【摘 要】
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日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶体管可用于电源开关,其沟道迁移率为133cm2V
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日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶体管可用于电源开关,其沟道迁移率为133cm2V-1s-1,接通电压5.1V。三个方面的改进使得上述器件性能提高,即:新的设计方案无需注入,通过使用一种SiN/
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