关断时间相关论文
针对传统海洋可控源发射电流脉冲边沿提升和关断速度慢,关断时间不可调以及电流关断存在过冲等问题,提出一种关断时间可调的恒压双......
本文提出一种新型的TIGBT结构，与传统的TIGBT器件相比它的不同之处在于：在漂移区(N-drift)与场阻层(Field-Stop/N-buffer)之间插入SJ......
本文是在中心回线装置下基于阶跃场源激励下的均匀导电板空间瞬变响应下，推导了斜阶跃场源激励下采样零时刻在发射电流关断处的均匀......
地质发射机是一种用于电磁法勘探的信号发射设备.不同功率等级的发射机设计方法有所不同.小功率发射机多用于TEM法,采用电池组供电......
简要介绍了６ｔ单转向架磁浮试验车的结构，阐述了试验与研制的主要内容，即磁浮、导向和推进３项成果，说明了如下关键技术：（１）整车悬浮；（２）悬浮斩波器......
论述了拉钢丝绳固定电极不可取、多机不同步供电的危害及解决办法,讨论了脉冲发生器的几个问题,着重论证脉冲发生器的平均耗损功率......
由株洲电力机车研究所研制的 KF600-25非对称晶闸管及 KP1000—30风冷晶闸管、ZP1600—34风冷整流管于1991年11月21日在株洲通过......
本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究......
本文基于ＮＪＴ的开基区关断过程，提出了ＩＧＢＴ关断瞬态的电荷控制模型，正确描述了阴极处耗尽层扩展区效应及反注入少数载流予效应，推导出关断时电......
脉冲测试和脉冲串数据传输系统都需要重复的脉冲串.脉冲测试是在被测器件上加一个单一脉冲或成对脉冲,然后分析响应波形来确定电路......
在电力电子器件中,可关断晶闸管(GTO)除具有普通晶闸管(SCR)电流容量大、耐压高的特点外,还象功率晶体管(GTR)一样可关断,从使用......
可控硅是一种可控功率快速开关元件。实际应用表明,作为开关元件不仅要求有良好的静态特性,如阻断电压高,漏电流小,导通时压降小,......
结合实际，着重对电压波形改善的技术以及脉冲生成电路和脉冲触发电路做了定性分析。
In combination with the actual situation, ......
作为一种大功率四层半导体开关器件,可控硅已在交流可控整流、调压、开关等电力领域获得了广泛的应用,并在功率容量方面远远超过......
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和......
借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ＩＧＢＴ完全相同，但瞬态时，由于Ｎ＋阳极对基区非平衡......
本栏目将不定期地向读者报道国内外优秀、新型的元器件产品信息。除特殊说明外,本栏目中的美元价格均为美国本土价。
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提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的......
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改......
在PWM变频调速器中,大功率晶体管GTR的开关频率可达1.5～2kHz,当变频器带感性负载,GTR由饱和导通快速转向截止的瞬间,集电极电流I_T......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作了较系统的分析与对比......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
国际整流公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ) ,推出全新ＩＧＢＴ (绝缘栅双极性晶体管 )及ＦＲＥＤ(快恢复外延二级管 )工艺 ,使关断时间比上一代器件缩短 70 % ,而功耗......
通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断......
利用动态控制阳极短路的基本原理 ,提出了一种实现高速 IGBT的新思路 .该结构的关键是引入了一个常开型 p- MOSFET,在 IGBT导通时......
提出了一种采用低能量大剂量 He离子注入局域寿命控制的高速 L IGBT,并对其进行了实验研究 .粒子辐照实验结果显示与常规的 L IGBT......
一、硅材料发展水平最近,国外制造大功率硅可控整流器使用的材料,大多采用区熔单晶,因为区熔单晶比拉制单晶具有以下几个优点: (1......
弧焊逆变电源具有效率高、重量轻、体积小、功率因数高及工艺性能好等优点。它的制造和使用,能大量节约电能和电工材料,并有取代现......
一、前言高频电源是影响线切割机生产效率的主要因素之一。因此,我们设计制造了一种高频电源,其末级采用了低频大功率硅管做单管......
本文介绍了应用于6kV-7.2kV中低压装置中,具有低的通态电压和快速开关的10kV IGCT的设计、实验研究和特性。对进行优化设计的10kV ......
无论使用电荷泵或电感器,很多LED驱动器都可以将单节和双节NiMH(镍氢)电池的1.2V￣2.4V电压提升到白光LED需要的3.6V电压。但是,多数......
同一型号与规格的一批激光管,其伏安特性往往不尽相同,因此在激光雕刻机中的出光与雕刻效果也就可能大不一样。根据激光管的伏安特......
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶......
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
集成门极换流型晶闸管(integrated gate commutated thyri-stor,简称IGCT)是ABB公司在IGBT和GTO技术基础上专为高电压场合而设计......
功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰及开通时间、关断时间等问题是评估一款器件乃至电力系统装置可靠性的重要因素。文中从......
静止变频器广泛应用于抽水蓄能电站、燃气轮机、泵站等电动机启动.实际运行中常因晶闸管性能下降引起关断角的余量不足,继而发生换......
起伏地形和关断时间对地面瞬变电磁响应影响严重,这给传统基于水平地表模型和理论阶跃波形的瞬变电磁数据解释技术带来很大困难.为......
近年来,随着社会科学技术水平的提升,地下资源和地下结构的探测逐渐成为研究的热点之一。在诸多方法中,时间域瞬变电磁法是其中可......
大多数电视观众在深夜至清晨这段时间内不看有线电视。这里设计的定时器可在这段时间内自动关断电视机。当然,这仅仅是其应用一例......
