等离子体淀积相关论文
半导体硅是制备集成电路芯片和晶体管的重要材料,用硅制成的特种器件可用于检测光信息,由于其间接带隙的能带结构及禁带宽度仅1.12......
公开号 ＣＮ１２０４６９８Ａ 申请人 国际商业机器公司 地址 美国纽约州 公开了气相淀积的ＢＡＲＣ和制备基于非晶碳薄膜的可调且可去除的抗反射涂......
用全息法拍摄金属／气体混合物图象加州Ｓｔｒａｔｏｎｉｃｓ公司与美国标准技术研究院一起正在研制一种能获取和重建高分辨工业图象的全息仪，希望能观测和......
微波技术要求降低外延温度以获得陡的界面杂质分布。如果在非晶衬底上能够得到完整的晶体,对半导体技术来说,将是变革性的突破。......
关于开展氧化硅（ＳｉＯｘ）涂覆包装技术研究的可行性报告董志武一、引言改革开放以来，我国的包装工业有了长足的发展。许多新材料、新技术、新......
采用两种不同脉宽 ( 30ns,5 0 0fs)的KrF准分子激光淀积类金刚石薄膜 ,通过等离子体发射光谱和离子探针的测量 ,研究了激光等离子......
篱1期八S孝注入硅的辐射损伤和退火行为研究……林成鲁方子韦 邢昆山 倪妇山 酆世昌 (1邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶电学性能研究……......
现场采集ＰＥＴＥＯＳ发射光谱，分析和研究用等离子体正硅酸乙酯淀积氧化硅反应的机理和产物，并初步探究如何达到工艺控制，应用于生产的问题。
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采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比......
等离子体工艺在半导体技术中是一种新的工艺,在半导体物理及半导体器件的研究与制造中,越来越显示其重要性,在LSI和VLSI的科研与......
本实验采用～13MHz的高频振荡器,在0.1～1托的压力下,在氮气和硅烷的混合气体中产生等离子体淀积氮化硅.由此制得的氮化硅膜,其折射率～2......
在低温淀积的各种材料中,等离子体增强CVD是最有希望的工艺.激活、放电和淀积的物理过程控制着工艺的特性.为了提供粒子的产生、......
一、引言低温放电产生氮化硅工艺领域越来越重要。等离子体氮化硅(SiN)薄膜基本性质已通过成分、折射率、内应力、密度和振动谱研......
采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.......
本文评述了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)硅外延技术的发展。叙述了PECVD外延的基本原理、设备与工艺以及目前取得的最新实验结......
等离子体刻蚀(PE)具有成本低、清洁、线条分辨率高以及容易实现工艺自动化等优点.近几年来,随着低温等离子体淀积氮化硅半导体器件......
本文叙述在平板型等离子体径流反应器中,由硅烧和一氧化二氮激活反应淀积二氧化硅薄膜的方法,测量了薄膜的特性,包括红外吸收谱、......
PECVD工艺提供了一种生长钝化用氧化硅、掺磷氧化硅的较理想的方法.本文简要地介绍了这两种钝化材料的生长、性质以及应用.
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低压等离子体在半导体器件制造中的应用是一个十分活跃的研究课题.从七十年代初将等离子体技术用于去除光致抗蚀剂以后,不久就相继......
英国 Ion Vac 技术公司生产的 Chemetch 155型是一个平行板式等离子体增强化学气相淀积(PECVD)反应器,可将氮化物,氧化物和聚合物......
本文叙述了美、英、法三国红外系统在潜艇潜望镜上的配置特点,并对配置的方式作了比较,最后介绍了这三国的潜望镜红外热象仪系统及......
文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。
The article reports on the stud......
研究了由等离子体活化反应系统(P—PSG)淀积的磷硅玻离膜。分析了对应不同淀积参数的P—PSG的基本特征。在该等离子体淀积方法中,......
薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时,衬底温度一般在100—400℃范围内,控温精度为±5℃左右。在通常的使用......
本文综述了从1987年末到1989年末两年间嗽曼光谱学在薄膜,半导体,超导体和固体方面的重要进展,这里涉及的许多材料是与固体发光研......
文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。......
将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化......
