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本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.
不同沟长MOSFET的退化特性
【摘 要】
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本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.
【机 构】
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华南理工大学应用物理系微电子专业 信息产业部电子第五研究所分析中心
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会
【发表日期】
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2002年12期
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