寄生参数相关论文
本文以电力电子混杂系统为研究对象,在现有信号混杂系统研究的基础上,对功率混杂系统的非线性问题分析与改进方法进行了深入研究。......
1965年随着摩尔定律的提出,集成电路的晶体管数目呈现指数型增长,这使得集成电路集成度不断提高,处理信息的速度和能力也越来越强,......
针对三相逆变器过冲电压导致绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的过压击穿和误导通问题,提出一种减小寄生参数的三相逆变器设计方案。首先建......
双有源桥（Dual Active Bridge,DAB）DC-DC变换器能够实现能量双向传输,且具有控制策略简单、传输效率高等优点,在新能源发电、储能和......
采用交错控制的三电平Buck变换器不仅降低了功率开关管的电压应力，同时减小了输出滤波器的大小，在大功率电力电子变换器系统中具有广......
开关电源作为目前电力电子设备必不可少的组成部分,其体积的大小决定了整个电子设备的体积,其质量的优劣又直接影响整个配套设备的......
液晶高分子聚合物（LCP）以其优异的微波毫米波特性,被广泛应用于高频多层电路板.在多层电路板结构中,为了实现不同层电子器件以及传输......
H桥单元作为中压级联系统的核心单元，掌握它的电磁干扰（Electromagnetic Interference，EMI）特性是准确评估级联系统电磁兼容性能的关键......
为减少碳化硅（silicon carbide，SiC）金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）的开关时间......
期刊
变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关......
高性能电力电子技术是5G通信、航空航天、电动汽车和快速充电等新兴产业的系统核心,其核心电能变换器件的高频、高效和高耐压设计......
随着电力电子技术的发展,电力电子设备在医疗器械、工业制造以及消费等行业得到了广泛应用,对国民经济水平的提高具有重大意义。其......
学位
由于寄生参数的影响，SiC MOSFET应用于双向Buck/Boost变换器时会出现串扰现象，在高速开关过程中会产生额外损耗甚至发生误导通，影响变......
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化......
相比传统的Boost变换器,双管升压变换器可以获得更高的增益,有效地降低了开关管的电压/电流应力,可以作为光伏系统和燃料电池系统......
IGBT是电力电子设备和电力系统主电路中常用的功率开关器件,将多个功率半导体芯片按照一定拓扑进行串并联之后封装为一体形成功率......
矩阵变压器已被证明是提高数据中心电源效率的有效方案。然而在高频下产生的寄生参数、交流电阻等将影响矩阵变压器的效率及工作性......
随着社会的发展,对能源的需求不断增大,人们对风能,太阳能等新型可再生能源进行了很多研究并投入了应用,但可再生能源的电源系统往......
辅助变流器是地铁车辆最重要的电气组成部分之一,随着SiC器件商业化应用,辅助变流器的轻量化有望大幅提升。本文针对SiC器件应用于......
采用常规的人体模型(Human Body Model,HBM)进行静电释放(Electro-Static Discharge,ESD)测试时往往容易受到寄生参数的影响,使得......
卫星以及空间站等航天器都需要电推进系统通过电能转换完成其姿态控制以及位置修正等任务。推进系统一般占据航天器总重要的10%～50%......
研究寄生参数对一种TΓ混合型阻抗源逆变器(TΓ-qZSI)的影响.首先分析在寄生参数条件下逆变器的电压、电流关系,推导出寄生参数条......
谐振开关电容变换器(RSCC)以其高功率密度和高效率的性能受到日益广泛的关注。理想情况下其谐振电流从零开始缓缓增大，使开关器件实......
在产品设计和测试的过程中,阻抗测量具有广泛而重要的意义,本文结合阻抗测量中的几个重要指标和特性,列举了若干典型的测量方法并......
ITER旁通柜是ITER 整流电源系统中的重要组成部分，采用脉冲运行方式，需要多个品闸管并联使用。为了探讨寄生参数对大电流母线均流的......
本文设计讨论了基于SCFL逻辑的2、4、8、16四级GaAs高速分频器.采用1μm栅长器件,源跟随输出级采用50μm栅宽,其他各器件采用25μm......
近年来,以SiC为代表的宽禁带半导体器件受到了各界的广泛关注并成为研究热点。其中,SiCMOSFET以其高压、高频及高温的特性成为高功......
学位
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管......
在逆变器电路的工作过程中,由于寄生参数的参与引起了不可避免的能量损耗,造成拓扑的工作效率及电能转换率降低,从而对逆变器的工......
提出了一种基于进化差分(differential evolution,DE)算法的整流二极管高频建模方法.首先,通过矢量网络分析仪(vector network ana......
0引言随着光芯片传输速率的提高,传统的RC提取工具是否已经达到了瓶颈?面对多种工艺、更小的互联尺寸,如何才能实现寄生参数的精确......
本文给出了一种具有最少元件ＧＦＬＦＯＴＡ－接地电容滤波器，其中所有内节点均通过一电容接地。任何种类任何阶电压传输函数均可由该结构实现，设计公......
分析了典型煤矿用传感器中开关电源电磁干扰产生的主要来源,提出了干扰具体抑制方法,搭建了验证电路;采用模拟分析和试验验证,证明......
VB348LDIH是用新的纵向功率IC工艺过程设计和制造的,它是一种具有五条引线的PENTAWATT(5瓦)功率器件,非常适用于电子变压器应用,价......
近期，Ａｖａｎｔ！公司宣布Ｒｉｃｏｈ公司－数字成像系统的领先者，为他们现在和下一代Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－Ｃｈｉｐ（ＳｏＣ）设计，选择了ＳｉｎｇｌｅＰａｓｓ设计自动化工具。这份数百万美元的合同使Ｒｉｃｏｈ公司能在０．２５，０． １８以及 ０．１３微米......
设计DC/DC转换器需要计算许多元件的参数,需要细心选择控制器芯片。它们对线路板的布置、元件的寄生参数都非常敏感,因此,整个设......
采用二维 TMA Medici模拟软件对 SOI结构的串扰特性进行了分析 .模拟发现随着频率的增加 ,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作......
进入21世纪以来,随着IC制造技术的进步,0.18mm制造工艺已经进入工业化生产阶段,0.13mm工艺也逐步开始普及。90纳米(nm)的制造工艺......
为了保证逆变电焊机能在强干扰的环境中正常工作,本文分析了IGBT逆变焊机电源系统存在的主要电磁干扰,并在软件和硬件设计过程中采......
选择Blumlein电路作为放电电源的主电路,建立了Blumlein电路的离散化等效模型,利用该模型对电路进行仿真研究与优化设计,选取一组......
本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了AlGaN/GaNHEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提......
亚100纳米工艺下CMP在铜双大马士革工艺中导致的金属厚度偏离对互连线信号完整性具有严重影响。为实现90纳米工艺下互连线精确仿真......
采用三维封装结构取代传统的平面封装结构可获得高性能集成电力电子模块.在实验室完成由2只芯片尺寸封装MOSFET和驱动、保护等电路......
