发射特性相关论文
直流偏置电压是电容式微机械超声换能器的一个重要参数。以实验室设计制造的电容式微机械超声换能器为基础，研究不同的直流偏置电压......
期刊
介绍了用于高功率相对论速调管放大器的强流相对论二极管的物理和模拟设计,以及通过模拟研究的方法分析了影响环形电子束发射均匀......
论文使用脉冲腐蚀和恒流腐蚀制备了两种不同结构的多孔硅,通过采用正负极对调并加恒定电流若干时间的阴极还原方法,研究了阴极还原......
论文选取腐蚀量Q为30、45、60和90mA·min及电化学恒压氧化方式制备了四种多孔硅电子源,测试结果表明,Q=45mA.min时电子源的发射电......
采用酞菁铁高温热解方法分别在块体铜基底和化学镀铜硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Cu-CNTs和Si/Cu-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中......
针对重复频率亚纳秒X射线源建立了脉冲电压传输的阻抗模型,测量了不同纵横比下脉冲电压及其反射情况.并与理论结果进行了比较得出2......
会议
烧蚀材料是一种保证航天器正常飞行的重要热防护材料，烧蚀材料的发射率是航天器烧蚀防热设计的关键性能参数之一。为研究烧蚀材料的......
通过大量工艺实验,镀制了改变脉冲真空电弧离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数的样品,选择了一种......
纳米管钛酸在-0.1MP真空上,150℃即可脱水向锐钛矿TiO转向,管状结构亦遭破坏;本文就如何利用这一含有大量缺陷的TiO所显示出的独特......
Preparation and self-assembly of amphiphilic polymer with aggregation-induced emission characteristi
忍受 tetraphenylethene (TPE ) 一半的 amphiphilic 聚合物被方便反应综合。聚合物展出唯一的导致聚集的排放(AIE ) 特征和对在 D......
Facile synthesis of poly（aroxycarbonyltriazole）s with aggregation-induced emission characteristics b
Regioseletive 1,3-dipolar polycycloadditions of 4,4'-isopropylidenediphenyl dipropiolate (1) and tetraphenylethene (......
1-（（12-Bromododecyl）oxy）-4-（（4-（4-pentylcyclohexyl）phenyl）ethynyl） benzene： Liquid crystal with aggr
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以脉冲水炮用聚能喷嘴为研究对象,建立其发射特性的数学模型;应用MATLAB中的动态仿真工具软件包SIMULINK,对射流的出口速度与喷嘴......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,分别研究了N掺杂和N-M(Cd,Mg)共掺(9,0)型闭口氧化锌纳米管(ZnONT)的几何结构和场发射......
采用水热法制备出菊花状的ZnO纳米线簇,然后利用电泳法将之移植到金属Ti片上,形成均匀的、一定厚度的ZnO纳米薄膜,最后经真空热处......
在ITO衬底上电沉积了Co掺杂ZnO系列样品,并用X射线粉末衍射仪和扫描电子显微镜测试了样品的结构和表面形貌.结果表明Co掺杂并没有......
本文概述Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的发展水平及其应用，介绍了在我们现在有工艺条件下，研制Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在......
本文介绍了一种实用的液态合金离子源结构，我们利用本结构研制成功了Ａｕ－Ｓｉ和Ａｕ－Ｓｉ－Ｂｅ液态合金离子源，测出了它们的发射特性。
In this paper, a p......
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其......
简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的I－V特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。
Briefly introduce the fabric......
本文介绍了Ａｕ－ＳｉＬＭＩＳ的结构以及源的发射特性，利用Ｅ×Ｂ质量分析器，获得了Ａｕ－ＳｉＬＭＩＳ的质谱图，对实验误差进行了理论分析
In this paper, the structure of ......
描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光......
通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到......
铱铈合金浸渍钪酸盐阴极能够在相对较低的阴极工作温度下，产生较大的发射电流密度，在１４７０Ｋ时，阴极零场发射电流密度为２．１９Ａ／ｃｍ２。本文同时讨论了阴极......
由于高亮度蓝光和绿光 LED 已在很大程度上实现了商用化,因此目前人们对 GaN 及其合金的兴趣显然不仅仅只是好奇而已。然而仍有许......
本文对结构相同的覆四种不同金属层（金、铝、镍、铬）的Ｐ型硅楔形体阵列进行了实验比较研究，表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境......
楔形发射体的有效发射面积较大，能够承受较大的发射电流，并产生较高的跨导，因而更适用于大功率微波放大器。用有限元法对器件的性能进......
具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件......
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构......
金刚石具有优异的电子、机械和化学性能，特别是表面的负电子亲和势（ＮＥＡ）特征使其成为真空微电子器件的理想冷阴极材料，可望在平面显示器等......
镓液态金属离子源广泛应用于聚焦离子束技术 ,本文介绍了一种利用电子轰击的方法制备镓液态金属离子源的工艺和设备 ,测试了源的 I......
综述了真空微电子学这一新兴学科的研究方向和主要内容，基本的理论基础，总结了近年来国内外在模拟数值计算和工艺实践中报道的对现有......
由德国OsramOptoSemiconductor公司领导的一个研究小组最近首次成功地研制了欧洲第一只InGaN基激光器。这项研究计划由德国政府牵......
在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ......
目前我们已经开发了用于场发射显示的碳纳米管发射体制作工艺。该工艺有希望被用于在玻璃衬底上制作大面积碳纳米管阴极,而且还可......
用小电流、特殊配比溶液的电化学阳极腐蚀法在p型、〈10 0〉晶向、0 0 1Ω·cm电阻率的硅片制备了大面积纳米硅薄膜 .通过SEM ,TE......
1965年Crider根据Salet效应,研制了一种检测大气中硫化合物的检测器;1966年Brody和Cheney制成了硫和磷的气相色谱检测器;1967年Da......
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为实现天光装置的稳定运行,使天光装置进一步精密化,开展了二极管阴极材料的发射特性研究。
In order to realize the stable ope......
以镍金属为催化剂,在600℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管。将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5～1h后,以空气氧化法......
随着尖端科学技术的发展,对新材料的种类和数量的需求日趋增加,作为稀土家族的钪愈来愈引起人们的注意。在一些领域里,钪同其它稀......
以往使用的氧化钇Y_2O_3-Ir阴极都是用直接涂复法,这样制成的阴极涂层不均匀致密,粘附不够牢固等。为了克服这些缺点,作者采用了......
