生长方法相关论文
ZnO半导体材料具有光学、电学、磁学等性能,是制备多功能器件的理想材料。ZnO稳定p型的控制机制和室温铁磁性的产生机理是限制该材......
本文报道了国内外研究掺钛蓝宝石激光晶体的进展情况,特别叙述了大尺寸钛宝石的发展情况,比较了不同方法生长钛宝石晶体的优缺点.......
闪烁晶体材料一般可用于X射线、γ射线、中子及其他高能粒子的探测.经过100多年的发展,以闪烁晶体为核心的探测和成像技术已经在核......
经过长期的生存竞争和自然选择，动物和植物进化出了与环境相适应的各种独特功能。随着近代显微成像技术的发展，人们发现在这些动植物......
该发明专利公开了一种周期极化晶体的生长方法。该方法以金属片加热区熔法为基础，利用金属片加热体的导电良好及热惯性很小的特点，采......
这评论为高贵金属 nanocrystals 在调停种子的生长方法的最近的发展从作者实验室加亮工作。调停种子的生长方法为综合成为了最有效......
Magnetic Fe_3O_4@PANI@Au nanocomposites are fabricated through electrostatic self-assembly and seed growth methods.The r......
The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO2 （100） by metal-organic chemical vapor
m 飞机客栈(1 [“ 1 ]\bar 1 00 ) epilayers 在 LiAlO2 上被种了(1 0 0 ) 由用金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 的一个二拍子的......
Cd3As2 was recently identified as a novel three-dimensional(3D)topological semimetal hosting the long-pursuing 3D Dirac ......
70年代半导体超晶格、量子阱的出现,使人们能自由剪裁半导体材料的光电性能,开辟了人工材料的新纪元,从而对信息技术领域产生了巨......
通过可控的水热生长方法和钴铁碳酸根氢氧根水合物的焙烧在泡沫铁上制备了CoFe_2O_4纳米阵列催化剂。通过粉末X射线衍射,扫描电镜......
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此......
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的......
该器件在一H终止的SiC晶体(镀膜的硅衬底)上有一层GaN膜层。Si衬底上接连镀有第一层SiC晶体、Si晶体、第二层用H限定的SiC晶体以......
本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自......
研究了在 ＧａＡｓ （１１１）衬底上生长的六角相 ＧａＮ的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用ＭＯＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法生长的ＧａＮ的极性和ＧａＡｓ衬底的极性一致；在（１１１）Ａ－Ｇａ表面上的生长层......
(第二轮 )ＭＯＣＶＤ是化合物半导体薄膜材料的重要生长方法。目前不仅在半导体材料领域已获得产业化的应用 ,并且扩展到其他材料领域。ＭＯＣＶＤ的发......
概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评......
有机晶体生长方法很多,如溶剂中生长、真空升华、辐照聚合、凝胶中生长等等。同一种材料在不同条件下生长,晶型可能不同,缺陷(包......
磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体是一种性能优异的红外非线性光学晶体材料,被广泛应用于各种先进的光学器件。研究ZnGeP_2晶体的生长方法,对......
特定结构碳纳米管的可控生长是制备其高性能器件的前提条件。本课题组通过对新型碳基催化剂、催化剂载体以及对生长过程的热、......
春节过后,我终于实现了到西双版纳游玩的心愿。西双版纳是炎热的夏天,从昆明穿来的冬天服装要全部换掉。一路上到处是绿绿的植物和......
提出了广域网的超星分形等级结构模型和生长方法 ,从全新的角度讨论了广域网的生长、发展的过程 ,给出了应用本方法所构造该结构广......
本文对单晶光纤的生长方法,熔区形状、直径控制、品质鉴定等方面进行了评述,以利于我们揭示单晶光纤的生长规律,便于我们生长优质......
采用ＣＶＤ技术实现了Ａｌ２Ｏ３薄膜的数字化生长，实验结果表明这种生长方法具有生长温度低、层厚可控等特点，生长出的薄膜每周期生长厚度约为１．１９。
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ＢａＴｉＯ３晶体新的生长方法，即感应加热三温区溶质传输熔剂法。其要点使高温熔体分为三个温区，坩埚顶部为生长区（Ａ区），温度最低，坩埚底部为溶解区（Ｃ区......
Ｔｌ＿３ＡｓＳｅ＿３是一种性能优良的红外非线性和声光材料。我们用元素直接化合的方法制备了多晶料，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长出了Ｔｌ＿３Ａｓｓｅ＿３晶体并对该晶体进行了初步测试。......
介绍大截面ＫＤＰ晶体的应用背景及惯性来约束核聚变对ＫＤＰ晶体的需要，评述ＫＤＰ晶体快速生长方法。......
研究了平衡冷却法、过冷法与一步冷却法等在(111)B-InP衬底上LPE生长InGaAsP四元固溶体中,影响外延层性质的主要因素,得出平衡冷却......
一、引言液相外延薄层厚度的控制是GaAsGa_xAl_(1-x)As双异质激光器制备中的一个基本问题,是提高器件寿命的重要措施,也是发展新......
植物细胞和组织培养是当今用于植物材料无性繁殖的移植生长方法。虽然这种繁殖方法对很容易用种子繁殖的野外作物是不经济的,但是......
制做Ⅲ—V族合化物广泛采用了汽相生长方法。大多数生长方法包括两个温度过程:(a)在高温区形成挥发性的化合物,(b)在低温梯度区的......
长期来许多人都致力于生产一种方形硅晶体用于光伏电池,但没有一种方法比得上莫托洛拉法成功。此方法所生产的基本上都是方形单晶......
九月下旬,法国学者J.C.Thuillier和R.Triboulet应邀来昆明物理研究所进行了为时8天的讲学与交流。Thuillier和Triboulet都是法国......
1.研究背景GaAs气相外延生长法中有卤素输运法,生长过程中发生AsCl_3(三氯化砷)的氢还原反应。这种反应必须加热到700℃以上的高......
美国印第安纳州普杜大学物理系J.K.Furdyna在《SPIE》Vol.409(1983)上介绍一种新型材料Hg_(1-x)Mn_xTe,并将它与大家熟知并公认为......
日本静冈大学电子工学研究所研究成功镓铟锑晶体衬底的制作技术。升降晶体生长温度,使原料一点点熔解,生长出一直难于生长的晶体......
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的......
本文回顾了低压合成金刚石的历史,对各种金刚石薄膜的生长方法进行了简要的对比。低压条件下金刚石处于亚稳态而石墨处于稳定相,本......
本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存......
去除金刚石表面层的可靠方法,对于微电子学及诸如金刚石表面抛光处理等应用领域来说都是极其重要的。我们的初步研究结果是,用O_2......
