四元合金相关论文
本文首先在Cahn–Hilliard和Allen–Cahn方程控制的自由能减少驱动的多组分合金系统的微观结构演变场方程的基础上建立并加入了由......
发展高Al成分的紫外和近紫外半导体芯片符合资源节省、高能密度、高显色性白光要求以及发展独立知识产权和可持续发展的LED全生命......
本文对近一个世纪以来的发展作了综述,重点讲了高μ坡莫合金物理认识的探索,总结了这些三、四元合金的主要机制与现象:文章还展示......
为发展高储氢容量,高储氢密度,低平台压力和每单位储氢容量成本较低的氢化物合金,进行了系统的研究,主要是加入第三或第四组元到......
Rapid solidification of binary Cu-22%Sn peritectic alloys and Cu-5%Sn-5%Ni-5%Ag quaternary alloys was accomplished by gl......
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定......
本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低......
常见的低熔点合金材料有铋基合金、锌基合金、铅锡锑铜四元合金等,这些材料具有熔点低、强度高、流动性好、胀缩率小、与样件不粘......
在过去几年中,人们对不含贵重元素的抗氧化钢日益发生兴趣。Fe—Al合金抗腐蚀性能高,特别引起注意。几种Fe—Al为基的三元合金中,......
通过分别使用四元合金Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4量子点代替钙钛矿太阳能电池中昂贵的有机空穴传输材料spiro-OMeTAD[1]，探究了带隙......
Pb-Ag-Ca-Sr四元合金具有较好的力学性能、导电性能和耐腐蚀性能,但合金元素分布不均、性能不稳定、稀贵金属损耗大、制作成本高,......
ZnO的能带工程和p型掺杂是当前ZnO研究的两大热点和难点。通过等价阳离子部分取代Zn形成ZnMeO (Me=Mg、Be等)合金来调控ZnO带隙的......
Zn O(3.37 e V)是近年来发展迅速的一种直接宽带隙半导体材料。由于其优异的性能,如:低缺陷密度、高激子束缚能(60 me V)、高可见......
现代先进高温材料发展趋向于使用多元合金以获得满足服役工况要求的综合性能如高温强度、室温韧性与化学稳定性。高温合金通常包括......
学位
研究了四元合金催化剂（网）在硝酸生产装置中的工业应用并测定其氨氧化率、铂耗率、氨耗率等。与传统应用的Ｐｔ－Ｒｈ和Ｐｔ－４Ｐｄ－３．５Ｒｈ合金网比较，显示了更高的......
前言钯合金广泛应用于航空、石油化工等工业以及首饰品和医疗、牙科上。PdAg_(23)、PdAg_(25)、PdAg_(30)等合金均用作高纯氢气净......
铅及其合金是生产电缆的重要原料,主要用作电缆的护套材料。我国现在生产的电缆是50年代仿照苏联的标准,电缆的护套材料是由铅、......
文章在总结我厂几年来在降低锌电解直耗方面所做工作同时，详细介绍了影响电耗的因素，提出了锌电解节能的主要途径。
The article su......
由 Si—Al—Ca—Fe 四元合金熔体的热力学性质和相应熔渣的活度数据,对采用氧化精炼工艺脱除硅铁和金属硅中的 Al、Ca 等杂质进行......
本文研究了 TiFe_(～0.15)Mn_YV_X 四元合金的贮氢量,放氢 P-C-T 曲线,并研究了这些性能与组成变化的关系,以及晶胞参数和体系中3d ......
选取三种热力学模型（规则溶液，ＬＦＧ，ＫＲＣ模型）计算了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃｒ高碳四元合金的马氏体相变驱动力和Ｍｓ温度。ＫＲＣ模型计算结果与实测值最为接近，ＬＦＧ模型计算结果和实测......
用金属有机化合物VPE方法成功地生长了与InAs晶格匹配的InAs_(1-x-(?))Sb_xP_(?)四元合金。在一个相当宽的组成范围内(0≤x+y≤0.7......
本文的目的是用赝势法研究In_(1-x) Ga_x As_y P_(1-y)的能隙与x和y的函数关系以及它的能带结构.四元合金的赝势参量以二元化合物......
本文介绍了由 Al、Ga、In 和 P、As、Sb 组成的九种四元合金的禁带宽度和晶格常数的等高线。四元合金的禁带宽度是使用 Moon 等人......
气密性封装焊料是保证集成电路高可靠和长寿命的关键材料。针对国内外使用的三种气密性封装焊料AuSn20、SnAu10和SaAgCu3～0.5合金......
研究了Mg-Ni-RE-Ag四元合金的非晶形成能力、力学性能及其影响因素。研究结果表明,Ag元素替代Mg元素可以改善Mg75Ni15Gd10的非晶形......
本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效......
本文叙述了采用高锡低钙四元合金作正极板栅、调整铅膏配方和一些必要的生产工艺,分析其对延长铅酸蓄电池循环寿命的影响.......
本文论述了PbSnAgCa四元阳极材料研制技术。研制新型PbSnAgCa四元合金的关键在于将Ca 加入到PbSnAg 中并使其均匀地分布在合金中。......
本文系统地研究了InGaAlN在不同温度下的生长规律.用光致光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)分析了InGaAlN的光学性质.我们发现:在高温G......
过去70年来,基于Ni-Ti的形状记忆合金(shape memory alloy,SMA)已得到广泛使用,但是提高其功能稳定性仍然是实现更稳健和更高级应......
β-Zn4Sb3材料是目前中温附近性能最佳的热电转换材料之一。β-Zn4Sb3是化合物半导体,属于六方晶系,R3C空间群,每个晶胞内有66个原......
宽禁带GaN半导体材料具有极其优异的物理和化学特性，与InN、AlN等Ⅲ族氮化物组成三元、四元合金的禁带宽度可以在0.7eV-3.4eV-6.2eV......
学位
本论文以AlInGaN的生长优化及相关器件制备为研究对象，工作主要分为以下三个方面：首先，采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术外延生......
学位
Ⅲ族氮化物宽禁带材料的研究与应用是目前半导体行业的前沿和热点，主要包括GaN、InN、AlN及其三元和四元合金(InGaN，AlGaN，InAIN和AlI......
Ⅲ族氮化物半导体，包括AlN，GaN和InN及其它们所组成的三元化合物A1GaN，AlInN，InGaN和四元化合物AlInGaN，因为其带隙可覆盖从0.7 eV到6.1......
学位
蓝宝石(0001)作为衬底,其上有一层超过1μm的GaN缓冲层,用MOCVD方法生长了一层240nm的AlInGaN外延膜。通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有禁带宽度小、载流子迁移率高、激子玻尔半径大、光电转换效率高等优点，是极具应用价值的一类半导体材......
基于密度泛函理论本文主要研究了一些四元Heusler合金磁学性质，岩盐矿结构MP(M=K,Rb)表面磁学性质以及双钙钛矿结构Ba2PrVO6的磁学......
用改良静滴法对钼浓度在0%到10%(质量分数)的NiCoAlMo四元合金的液态密度进行了测量,NiCoA1Mo合金的Ni:Co:A1摩尔比与商用镍基超合......
