衬底材料相关论文
当前，硅基柔性薄膜晶体管（TFT）的技术应用比较广泛，基于氧化物的柔性薄膜晶体管（TFT）技术也正在快速发展。有机电致发光层（OLED）是柔性器件......
在La Al O3（001）单晶基片上,利用磁控溅射＆脉冲激光共沉积系统制备了800 nm厚的Ce O2:Ba0.6Sr0.4Ti O3（BST）复合薄膜。采用光刻技术、剥......
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碲镉汞（MCT）是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜：MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面......
氧化锌(ZnO)是一种新型的直接宽禁带(3.37ev)半导体材料.由于其优良的物理性能,在压电转换、太阳能电池、传感器以及集成电子器件......
利用时域有限差分法对不同材料和厚度衬底上矩形孔金属结构太赫兹（THz）波的透射特性进行了数值分析。研究表明：矩形孔金属阵列对THz光......
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜（PI）衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜（ZnO∶Al）。系统地研究了不同......
本文研究对比了GaN基相同芯片制备的蓝光和白光LED的老化特性,同时也研究对比了AlO和SiC衬底GaN基蓝光LED老化特性.GaN基相同芯片......
从ＣＭＯＳ到ＨＣＭＯＳ曾庆贵半导体成电路的发明是２０世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作，因此有人称之为硅集成电路。现在也有......
我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片......
信息产业部电子情报所黄史坚研究员答读者问1．可见光二极管激光器和发光二极管是什么材料制成的？答：蓝绿光二极管激光器和发光二极管......
利用电流电压（ Ｉ Ｖ）、电致发光（ Ｅ Ｌ）和深能级瞬态傅里叶谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电......
阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件．研究和实验结果表明，通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能......
对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析．实验结果表明，衬底材料不同时，制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求......
最近 ,日本住友电工宣称 ,他们开发出一种ＧａＮ单晶生长新工艺 ,并制备出 2英寸ＧａＮ单晶片。这一新工艺是基于热动力学原理的 ,具体细节没有......
金属有机化合物汽相沉积 (MOCVD)技术是制备用于红外焦平面阵列 (IRFPA)的高质量碲镉汞 (HgCdTe)薄膜材料的重要手段。文中讨论了......
陶瓷作为价格昂贵的衬底材料,过去仅仅用在性能优越的产品中,例如产量规模比较小的军用产品。现在有两家封装衬底片的制造商,Zeca......
本文研究了标准石墨管、涂钨和涂锆石墨管中锗原子吸光度,吸收信号形状和原子消失速度的变化。实验表明,在涂钨和涂锆石墨管中锗的......
00624 LTCC、低温燒成基板埋/A. H. Feingold. M. Heinz(Electro-Science Laboratories)//电子材料[日].—2003,5月号别册.—96 ......
提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性。采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合......
据悉美国Ⅱ-Ⅵ公司的宽禁带材料部门(WBG)计划生产100 mm直径的半绝缘SiC衬底。在这个由美国军方资助的为期3年,投资额为750万美元......
据日本媒体Nihon Keizai Shimbun报道,日本有色金属制造商Dowa Min- ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa......
据《科技日报》2005年6月18日报道,近日,从国家特种矿物材料工程技术研究中心(桂林矿产地质研究院)传出消息,作为氧化锌(ZnO)薄膜......
2006年2月28日大庆佳昌科技有限公司采用自主创新的WLEC法(王氏液封直拉技术)在国内率先拉制出200mm砷化镓单晶。据预测150mm和200......
Enthone公司采用Enplate NI-427工艺,用化学方法将一半光亮、平整,不含铊的镍—硼涂层沉积在例如碳钢、合金钢、铜合金、铝合金、......
在ICSCRM2007(2007SiC及其相关材料国际会议)上,众多与会者异口同声地赞叹SiC衬底厂商巨头美国Cree发布的新成果。Cree已开始供应......
基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫......
同济大学材料科学与工程学院教授黄佳、美国马里兰大学材料科学与工程系教授Hu Liangbing等共同开发出全透明可弯曲纳米纸晶体管。......
楔条形位敏阳极属于电荷分割型阳极,其在光子计数成像探测器中的作用是对光子事件进行位置解码,阳极性能参数对探测器的成像性能有......
2013-04-12人民日报报道:便携、低成本、可弯曲、绿色环保,这些都是当前电子产品的重要发展趋势。由欧美等国家相继研制成的各种纳......
单层石墨烯具有极高的本征热导率，在解决微处理器芯片散热方面具有潜在应用。在实际应用中，石墨烯通常需要和其他材料接触，比如衬......
ScAlMgO4是一种优秀的外延衬底材料,与ZnO、GaN的晶格失配度很小,可以减少薄膜中的位错等缺陷,显著提高薄膜的光学和电学性能,......
日本住友(Sumitomo)电子工业公司研制成功微型电路用铜—钨复合衬底材料,并已投放市场。它综合了铜的优良热导率和钨的低热膨胀性......
一、引言球坑仪是一种用机械方法测量固体薄膜和涂层厚度的仪器.测量的范围在0.5μ50μ之间最为合适.用这种方法测量薄膜厚度无论......
化学镀镍具有耐磨、耐腐蚀、光亮、可焊、导电等特性,广泛应用于汽车、化工、石油、航空航天、电子等领域。根据需要,可在不同温度......
用普通的射频二极溅射工艺沉积出了PLZT铁电薄膜。溅射用靶材的化学组成为7/65/35和8/65/35,经烧结得到直径为100毫米的陶瓷靶。......
本文报导了采用丝网印刷法制备 Y-Ba-Cu-O 系厚膜超导材料的工艺以及热处理对厚膜超导体微结构、超导电性的影响。在 ZrO_2基片上......
采用高频等离子化学气相沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜。俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料......
从轰击离子种类、辅助沉积方式、不同衬底材料以及存放环境湿度等因素对离子束辅助沉积的ＭｏＳｘ膜特性的影响作了研究，发现这些因素在膜的......
ＬｉＡｌＯ２晶体的生长及完整性研究刘琳陈京兰刘海润（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＩｍｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｏｆＬｉＡｌＯ２ＣｒｙｓｔａｌＬｉｕＬｉｎＣｈｅｎＪｉｎｇｌａｎＬｉｕＨａｉｒｕｎ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ.........
