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采用了合理的物理模犁和精确的数值解法，对ＭＣＴ进行了一维数值求解，得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对ＭＣＴ的优......
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新......
对包含晶闸管这一双稳负阻器件非线性电路交流响应的研究发现，在一定的工作条件下，电路出现倍周期分岔和混沌以及间歇混沌现象．对实验......
本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了......
晶闸管中频装置发生故障,原因是多方面的。归纳起来,主要是元件的变性、损坏,电气接头的劣化和绝缘材料的老化三个方面。特别是接......
我厂与DN5—200型悬挂式点焊机配套的DK—71型控制箱热量调节部份一直不好用,经常出现两次误导通,焊接周数变多,导通角变大及存在......
双向触发二极管亦称两端交流器件(DIAC),与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉,所以常用来触发双向晶闸管,还可构成过......
晶闸管中频装置主要用在感应加热及感应熔炼中,代替中频发电机组。由于它具有如下优点,故得到广泛的应用:(1)电力消耗低,比同类型......
电路见图。220V交流电经变压器降压,D1～D4整流,C_1滤波,获得+13.5V直流电压。单向可控硅SCR和R1、R2、RP1～RP14、C2组成驰张振荡器......
“全扩散-镀镍”工艺具有节省黄金、技术与经济性较好的优点,国内已多用于功率整流二极管管芯的生产中.本文介绍了采用该工艺生产......
电路见图。220V交流电经变压器降压,D1～D4整流,C1滤波,获得+13.5V直流电压。单向可控硅SCR和R1、R2、RP1～RP14、C2组成驰张振荡器电......
1.冲击水流的物理概念。 当上游来水,遇到桥墩干扰,产生扰动波、桥墩附近形成壅水驻波,桥墩中心形成强正激波,两侧形成斜激波。圆......
新研制的TP-801单板微机的可控硅接口可用于自动控制系统,以代替原来的可控硅电压调整器和接口的数/模转换电路。文中介绍了该接口......
1.故障现象 KGPS-160型分立元件式中频电源,起动顺利,在小功率下运行正常,但一升高功率,则过流继电器马上动作停机。 2.检查查中......
本文采用频谱分析方法分别观察了ptf—v_1阳性,阴性和对照组P波的频谱变化情况。结果显示:ptf—v_1阳性组频带分布能量比值(W)明显......
第二天，孩子们参观了向往已久的好莱坞、贝佛利山庄和夕阳大道。接下来，英语课教学正式开始。随营记者傅桦记录了第一天上课时的情景......
<正> 我矿试制的低压防爆可控硅交流开关是利用 QC83—225和 QC83—120型磁力起动器的外壳和隔离开关,拆掉原有的接触器和保护回路......
逆变失败是可控硅中频装置在运行中常见而又棘手的故障。为了使用户能尽快地排除故障,确保中频装置运行的可靠性,现以 KGPS100—1......
