选择外延相关论文
研究了利用选择外延生长的 In Ga As P材料的厚度增强因子和带隙波长的性质 ,最大的厚度增强因子为 2 .9.利用选择外延技术研制的 ......
利用选择外延技术研制了 1 5 μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件 .激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器......
ST Microelectronics 公司(以下简称 ST Micro)为在成本竞争激烈的通信市场独占鳌头,推出了锗硅双极-COMS 兼容(SiGe Bi-CMOS)工......
本文采用柠檬酸-H_2O_2-H_2O体系的电化学腐蚀法,对高阻GaAs衬底材料的选择腐蚀进行了研究.考察了电解液组分、腐蚀时间、电流密度......
采用简易多晶硅隔离方法制造集成稳压源是新的试验。本文就试验过程中为选择外延提供多晶核心的氧化膜,单、多晶同时淀积的质量控......
西德AEG德律风根公司发展了可在600℃的低温下生长的硅的选择外延法 (Gosch.J,《Electronics》,1980,PP.59～60)。 与以前在120℃左......
在低温下进行的碘汽相淀积,实际上消除了扩散效应。
Iodine vapor deposition at low temperatures virtually eliminates the ef......
本文采用AsCl_3—Ga—H_2体系,研究了衬底晶面与窗壁方向、气相组分以及窗孔的几何形状、尺寸和深度等因素对GaAs气相选择外延生长......
过去广泛地研究过用二氧化硅作掩蔽的硅选择性外延生长,但二氧化硅在氢气中易性能劣化,在硅选择性外延时二氧化硅要挥发,用氮化硅......
用能量为60kev而剂量不同的氧离子注入研究了GaAs无定形层的形成,并从光吸收法测量计算了形成无定形层所需的临界剂量和能量,分别......
用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料......
哈里斯半导体公司应用硅圆片直接健合SOI技术，开发了一种称为UHF-1的超高频互补双极IC工艺。该工艺是为制作不仅要求有快速n-p-n管,......
利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用选择外延技术研制了1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件.激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同......
用 TMG,AsH<sub>3</sub>和 AsCl<sub>3</sub>作气体源实现了常压有机金属气相外延 GaAs 的完全选择外延。在650—750℃的生长了温......
研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质，最大的厚度增强因子为2．9。利用选择外延技术研制的DFB激光器......
研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽......
