直拉硅相关论文
本文提出了一种包含了CFD方法、GMDH算法和NSGA-Ⅱ的混合策略，用于Cz法晶体生长建模及工艺参数优化。通过CFD得到了大量的实验样本；......
直拉硅单晶在生长过程中会形成原生氧沉淀，它们对硅单晶在后续热处理中的氧沉淀行为有重要影响。重掺锑直拉硅单晶的原生氧沉淀的形......
研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用......
中子辐照直拉硅中氧沉淀以及与氧有关的本征吸除效应研究很多，而关于快中子辐照直拉硅中氧沉淀诱生缺陷的演变研究较少。本文利用化......
本文对轻掺硼原生直拉单晶硅(CZSi)中流动图形缺陷(FPDs)在Secco腐蚀液中的形成及其演变过程进行了研究.腐蚀时间分别是5min、10mi......
快中子辐照将在硅中引入大量缺陷,辐照后在硅中形成的空位与硅中间隙氧结合形成了大量的空位-氧复合体(V—O).实验发现,辐照后硅中......
对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对......
文章用FTIR和金相显微镜研究了快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响.快中子辐照直拉硅经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体......
用傅里叶红外光谱、透射电镜和化学腐蚀研究了氮气氛直拉硅(NCZSi)中的氧沉淀。结果指出,原生NCZSi中存在氧对-硅-氧复合物;N集中......
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺......
硅中的硼氧复合体会引起光衰减,直拉硅中的同族元素掺杂可有效抑制硼氧复合体的形成.相对于传统直拉硅而言,同族元素掺杂直拉硅中......
研究了铁镓对在锗掺杂的直拉硅中的动力学行为,得到铁镓对的生成和分解激活能分别为0.63和1.09eV,与普通直拉硅中的结果基本相一致......
本文从等级微重力角度,阐述了磁场直拉硅单晶生长的原理和有关的效应.从控制马兰哥尼对流出发,说明了直拉硅的控氧机理,并推导出向......
该文采用化学腐蚀观察、透射电子显微镜及计算机辅助分析等手段对不同中子辐照剂量直拉硅中的内吸除效应进行了研究。结果表明：在相......
该文对中子辐照直拉硅（ＮＴＤＣＺＳｉ）在１１５０°Ｃ退火氧的外扩散分布用热转换扩展法（ＴＣＳＲ）进行了测量，通过对氧外扩散曲线的拟合得出：与未辐照硅相比，在１１５０退火出现了......
研究了微氮硅单晶新施主形成特性，发现氧、氮杂质对新施主有重要影响。提出含氮直拉硅中有可能存在不同于传统新施主的以氮氧复合体......
采用等价掺杂技术，可以提高单晶硅的抗辐射加固性能。采用掺锗和预辐射技术，可以制备出加固多子ＣＯＭＳ器件用的抗中子加固单晶硅片，且取得较......
利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随......
利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿......
影响单晶硅的性能的因素较多,其中包括氧含量及其均匀性,这些因素在硅晶体生长过程中不易控制.本文分析了直拉单晶硅生产过程中,对......
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的......
研究了 p型含氮以及不含氮直拉 (CZ)硅中热施主 (TD)以及氮氧 (N- O)复合体的电学性质 .硅片在 35 0～85 0℃范围进行不同时间的退火......
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids......
研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ ......
研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 .通过不同温度高温退火后 ,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微......
快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光......
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,......
研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的......
中子嬗变掺杂直拉硅单晶在１０５０－１１００℃６ｈ退火时，体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷。光致发光在０．７６－１．０００ｅＶ范围出现了ＰＬ峰，而非中照的ＣＺＳｉ在......
通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位（V2）退火行为，主要研究了不同中子辐照剂量对双空......
本文利用化学腐蚀、扩展电阻探针、透射电镜和电子探针等研究了氮气氛直拉硅的本征吸杂。经高——低——高三段热处理可获得比较完......
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅（NCZ—Si）和电子辐照直拉硅（CZ—Si）中氧沉淀和清洁区（DZ）的影响．样品经过不同温度、降温速率和退......
高能粒子辐射掺锗直拉硅中锗可以在硅的晶格结构中产生膨胀场，其引起的附加势能使邻近的空位、间隙原子的周期性的运动势场发生变化......
将直拉硅、微氮直拉硅样品在氮气氛保护下1100℃退火8h,以引入氮杂质。利用低温红外技术(20K)获得样品的精细光谱。试验发现,在285......
用傅里叶红外光谱、透射电镜和化学腐蚀研究了氮气氛直拉硅(NCZSi)中的氧沉淀。结果指出,原生NCZSi中存在氧对-硅-氧复合物;N集中......
本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷（A中心）的退火行为。实验发现，经200℃热处理后样品中均会出现......
受高能粒子辐射，在直拉硅中会产生各种辐照缺陷，对硅及硅基器件的性能产生不利的影响，对辐照缺陷的控制可以增加硅的辐照稳定性。......
论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进......
研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnO......
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中，空洞型原生缺陷（voids）的分布行为和其退火性质。从两种晶体不同位置取样，观察与大尺寸voids相关的流......
