化学机械抛光相关论文
作为元宇宙入口的增强现实/虚拟现实（AR/VR）近眼显示设备。微显示器（Micro LED）有着高对比度、低功耗及长寿命等优越的性能,但因其制造......
氮化镓（GaN）因其良好的物理性质和化学特性,被广泛应用在微电子和光电子器件中,是现今集成电路产业中至关重要的第三代半导体材料。......
单晶硅是半导体工业技术发展的核心,广泛应用于集成电路制造业,其表面质量对半导体器件的性能有重要的影响。化学机械抛光（CMP）技术......
芯片互连层进行化学机械抛光（CMP）时，抛光液对互连金属的腐蚀问题是影响抛光后表面质量的重要因素。本文在含有氧化剂过硫酸钾（KPS）、络......
化学机械抛光作为一种高效的平坦化加工技术被广泛应用于超精密加工过程中。随着对产品表面质量要求的不断提高以及工业数据量的不......
氧化铈（CeO2）磨料在化学机械抛光（CMP）效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提......
通过湿固相机械法制备CeO2悬浮液。在不同温度下焙烧Ce2（CO3）3制备CeO2粉末，以无机酸作为分散剂，采用湿式球磨的方法进行CeO2的分散，分......
氧化铈由于具有独特的物理、化学性质而作为一种重要的抛光材料被广泛研究[1]。大量实践和研究表明,CeO2抛光液对SiO2质材料（集成电......
碳化硅（SiC）晶片作为第三代半导体材料,具有高击穿电场强度、高饱和电子漂移速度、宽带隙、低介电常数、高热导率等特性,在航天探测......
电子信息产业进入高速发展阶段,钽酸锂晶体成为信息技术产业信息集成、调制、传输、显示等领域所生产压电、声光、激光等器件不可......
化学机械抛光（CMP）作为一种超精密加工技术，在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫......
作为目前唯一能够实现全局平坦度的加工工艺,化学机械抛光（CMP）常被作为衬底加工的最后一道工序。然而在加工过程中,随着抛光垫的表......
采用PU/DMF/H2O湿法交换技术，制备聚氨酯/炭黑（PU/CB）复合微孔膜，探究浆料中的CB添加量对PU/CB微孔膜的形态结构与性能的影响。通过化......
随着高新技术的快速发展，对应用于精密制造业的硬脆材料表面质量提出了越来越高的要求，传统的加工方法难以达到理想的表面精度。超精......
在含双氧水（H2O2）10 m L/L和氨三乙酸（NTA）20 mmol/L的溶液（p H=9）中分别加入0.5、1.0、1.5和2.0 mg/L的18-冠醚-6，研究了在弱碱性条件下1......
该文研究了化学机械抛光（CMP）条件下，锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间，分析锗单晶表面状态的变化规律。结......
目的 为提高5083铝合金的表面质量，研制一种环境友好型化学机械抛光液，并分析5083铝合金化学机械抛光液对表面粗糙度的影响及作用机......
为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光技术进行了总结和研究。针对碳......
化学机械抛光（CMP）作为一种超精密加工技术，在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫......
钛及钛合金由于具有极高的比强度、出色的抗疲劳性、优异的耐腐蚀性和生物相容性等优点,被广泛应用于生物医疗、航空航天和船舶制......
在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性......
目前,极大规模集成电路（GLSI）的关键技术节点已降低到7 nm以下,传统阻挡层材料钽/氮化钽（Ta/TaN）已不能满足集成电路（IC）发展的要求。金......
GCr15轴承钢是最常用的高碳铬轴承钢之一,它具有耐磨、耐腐蚀、尺寸稳定性好以及接触疲劳强度高的特点。广泛应用于轴承内外套圈、......
为了提高单晶硅片的抛光效率,探究了碳酸胍(Guanidine carbonate,GC)和聚乙二醇(PEG)对硅片在含双氧水的抛光液体系中化学机械抛光......
CeO2由于其适当的机械性能及高的化学活性,更重要的是其对Si3N4/SiO2的高选择性去除,使其被广泛应用于浅槽隔离化学机械抛光工艺中......
利用化学机械抛光对氧化铝陶瓷进行加工,结合表面算术平均高度Sa和均方根高度Sq,研究偏斜度Ssk和陡度Sku随抛光时间的变化规律,分......
蓝宝石晶片作为重要的半导体材料,应用于先进的光电产品制造中,随着信息技术的高速发展,相关产品迭代迅速,蓝宝石晶片的应用对其表......
柔性有机电致发光显示（OLED）因其优良特性,已广泛运用到各行业,成为研究热点。不锈钢具有耐高温、耐腐蚀等性能,有望成为柔性OLED衬......
首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的......
简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP体系的......
本课题主要对金属层间介质薄膜的片内厚度均匀性这一重要的集成电路制造工艺指标展开研究,从金属层间介质薄膜的化学气相淀积（Chemi......
化学机械抛光（CMP）是高精密光学器件和超大规模集成电路制造技术中最为有效的平坦化技术之一。CeO2作为重要稀土氧化物抛光材料,其独......
本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的......
随着极大规模集成电路（GLSI）的技术节点降低到7 nm以下,金属钌（Ru）凭借其优异的特性成为替代传统铜互连阻挡层材料钽/氮化钽（Ta/Ta N）的......
随着5G无线通信技术及智能电动车技术的高速发展,对半导体器件的研发与制造提出了越来越高的要求。单晶碳化硅（SiC）作为性能优异的第......
高纯度的石英玻璃具有透光性好、耐高温、耐酸性、热膨胀系数小,化学性能稳定等优异性能,被广泛地应用在精密光学及其他高科技领域......
化学机械抛光（Chemical mechanical polishing,CMP）是用于制造半导体芯片和电子器件中的多层互连的最广泛的技术,可提供具有全局亚纳......
目的 为了提高氧化锆陶瓷手机背板的化学机械抛光(CMP)性能,合成新型非球形二氧化硅磨粒,并分析非球形二氧化硅磨粒在CMP过程中的......
当技术节点降低至32 nm及以下时,为了缓解电阻-电容(RC)延迟导致的铜(Cu)互连器件可靠性差的问题,急需寻找新的阻挡层材料.与钽(Ta......
通过电化学测试和化学机械抛光(CMP)试验研究了pH=10的抛光液中焦磷酸钾和双氧水的质量分数对Cu/Co电偶腐蚀的影响.结果表明,适量K......
金刚石具有极高的硬度、优异的导热性、稳定的化学性质、高电子迁移率和极宽的带隙等出色的物理化学性质,是一种杰出的工业材料,在......
碳化硅是一种具有代表性的第三代半导体材料,在现代电子信息产业中占有重要的地位。但是碳化硅硬度大、脆性高、具有化学惰性等特......
化学机械平坦化（CMP）是集成电路（IC）制造的关键工艺之一,是实现多层铜布线局部和全局平坦化的核心技术。阻挡层平坦化是铜互连CMP制程......
因为市场的持续进步,集成电路（IC）作为半导体工业的焦点,其工艺复杂性也越来越高。在技术节点已经进入3 nm节点的现在,国际对IC中晶......
