峰值波长相关论文
透过手机膜的光线的光谱透射比能够很好地反应手机膜的防蓝光性能。利用LED光源和双光束光谱光度计搭建光路测试手机膜在蓝色光谱......
本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子......
影响发光二极管(LED)发光颜色的光谱参数有:峰值波长、带宽、主波长和质心波长,峰值波长和带宽可用分光光度法进行测量,精度达1nm,......
边界层作为地面与自由大气的过渡带对人类活动影响很大。边界层湍流结构尤其是夹卷层的湍流特征，是边界层研究的一个重要方面，这对于......
RGB-LED光源的显色质量主要通过显色指数、色域、观察者的颜色辨别能力和物体颜色的饱和度等指标来评价，然而从标准照明体D65变化到......
研究了在恒温变电流与恒电流变温下蓝光单色芯片的电致发光光谱特征,以及在这两种模式下蓝光芯片与荧光陶瓷封装形成的白光LED的发......
边界层作为地面与自由大气的过渡带对人类活动影响很大。边界层湍流结构尤其是夹卷层的湍流特征，是边界层研究的一个重要方面，这对于......
从传感器的响应及电子扩散原理分析了影响CMOS阵列串扰特性的几个主要因素。选择了锗、硅、砷化镓这几种常见的光电材料,分析并比......
本文介绍了一种测量分析LED在通电后正常工作时,其光谱谱线及峰值波长随工作电流的变化产生偏移以及由此而引起的色纯度变化的综合......
构建了基底介质为SiO2、表面覆层介质为TiO2的二维光子晶体,采用严格耦合波法分析了二维光子晶体的窄带光学传输特性。分析了二维......
本文介绍了用电化学腐蚀的阳极氧化工艺，在硅衬底上制备多孔硅（ＰＳ）薄膜，实验测定了多孔硅薄膜的光致发光谱（ＰＬ），发现光致发光谱峰值波长随阳极......
报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转......
介绍了ＩｎＧａＡ１Ｐ超高亮度发光二级管的材料、器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度投红色、黄色和绿色发光二极管。......
测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异......
在具有电致发光（ＥＬ）的有机整合染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）中接以染料罗丹明６Ｇ（Ｒ６Ｇ），用真空热蒸发的方法制备器件，获得了峰值波长５７５ｎｍ的黄色直流薄膜电致发光，从而......
日本NEC的光电子器件研究实验室开发出在单个芯片上发射多个波长的激光二极管技术。NEC公司称这种技术能大大地降低多波长长途通信......
蓝色激光器和发光二极管国际学术讨论会述评１引言＂蓝色激光器和发光二极管国际学术讨论会（ＩＳＢＬＬＥＤ）１９９６年３月５日～７日在日本千业大学召开。来自世界各地......
采用快速加热、超低压化学气相淀积方法，在（ｎ）－Ｇｅ衬底上外延生长（ｐ）－ＧｅＳｉ－Ｓｉ薄层，首次研制成功了１．３—１．５５μｍ波段的ＧｅＳｉ异质结红外探测器。其主要参数性能优于该波......
低增益区红外Ｔｉ∶Ａｌ２Ｏ３飞秒激光器在西安通过鉴定由中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室侯洵学部委员，阮双琛研究......
对（HgCd）Te探测器峰值响应波长的Franz－Keldysh偏移进行了实验研究。实验结果表明，在强电场中，（HyCd）Te具有很强的Franz－Keldysh效应，因而可......
测量了Ｅｒ０．１Ｌａ０．９Ｏ１４非晶在６４９．０ｎｍ脉冲染料激光泵浦下的上转换荧光谱线（５５２．２，５４５．７，５４２．９）ｎｍ，５２５．０ｎｍ．４６８．８ｎｍ，４５２．２ｎｍ．（４１１．２，４０７．０）ｎｍ，３８４．１ｎｍ．３８０．７ｎｍ，其中（５５２．２，５４５．７，５４２．９）ｎｍ，（４１１．２．４０７．０）ｎｍ．３８４．１ｎｍ话线是共振步进双光子吸收导致的，而４６８．８ｎｍ．４５２．２ｎｍ，３８０．７ｎｍ是三光子荧光。
The upconversion fluor......
由于镀了减反射膜的半导体激光二极管端面的反射曲线的谱宽有限，而且，增益峰值波长随载流子密度的变化，因而实际上起作用的反射率通常......
成功地合成了柔性脂肪链段和刚性发光链段相互交替的共聚物,并对其进行了表征.发现该聚合物的荧光随柔性链段的增长而增强的实验结......
报道了用纳米制作技术，实现了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ环型微腔激光器．激光器的直径为３μｍ～２０μｍ，环的宽度为０．４μｍ～３μｍ，环的厚度为１９０ｎｍ．其激射峰值波长为１４０３ｎｍ．
Reported the use of ......
在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜......
定量讨论了实现外腔式半导体激光器连续调谐的两个基本要求：同时改变外腔长度及光栅反射波长，半导体激光器（ＬＤ）端面镀减反膜。分析表明：前......
本文报道采用离子注入法在Ⅲ—V半导体(GaAs,InP)中掺Er,用优良退火技术可得到效果较好的光致发光材料.
In this paper, Er (Ⅲ) ......
日常生活中有机材料有着各种各样的应用，但直到最近有了光子器件才开始探索它们的广泛用途。20多年来，人们普遍知道，当大电压加到有机......
本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱......
介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。
The structure and perfor......
利用红外线的基本理论和特点可以制成红外报警器和红外电视摄像系统，这些设备在安全技术防范领域都有它们的用武之地。
Using the ......
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长......
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光......
较为详细地叙述了可见光ＬＥＤ的进展，包括发展趋势、蓝色ＬＥＤ、超高亮度ＬＥＤ的研制及应用领域的拓宽
Described in more detail the progress of......
近年来半导体激光器常被用来作为固体激光器的泵浦光源，本文提出了一种简单有效的双光路光谱扫描技术，它可以实时地使半导体激光器的......
用射线法导出了两段式半导体激光器的端面输出谱。该结果既适用于两段式双稳激光器，也适用于简单的外腔式激光器。于是，我们首次用一......
几十TW乃至PW级超高功率飞秒激光脉冲，目前还只能从Nd玻璃放大器链产生，而它的前置级则需采用钛宝石飞秒再生放大器．组合Nd玻璃放大器......
本文对室温 Ｃｏ：ＭｇＦ２激光器在不同偏振态泵浦和不同偏振光出射下，激光器的阈值、输出能量、效率等参数作了系统研究．获得了当π偏振（１３２０ ｕｍ）泵浦，σ偏......
本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈......
首次报道了采用８－羟基喹啉镓螯合物（Ｇａｑ３）作为发光层制备有机薄膜电致发光器件，器件的结构为：ＩＴＯ导电玻璃／ＴＰＤ／Ｇａｑ３／Ａｌ。研究了Ｇａｑ３薄膜的光致发光和器件的电致发......
９４年国际电致发光讨论会上，报导了一种新型的显示器［１］，引起了研究者广泛的兴趣．这类显示器的创新表现在采用丝网印刷的几十个微米量级的高......
