耗散功率相关论文
大口径火炮由于装药量的增加,弹丸质量的增大,使得身管内膛承受更为恶劣的载荷作用,内膛结构对身管寿命及射击精度有着重要影响。......
以某大口径火炮为研究对象,应用有限元数值仿真技术建立挤进过程弹炮耦合模型,对挤进过程能量转化与耗散规律进行了研究.通过Fortr......
期刊
在研制广域电磁发送机中，由大功率IGBT构成的逆变器是其重要组成部分，为了保证逆变器不会因为过热而损坏，本文从IGBT和续流二极管的稳......
Vishay发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻—DT025,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应......
据《电子材料》1995年第3期报道，日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜，研制成世界最高速的MOS晶体管，并可在室温下工作。该晶......
功放集成电路在音响中是损坏最多的元件。因为它是全机中耗散功率最大、温升最高、工作电压也很高的元件,最易出现过热、过载等故......
据《SemiconductorWorld》1995年第6期报道，日立制作所和VLSI公司已共同开发成0·35μm尺寸的ASIC工艺技术。这种新技术，在电源电压2......
在电路结构方面,有时需要利用三极管中NPN型、PNP型管各自的特点来组成一个综合器件(称为复合管),这种将两只或
In the circuit ......
美国ＩｎｔｅｒｍａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒＣｏ研制成汽车用耐高温 (+2 0 0℃ )功率ＭＯＳＦＥＴ ,型号为ＩＲＦ170 4 ,并开始出售样品 ,应用于电动操作、电闸、电子阀、风挡刮水器的马达和水......
该器件组合了飞兆的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装。器件功率开关的小尺寸(高度小于0.8 mm)、小占位面积(最大......
气垫炉属现代化金属板带材连续热处理设备,风机是其“心脏”。探讨风机功率消耗的规律,将有助于大幅度节约能耗,降低成本。本文对......
阅了汽车电器1984年第一期王森同志(PP-350A晶体管调节器维修)一文,就晶体管代换问题,谈一谈我们一点经验和看法。供同行参考。 我......
纳米测量技术和测量装置的不断创新与进步将带动纳米技术的快速发展.微观操作的重要的基础之一就是微纳尺度位移的精确的测量.本文......
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布推出采用新开发的高耗散功率、小尺寸“TSOP6F”封装的新产品,扩大其面向智能......
1建模本文研究的几何模型如图l所示，在一个机柜内有3个主要的发热元件变频器，固态继电器和电源。’机柜的尺寸为500（长）X250（宽）X750（高）mm......
使用“JLC——I 型积时式缆道采样器”,由于没有单独的测深信号,给使用者带来了很大的不便,我们为它增装了直流脉冲的测深信号,达......
高效率技术是60年代以后发展形成的一个新的技术门类,它的出现使功率电路和电子设备发生了深刻的变化。 效率的提高,推动了功率放......
提出了一种以制动器耗散功率最大为目标的汽车防抱死制动系统（ＡＢＳ）的控制方法。首先对这种方法的控制效果进行了分析。分析结果表明：与经......
日常汽车维修工作中,经常遇见汽车电器中因某个元器件损坏。造成整个电器的报损。用简单的方法选配质量优良的元器件,是一个很实......
本文介紹了在通風工作的条件下,用于功率晶体管的直角梳状散热器的計算方法。
This article describes a method for calculating......
NTT 公司在室温下已研制成能够存储数据和信号处理和极细硅细线单电子器件,耗散功率为以前的1/1000。硅细线为30nm,在硅衬底上照......
根据瑞士的 Brown Boveri 最近所作的实验,发射管中所采用的铜板极的耗散功率通过正确地选择其表面结构可增加到400瓦/厘米~2左右......
一般地说,晶体管的大功率运用,受到它的最大许可电压U_(CM)、最大许可电流I_(CM)及耗散功率P_(CM)的限制.晶体管制造者常把这三种......
本文介绍的一种高功率柵控电子管具有多种特性,这些特性使它特別适用于在直流高电压、大电流间断工作。此管无可动部件,无打火速......
几年来,蒸发冷却技术在我国电子器件方面得到了很大的发展,许多有关单位进行了大量的研究工作。我们开始该项工作时曾向兄弟厂所......
一、前言随着新技术的发展,各种类型的小型化计算机迅速发展起来,并且继续向着减小体积、减少重量、提高可靠性方面发展。整机的......
这个稳压器电路见图1,它的输出电压通过1兆欧电位器从50到250伏连续可调.由于调整管BF459的最大集电极耗散功率P_(om)为6瓦(带小......
日本已有两家公司采用固体摄像器件制成了广播用彩色电视摄像机。日本电气的基础技术研究所和C&C系统研究所采用三片384(水平)×4......
大功率晶体管可以分成高耐压化和大电流化两种。高耐压的晶体管,已有V_CBO在1500伏以上的晶体管制品达到实用化。据日刊《电子材......
大功率发射管的栅极一般都采用钨、钼材料。随着电子管的发展,采用栅极涂复的办法,改善了栅极的性能。但是用钼做栅极经过涂复处......
一、引言耿效应二极管的耗散功率密度和与之相关的温升限制了它在高工作比下产生微波功率。GaAs 的负微分迁移率在很高温度下消失......
普通的螺旋线行波管采用简单的变形夹持或膨胀夹持的方法,把钨或钼螺旋线及介质夹持杆压入管壳内。当螺旋线耗散功率不高时,这种......
日本松下电器产业公司已研制成耗散功率为以前 1/ 10 0超节能的单片量子Ｓｉ存储器。采用ＭＯＳＦＥＴ制造工艺和在相同条件下可制作Ｓｉ量子器件的技术......
本文简要论述氢化非晶硅(α-Si:H)的特性。描述了我们的研制系统。给出了实验结果及本征α-Si:H GD法生长光电导的最佳条件点。即......
本文介绍一种能使温度变化保持在±0.1℃的温度控制电路,它能对精密仪器提供一个恒定的环境温度.为了满足精密温度控制的要求,电......
8WHi-Fi功率放大器和30W驱动器 TDA2030A是一个5W管壳封装的单片集成电路,可用作低频甲乙类功率放大器。当Vsmax=44V时,它作为无......
据日本《电子材料》1992年第2期报道,日本三菱电机光、微波器件研究所采用电子波干涉效应的多重量子势垒研制成以前不可能达到的高......
据日本《Semiconductor World》1991年第8期报道,日本冲电气工业公司已开发成采用GaAs p型埋层MESFET(BP-MESFET)的1/8动态型分频......
据日本《电子材料》1991年第3期报道,日本丰田工业大学半导体研究室现已正式成立有净化室的半导体中心,设置从硅集成电路的设计到......
据日本《电子材料》1991年第4期报道,日本富士通研究所最先研制成HEMT64k位SRAM.这种SRAM与通常半导体一样,在室温下已达到世界最......
