键合界面相关论文
随着半导体技术领域对低温晶圆键合技术的需求不断增长,表面活化键合(Surface activated bonding,SAB)技术开始被广泛研究.与其他......
随着电子及生物医疗元器件朝着微型化、便携式及多功能性的发展,连接(电子领域内常被称为“键合”)已成为材料或结构一体化集成不......
硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。......
从原材料的角度，研究了制作ＤＣＢ板所使用的铜箔和陶瓷材料对其性能的影响。
From the perspective of raw materials, the effect of c......
提出了用红外热像无损检测ＳＤＢ界面空洞和定量检测界面键合强度的方法并与破坏性拉力实验和喷砂造型法对照，证明了该方法的可行性。
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对十年来光电子集成技术的发展作了简要的回顾。着重介绍了近年来兴起的一种新颖的集成技术─-异质半导体直接键合技术的工艺和特......
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛......
重点介绍了在微机械加工中碰到的带图形硅片键合工艺，测量了不同表面处理和不同退火条件下的表面能，估算了封闭腔内的剩余压力和腔体......
本文介绍了一种实用的声学成像技术,可以在键合晶圆对的同时,对界面缺陷以及不同材料的晶圆划痕进行成像检测。
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多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅......
对Si/Glass激光键合进行了有限元仿真,自主设计激光键合系统并进行了Si/Glass激光键合实验研究、测试与表征。以Si/Glass激光键合......
由于铜线较之金线明显节约成本,所以对铜(Cu)线键合的关注日益增长。但是,对铜线易腐蚀及封装可靠性的考虑推动产业开发替代材料。......
采用阳极键合法对玻璃/铝多层结构层间连接进行试验,通过SEM、EDS分析玻璃/铝多层结构键合界面的显微组织。结果表明:对连接接头进......
本文叙述有关硅片的直接键合技术工艺过程,键合特性及其应用.它是将已知的玻璃封接技术应用到硅片上,键合强度和键合电特性都很好,......
通过大量实验并对硅高温键合的机理进行研究发现,键合高温处理温度和时间是实现良好键合的关键。通过对键合处理温度和时间的优化,......
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技......
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从......
本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括SiO_2—SiO)2、Si-SiO_2、Si—石英、GaAS—玻璃等的键合......
研究了低温（５００℃以下）硅一硅直接键合（ＳＤＢ）技术，在低至１２０℃条件下获得了优良的键合结果，其键合强度可达到１０ＭＰａ以上．结合现有ＳＩＭＳ和ＴＤＳ测试结果，研究了硅表面吸......
本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．
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分析了硅－玻璃静电键合界面受热循环作用，或者受反向电压作用后，在高温时，键合力的特点，实验验证了高温（４５０℃）时键合面牢固、稳定。研究结果......
利用各向异性腐蚀和键合工艺,提出了一种新的自停止腐蚀方法,该方法可以得到大于1μm厚的均匀硅膜,可用于微传感器研制。
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键合技术(BondingTechnology)是随着集成电路和微机械的发展而出现的一种加工技术。键合是指不利用任何黏合剂，只通过化学键和物理......
在中国国家自然科学基金重大项目《先进电子制造中的重要科学技术问题研究》资助下，提出芯片封装界面制造过程多参数影响规律与控制......
采用多普勒激光振动测量系统，获得了热超声倒装键合过程中工具末端及芯片的振动速度曲线。通过比较分析两条曲线，揭示了热超声倒装键......
超声楔焊金属键合物的形成对半导体器件焊接质量至关重要,为分析金属键合界面形态演化及焊接参数对金属键合物形成的影响,研究了超......
针对砷化镓太阳能电池键合过程中键合界面位错密度过大、部分区域解键合等问题,通过金-金热压键合技术结合有限元方法,提出了一系......
提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦......
