材相容性好,合成条件的温和性及对环境无污染等优点,为此制备了二氧化硅防护膜。......
Preparation of Composite Microporous Silica Membranes Using TEOS and 1,2-Bis（triethoxysilyl）ethane a
这份报纸在与 tetraethylorthosilicate (TEOS ) 和衔接的 silsesquioxane 经由大音阶的第五音胶化方法的催化酸的聚合线路准备的......
虽然各种纳米孔二氧化硅膜对于气体和液体分子的分离来说具有良好的前景，但它们在低至60℃的温度并且有水存在时缺乏微孔结构的稳定......
添加少量聚乙二醇于ＴＥＯＳ－Ｗａｔｅｒ－Ｅｔｈａｎｏｌ－Ｃａｔａｌｙｓｔ溶胶体系中，以改善ＳｉＯ２溶胶的颗粒度和孔结构，通过比较ｓｏｌ中随时间变化的颗粒长大情况。......
用蒸镀法制备了SiO2／Ag/SiO2复合膜，探讨了水浸腐蚀和薄膜厚度对该复合膜光学特性的影响。试验结果表明：适当增加复合膜中SiO2膜层的......
用ＸＰＳ对在掺硼和掺磷硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了６０Ｃｏ辐照前后的界面成分分析．结果表明，同一氧化工艺在两种硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２，在γ辐照前后其硅的二氧......
<正> 光学薄膜中的残余应力是一个影响现代仪器性能和可靠性的越来越重要的因素.过强的张应力或压应力会使膜层破裂和脱落.即使上......
采用激光脉冲法成功地测量了Ｓｉ工上多孔ＳｉＯ２薄膜的纵向热导率。冲苗测量了...
<正>离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS......
ＳｉＯ２膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明：１１５ｄ之内ＳｉＯ２膜的表......
本文的是在无定形ＳｉＯ２上沉积含氢的非晶硅氧修复特性较差的硅平面管的方法，该方法可使特性较差的管子起死回生。......
采用银氨溶液与二氧化硅溶液混合的方法制备银／二氧化硅（Ag／SiO2）薄膜材料，并利用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）以及紫外一可见吸收光谱进......
以甲基三乙氧基硅烷（MTES）替代部分正硅酸乙酯（TEOS）作为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备甲基化改性SiO2膜.用几种已知表面张力的液体测定......
使用硅酸钠／氟硅酸钠复合硅源，通过仿生合成方法在大理石表面制备得到了一层SiO2为主要成分的保护膜，并对该膜的性能进行了检测评价。......
用磁控溅射ＳiＯ２膜作为台面ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的表面保护纯化膜和光刻掩膜，测试分析了溅射工艺对ＳｉＯ２膜的性质和ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ性能的影响。研究发现，较高的衬底温度（２００℃）有得......
作为宇宙中储量最多的元素，氢是极具应用潜力的能源载体，因而透氢分离膜材料的研究引起了极大的关注。综述了微孔二氧化硅透氢膜的制......
采用正硅酸乙酯（TEOS）和Co（NO3）2.6H2O为前驱体通过溶胶-凝胶法制备掺钴微孔二氧化硅膜,研究钴在二氧化硅膜材料中的存在状态、膜材料......
将溶胶-凝胶技术与模板技术结合起来,分别以TEOS和Na2SiO3为有机和无机硅源,C12H25(CH3)3N+Cl-(DTAC)为模板剂,制备了两类负载型中......
本文用ＴＥＯＳ和硅溶胶作原料，用溶胶－凝胶法制备了无支撑体和有支撑体的ＳｉＯ２膜。用ＴＥＯＳ制得的无支撑体ＳｉＯ２膜，无１．７ｎｍ以上的微孔，由硅溶胶制得的无支撑体ＳｉＯ２膜平均......
二氧化硅(SiO2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛,制备SiO2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强......
以1,2双(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)为前驱体,采用溶胶凝胶法制备出完整无缺陷的La/Y掺杂二氧化硅膜.采用TG、FTIR、XRD和SEM等手段......
为了克服传统陶瓷膜的某些缺陷，以正硅酸乙酯为原料，采用溶胶－凝胶法在多孔钛金属基体上制备出ＳｉＯ２膜，为避免金属基体与膜材料由于热膨胀系......
本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用......
采用磁控溅射法在Si衬底上制备了SiO2介质膜，系统地研究了SiO2膜引入对Ag纳米颗粒的表面覆盖率、形貌、形成机理和光学性质的影响．研......
