芯片面积相关论文
分组密码算法作为主流的信息加密手段,在通信网络与信息安全领域发挥着重要作用。然而,分组密码算法在密码设备中运行时会发生能耗......
针对CSOP10型陶瓷封装集成电路热特性参数随芯片面积的变化规律,运用仿真分析、理论计算、试验相结合的方法展开研究.结果 表明,仿......
随着新能源技术的迅速发展,大量电力电子装置投入运行,电力电子系统的可靠性问题日益突出。由于安全需要,车辆和电力行业对电力电......
由于信息时代的到来及其迅速发展,使得通信技术在社会发展中扮演的角色越来越重要。光纤通信由于其传输速率快、稳定性强、携带信......
从优化算法、硬件结构和模拟结果入手,通过对CMOS图像传感器暗光环境下模数转换电路的优化设计,提出了一种暗光环境下性能提升的大......
功率集成电路业有很多成功的范例,但高度复杂的集成电路要取得销售成功不易。厂商和设计人员对这一问题经过10年无数次的认真思考......
本文给出了我们设计的四个有特色的CMOSD触发器的逻辑,它们应用于一个VLSI单微机电路中。文章分析了它们的特点和原理。其主要特点是:①增强了......
据《电子材料》1996年第9期上报道.日立制作所使用半微米微细加工技术成功地开发出DRAM/逻辑电路的混装技术。另外,通过灵活利用本技......
换向反馈12位流木线A/D转换器美国麻省理工学院(MIT)的研究人员在第43届国际团体电路会议(ISSCC)上发表了一种12位5MHZA/D转换器。该器件采用了一系列技术来降低......
采用PN结隔离的标准双极工艺,成功地设计了一种输出达40伏的高压微型化跳频控制电路。在电路设计、版图设计、工艺设计中运用了可靠......
据《电子材料》1995年第2期报道,日本富士通公司研制成3.3V低压、高效工作的GaAsHBT,其性能为:输出功率1W,功率附加效率70%,功率增益15dB(......
对国内广泛应用的XilinxFPGA进行了研究。在此基础上,开发了一种FP-GA硬线化技术——SMPGA。该技术具有兼容性好、成本低和转换迅速等优点。叙述了实现FPGA硬......
多输出端Ⅱ型电流传送器TheSecondGenerationCurrentConveyorwithManyOutputTerminals袁助国,杨志民(西北师大物理系,兰州730070)第二代或Ⅱ型电流传送器(CCⅡ)只有一个输出端,当用其构成二阶以...
Multi-Out......
Tiger可以完成从布局到详细布线的整个布图全过程。在整个布图过程中,根据RC延迟模型计算所有连线的延迟,并把整个芯片的时延最小作为优化目......
SMPGA是FPGA的一种硬线化设计,是FPGA的最佳低成本替代品。本文在简介SMPGA基本原理的基础上介绍了一种实现FPGA向SMPGA转换的开发......
报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测FET的S参数进行微波CAD优化设计,内部包含有3个300μm栅宽的FET,芯片面积1.7mm×1.9mm。采......
本文提出了一种多分子模拟退火法(SAMM),该方法不仅具有模拟退火法(SA)的全局收敛性,而且还能有效避免SA后期既费时又不十分必要的迭代过程,因而具......
本文讨论了基于逻辑级数极小化的布尔函数因子分解,提出了基于Lawler〔1〕分割算法及子逻辑结构变换的组合逻辑电路的逻辑级数优化方法
In......
提出了一种CMOSSRAM读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的PMOS电流镜放大器和PMOS交叉耦合放大器相比,具有速度快、增益大、功耗小等特点,可广泛......
全加器是算术运算的基本单元.设计结构简单的全加器有利于缩小数字处理芯片的面积。根据最新的XOR门结构设计了一种新的全加器,这种结构......
介绍了日本富士电机公司先后开发成功的EMB1001RM-25、EMB1801RM-25等高耐压、大电流IGBT元件的性能、技术特点和应用实例。前者的额......
根据MPEG-1系统流的特点,用有限状态机的方案设计出MPEG系统解码电路的VLSI结构。该结构具有数据处理速度快和芯片面积小的特点。同时,状态优化和抗......
时延驱动的Steiner树构造算法是时延驱动总体布线的基础.本文首先简介了求解最佳Steiner树的Dreyfus-Wagner算法.随后通过引入Sakurai时延模型,提出了直接基于Sakurai模型的提高线......
介绍了MPEG2视频解码器的VLSI实现方法,采用ASIC结构实现MPEG2标准的视频解码,用流水线哈佛结构RISC型微控制器对视频数据流、变字长解码以及电路时序进行控......
南京电子器件研究所应用0.5μm的GaAs离子注入工艺,研制开发了2~6GHz的宽带单片功率放大器,其中的大电容采用高介电常数的电介质制......
分立半导体器件制造商General Semiconductor公司(位于纽约州的Melville),具有在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的专有MOSFET......
1 前言对于 MOS 晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm 工艺技术的64MDRAM 中,要求薄膜减薄到1......
LSI Loguc公司(位于加州的Milpitas)成功地开发了被命名为‘flxI/O翻转芯片’的第三代有机翻转芯片封装产品。这些产品都是应用于通......
用 0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字 CMOS工艺设计了一个全集成的 2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结......
中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)日前宣布,已经成功开发出基于0.35μm可擦写存储器的非接触性智能卡技术,据称可有效缩小非接......
在焊点间距和焊球尺寸进一步微型化、芯片面积进一步增大趋势的推动下,器件的可靠性也正在被推向尽头。以致不采用应力缓冲再分布......
提出了一种新的树型结构 1 0∶1并串转换电路 ,可应用于千兆以太网 ,其工作速度达到 1 2 5Gbit/s.树型结构的使用可以使大部分电......
提出了一种针对单片集成开关电容 DC- DC变换器进行优化的设计方案 .阐述了开关电容 DC- DC变换器电路的拓扑结构及其基本工作原理......
采用TSMC0.18μmCMOS工艺实现低功耗10Gb/s4∶1复接器。整个系统采用树型结构,由两个低速2∶1复接单元,一个高速2∶1复接单元,分频......
设计并流片制作了基于GaAsPHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMICVCO).该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点.......
介绍了一种用于bluetooth的基于0.35μmCMOS工艺的2.4GHz正交输出频率综合器的设计和实现.采用差分控制正交耦合压控振荡器实现I/Q......
在0 .35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1 .08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,......
提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度......
提出了一种16位立体声音频新型稳定的5阶ΣΔA/D转换器.该转换器由开关电容ΣΔ调制器、抽取滤波器和带隙基准电路构成.提出了一种......
据《SolidState Technology》2007年第7期报道,意法半导体(ST)最近公布了该公司研发的45nm CMOS设计平台。在这个平台上,可以为低......
在便携式设备及消费类电子产品的核心SoC中,集成了模拟电路(ADC及PLL电路)的数字芯片正在逐渐增多。这种芯片的优势在于可以减少所......