二维电子气相关论文
二维电子气（2DEQ）是电子在二维平面内自由运动,并在垂直于该平面方向运动受到限制,近年来是凝聚态物理、等离子体物理的研究热点之一......
当固体的一个或多个维度降低时,就产生了低维结构,或低维系统,材料的表面和界面、石墨烯等二维材料及纳米带都属于低维系统;由于维......
通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......
带电粒子与二维自由电子气相互作用是表面物理学中的重要研究内容,也是典型的等离子物理、固体物理和核物理领域的交叉课题。随着......
硅基光电子集成和半导体量子计算是两大前沿研究领域。硅基光源的实现是硅基光电子集成的核心课题。将直接带隙的III-V族发光材料......
2004年,Ohtomo等人在LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）氧化物界面发现了高迁移率的二维电子气（2DEG）,随后人们发现该界面存在许多新奇的物理特性......
二维体系的范德瓦尔斯异质结常常具有新颖独特的物理现象,在光电子器件和纳米器件领域有着巨大的应用前景。大多数的范德瓦尔斯异......
近年来,超薄二维材料由于具有优异的机械性能和半导体性能,成为人们研究的热点。钙钛矿氧化物作为一种特殊的二维材料,在应变的作......
晶格匹配的氮极性(N-polar)GaN/In0.17Al0.83N异质结以其优异的材料与电特性受到了研究者的广泛关注.通过自洽求解薛定谔方程和泊......
20世纪80年代初低温二维电子气中量子霍尔效应的发现开创了凝聚态物理学中一个全新的研究领域——量子输运。在过去30年中,这个领......
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP H......
第三代半导体器件具有高能效、低功耗和高极端性能,在电子电力、微波射频和光电子等领域展现出广泛的应用前景。基于第三代半导体......
GaN因具有宽禁带、高饱和电子速度和良好的热导率等优点而被视为制作高压高重频超快光电导开关（photoconductive semiconductor swi......
LaAlO3（LAO）和SrTiO3（STO）界面可以存在二维电子气,且表现出丰富的物理效应,如铁磁性、超导电性、可调的Rashba自旋轨道耦合和高效的自......
过渡族金属氧化物一直是凝聚态物理研究的重点。由于d电子的电荷与自旋、轨道的相互耦合,产生了丰富的新奇物理效应。随着异质结的......
日盲紫外探测器有广泛的应用前景。MgZnO材料由于对紫外光比较敏感、响应度比较高、可探测紫外光范围比较宽,因此MgZnO成为了一种......
随着光电子器件向低维度、多波段、集成化方向发展,多色光电探测器成为光学与电子信息领域中的研究热点。其中,紫外（UV）探测技术由于......
使用ATLAS(silvaco)仿真软件研究了不同表面电荷对GaNHEMT器件输运性能的影响.通过改变表面正电荷浓度大小从1012cm-2增加至3×101......
凭借优异的铁电性能,铁电薄膜在非易失性存储器、铁电隧道结、铁电场效应晶体管等领域得到了广泛应用。但是铁电薄膜在低于临界厚......
硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压......
在低温和强磁场下对调制掺杂AlGaN/GaN异质结进行了磁输运测量.通过对不同温度下舒勃尼科夫-德哈斯(sdH)振荡的分析,计算出二维电......
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和......
基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源。基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEG)的大量数据。例如,2DEG密......
介绍了用NH-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的......
我们研究了稀磁半导体二维电子气在垂直电场和磁场下的磁输运.由于导带电子与Mn的3d电子间的s-d交换作用,不同自旋的Landau能级发......
利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT......
本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H和H.它们对应于两个不同子......
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了......
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二......
通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN......
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及......
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压......
本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/......
本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态......
在一类金属-绝缘体复合体系当中，人们发现当金属颗粒的比例接近渗流阈值(金属颗粒刚好形成一条曲折的通道)的时候，材料的霍尔系数能......
氧化物界面二维电子气是近年来材料领域的研究热点,且有潜在的应用前景。特别是块状材料为绝缘体的LaGaO3和SrTiO3,实验上在二者组......
利用脉冲激光沉积技术,我们在TiO2为终结面的SrTiO3衬底上外延了ReAlO3(Re=La,Nd,Sm and Gd)钙钛矿薄膜。研究结果表明,ReAlO3/SrT......
随着半导体材料与工艺技术的发展，固体电子器件的运行速度正向亚毫米波和太赫兹频段发展。但是，常规的电子学器件和光子学器件在1-3T......
过渡金属氧化物界面因其独特的强关联性质引起了研究者的广泛关注[1-2]。尤其是LaAlO3/SrTiO3(LAO/STO)界面，此体系存在高迁移率的......
界面超导电性是凝聚态物理中一个热门的研究课题,而异质界面因其新奇的量子效应在科学研究和工业应用中都发挥着重要的作用。在本......
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构，在理论......
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产......
