半导体功率器件相关论文
本文介绍一种实用的半导体功率器件开关特性测试仪，其最高测试电压为１０００Ｖ，最大测试电流为２．５Ａ｜７００Ｖ．
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可控硅又称晶闸管,是一种能控制强电的半导体功率器件,能在高电压、大电流条件下工作。常用的有单向可控硅和双向可控硅两种。此......
Microsemi公司(位于美国加州的Santa Ana)介绍了一种当前市场上出现的尺寸最小,功率密度最高的功率晶体管封装。它有三个引出端,......
(作者)期(页)、.产、.产、,Z、,声002,二2一一一一专家论坛硅集成电路发展趋势及展望501技术步人实用化IC产业发展中如何培养复合......
据《日经微器件》2008年第5期报道,日本瑞萨科技以强化功率半导体事业为目标,推进公司的发展。功率半导体属该公司通用产品部,去年......
北京凯成龙源科贸有限公司是以代理世界知名企业电子产品和研发生产自己产品的综合企业。我公司的产品广泛应用于通讯、船舶、工......
用于安装半导体功率器件的金属基覆铜板/CN201490177U/廖启发;王根长/深圳市华祥电路科技有限公司摘要:本实用新型涉及一种用于安......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
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一、会议组织机构指导单位:中国半导体行业协会承办单位:中国半导体行业协会分立器件分会专用集成电路重点实验室中国电子科技集团......
由中国半导体行业协会分立器件分会、专用集成电路重点实验室、中国电子科技集团公司第十三研究所共同承办的“第二届全国新型功率......
为推动我国新型功率半导体器件技术水平进一步提高、加快其成果转化和应用推广、提高自主创新能力,由中国半导体行业协会分立器件......
为推动我国新型功率半导体器件技术水平进一步提高、加快其成果转化和应用推广、提高自主创新能力,由中国半导体行业协会分立器件......
2003年9月,丹麦的一家跨国企业——丹佛斯公司在其传动全球商务总部丹麦格拉斯汀,举行了为期两天的国际会议,向来自世界各地的媒体......
本文简述硅半导体功率器件的应用及发展现状,并以高反压大功率晶体管3DD260(3DA58)为例进行设计计算,同时介绍该器件的制造工艺。
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一、概述目前,半导体功率器件基本上分为两部分:一为双极型功率晶体管,它的历史长,工艺成熟,应用时间长,占领了功率器件的大部分......
题 目 期 页 综 述彩电国产化中的半导体分立器件 ””·“’”‘·’“·’‘…·‘”·‘…………·、…·,·(-1)光诱导化学气......
具有低损耗、高耐热性、高耐湿性和耐压寿命长、难燃、小型、轻量化的电视机配套用玻璃钝化封装硅二极管(以下简称玻封二极管),是......
本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.
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硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延......
本技术成果应用新颖的TIL设计思想,采用合理的电学设计,结合国内半导体生产实际,利用已有的高压钝化技术,在国内率先研制成功双叉......
随着整机系统可靠性要求的提升，产品的热特性被越来越多的设计师所关注，因为超过一半的半导体器件失效都与温度有关。传统封装器......
介绍了将电源模块并联,并构成冗余结构进行供电的好处,讲述了几种传统的并联均流电路,讨论了各种方式下的工作过程及优缺点,并对均......
IGBT作为常用的半导体功率器件,其良好的开关特性与封装外形使其在高压大功率电源中得到了最广泛的应用。但IGBT的另一个特性“线......
目前兆瓦至百兆瓦级大容量电力电子装置受限于传统晶闸管换流技术，普遍存在如下几个问题，其中包括开关频率比较低、谐波较高、体积也......
由于SOI全介质隔离技术在功率集成电路方面的独特优势，SOI横向功率器件近年来发展迅速，逐渐向高速、高可靠、低功耗、易于集成等方向......
半导体功率器件从19世纪40年代发展以来经历了不可控器件到半可控器件再到全控器件的发展。虽然新的功率器件问世并没有全面的取代......
随着科学技术的发展，以及宇航、军事工业和国际市场竞争的需要，对产品的可靠性的要求日益提高。功率VDMOS器件作为新一代高压大电流......
提出了一种新的薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ（降低表面电场）结构，称为多漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构。以双漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构为例给出了基于二维Ｐ ｏｉｓｓｏｎ方程的角析物理模型。利......
本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。......
作为第3代半导体的核心材料,宽带隙半导体材料SiC及其器件制造技术,近年来得到了迅速发展。与传统半导体Si和GaAs相比,具有优良性......
是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布旗下B1505A功率器件分析仪／曲线追踪仪发布重要增强，成为业界首个支持晶圆上和封装器件所有关键参数表......
