【摘 要】
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高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性，广泛应用于高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit，简称HVIC）和功率集成电路（Power Integrated Circuit，简称PIC）。高压LDMOS器件是高压集成电路中的核心器件之一，引起了国内外学者的普遍关注。随着PIC向大规模，结构多样化发展，对高压互连技术要求也越来越高。高压互连会造成硅层表面电场严重的局部拥挤，从而引
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高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性，广泛应用于高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit，简称HVIC）和功率集成电路（Power Integrated Circuit，简称PIC）。高压LDMOS器件是高压集成电路中的核心器件之一，引起了国内外学者的普遍关注。随着PIC向大规模，结构多样化发展，对高压互连技术要求也越来越高。高压互连会造成硅层表面电场严重的局部拥挤，从而引起器件源极过早击穿。高压互连造成的电场拥挤是功率集成电路中需要解决的重要问题。绝缘体上的硅（Silicon On Insulator，简称 SOI）具有隔离性能优良、速度快、漏电流、抗辐照、集成度高等优势,击穿电压与导通电阻之间矛盾关系，限制了LDMOS在大功率电路中的使用。
本文围绕改善击穿电压和导通电阻特性，进行LDMOS器件新结构研究：
（1）提出一种具有串联槽栅结构的多叠层LDMOS器件。槽栅LDMOS被P型埋层分为上下两个纵向堆叠的LDMOS器件。使用多晶硅材料形成表面衬底结构，增加漂移区浓度，降低导通电阻。器件埋氧层和场氧层分别有若干个等间距电荷槽，调节横向电场分布。结果表明，相比于常规SOI LDMOS结构，该新结构耐压从259V提高到459V，提高了77.22%；导通电阻从39.62mΩ·cm2降低到23.24 mΩ·cm2，下降了40.33%。
（2）提出具有界面电荷槽高压互连结构的LDMOS器件。在器件的场氧层刻蚀等间距的电荷槽。优化器件的结构和漂移区的掺杂浓度，与无高压互联耐压比较，几乎完全屏蔽高压互联的影响，击穿电压耐压达到 700V。通过建立模型分析研究新结构的对高压互连的屏蔽效应的影响。
（3）提出一种具有表面电荷区结构的 LDMOS 结构。器件表面注入等距离 N+电荷区，分析了物理机理，研究了器件结构参数对击穿电压和导通电阻的影响，优化器件结构参数。与常规 LDMOS 器件相比，该器件导通电阻由 14.4 Ω·mm2降低到11.8Ω·mm2，耐压由398V提高到608V，提高了52.76%。
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