电力晶体管相关论文
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它......
通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制......
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿......
一九人二年第一期 (总第12期)目 录带有饱和磁分路的直流螺管式(盆形)电磁铁工作气隙磁导的计算 ………………………………………......
本文介绍了主要电力半导体器件的性能、制造技术及应用。全文共分七部分,首先介绍国际动态,接着分别介绍了功率整流二极管、晶闸管......
综 述 存储器发展现状及未来趋势—…………·(6-6)新型整流h极管…………………………(1-6)模拟集成电路发展研究………………(6-......
采用大功率晶体管开关作为中小功率变换装置驱动交、直电动机,可以获得优良的控制性能.为进一步节省电能,提高输出转矩,对交流电动......
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达顿ＧＴＲ的关键体内参数－轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱......
通过对三级复合达林顿结构GTR的体耐压进行计算机辅助分析。讨论了影响GTR体耐压的诸因素。提出了三级复合达林顿结构GTR体耐压的......
关于电力电子应用技术开发研究的建议蔡宣三（清华大学，１０００８４北京）１电力电子技术在电力工业中的应用电力电子技术在电力系统（包括发电、输电、......
利用较精确的理论模型和有效的数值分析方法，对１２００ＶＧＴＲ体耐压和漏电流的影响因素进行了定量分析和计算，得到了一些有益的结果。这些结果为ＧＴＲ耐......
利用泊松方程的三维数值解法，以三环FLR系统为例，讨论对GTR的FLR系统进行结构优化的基本问题和方法。着重探讨了优化判据问题，指出界......
在二维数值分析的基础上讨论了引起ＧＴＲ电流增益在大电流工作条件下降低的几个主要因素，认为要保持较高电流增益应以提高发射效率为主，提......
本文利用ＰＷＭ技术构成了三相ＰＷＭ整流器。这种整流器谐波小，功率因数高，动态性能好，是一种品质优良的整流器。......
采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺研制出适合ＧＴＲ，ＧＴＯ，ＩＧＢＴ等自关断器件用的ＨＬ系列厚膜驱动电路模块。本文给出驱动电路模块的原理，电路参数及使用方法。......
从工程实际应用的角度，分析了大功率晶体管关联运行时可能造成电流不均衡的各种因素，介绍了选择ＧＴＲ并联运行的思路和原则，提出了保证ＧＴＲ并联......
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数－轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与......
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件－ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生成ｎ＾－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极......
介绍了一种调节电容器电容量的新技术。文中阐述了这种新技术的主电路结构特点、应用范围、所使用的可关断器件的工作特性及技术开......
分析了ＵＡＡ４００２的脉冲控制方式。将脉冲控制方式的ＵＡＡ４００２用于数字控制变流系统，实现了在控制电路不变的情况下，用ＧＴＲ方便地替代ＳＣＲ。......
介绍了为直流电机ＰＷＭ调速系统而设计的大功率晶体管基极驱动电路。讨论了大功率晶体管对基极驱动电路的要求，提出了基本驱动电路和具有......
少数载流子寿命的简易测试法ＳｉｍｐｌｅＭｅａｓｕｒｍｅｎｔｏｆＭｉｎｏｒｉｔｙＣａｒｒｉｅｒＬｉｆｅｔｉｍｅ￥／／株洲电力机车研究所丁肃秋（株洲４１２００１）１概述在电力半导体器件的生产中，如何从工艺上控制器件ｎ基区的少数载流子寿......
采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺，研制出适合ＧＴＲ、ＧＴＯ等自关断器件用的ＨＬ系列过流保护厚膜电路模块，本文给出了保护电路模块的原理、电路参数及使用方法。......
探讨了电力晶体管驱动电路能正常工作所要满足的条件,给出5种电力晶体管基极驱动电路,分析了各种电路的组成原理.......
脉宽调速是直流调速方法之一,本文介绍了用CH7555为振荡器的脉宽调速,同时采用电力电子器件GTR作为变换器,解决了以往用晶体三极管......
变频器进入实用阶段，比发明异步电动机晚了近百年。本文从分析其原因入手，讲述了影响实施变频调速的主要问题。进而介绍了变频同时还......
