功率附加效率相关论文
本文报道了采用Ti/Au/Al/Ni/Au金属叠层的浅槽刻蚀欧姆接触（STEOC）来提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的直流和射频性能。制备器件实......
为适应当前5 G通信芯片趋于高效率化的发展趋势，介绍了一种28 GHz线性度好、效率高的Doherty功率放大器的设计。该功率放大器采用了......
4H-SiC材料以其宽禁带、高电子饱和漂移速度、高临界电场强度、高热导率等优良特性,在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有广阔......
为了满足无线通信系统对低功耗双频功放的需求,分析高效功放的阻抗条件,提出了一种新型双频输出匹配电路,包括谐波控制电路和基波......
基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器.采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失......
针对采用标准失配衰减网络实现负载牵引测量系统校准时,转换增益测量误差△GT作为校准结果无法直观反映系统测量输出功率(Pout)以......
现代无线通信系统为了提升信道容量、传输速率和可靠性,采用了高频谱利用率和强抗干扰能力的OFDM、MIMO-OFDM等技术。而这些技术的......
本文基于WIN半导体的pHEMT工艺,使用ADS设计了一种工作在28GHz的高效率单片毫米波集成电路Class-F放大器.文章首先解释了Class-F放......
Doherty功放是目前解决高峰均比通信系统中线性度和效率之间矛盾的主流功放类型.由于该类功放的功率合成部分采用了两段1/4波长的......
随着无线通信系统的逐步演变和发展，人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂，因此在通信过程......
采用蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延材料,台面工艺隔离,Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属,Ni/Au肖特基接触金属,空气桥方法将源连接等主要技......
３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本富士通研究所研究一种新的便携电话用的３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ。该ＨＢＴ在９００ＭＨｚ下具有：单一电源供电，３．５Ｖ，输出功率１Ｗ，功率附加效率７０％，功率增益１５...
3.5VGaA......
简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输......
１ＷＫｕ波段ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ功率ＨＢＴ最大功率附加效率达７２％《ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ》１９９５年第４２卷１１期报道，通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉（ＰＨＳ）结构已经成功地获得了Ｋｕ波段大功率...
1WKu ......
据《电子材料》1995年第2期报道，日本富士通公司研制成3．3V低压、高效工作的GaAsHBT，其性能为：输出功率1W，功率附加效率70％，功率增益15dB（......
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间......
单片行波功率放大器陈雪军，林金庭，陈克金（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＴｒａｖｅｌｉｎｇＷａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＣｈｅｎＸｕｅｊｕｎ；ＬｉｎＪｉｍｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ...
Monolithic traveling wave power amplifier Chen Xuejun, Lin Ji......
辐《NEC技报》1996年第5期报道，NEC公司开发了用于Ku波段卫星通信用的GaAs系异质结FET。这种HJFET放大器的总栅宽为25mm，器件栅长为0......
介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。......
论述了微波固体功率放大器（ＳＳＰＡ）的现状，并预测了它们在以后１０年内的性能。所给出的结果对于评价固体技术和真空技术在未来１０年内的竞争是很有......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
据ＳｔｒａｔｅｇｉｅｓＵｎｌｉｍｉｔｅｄ公司最近的一份报告预测,用于无线通信和光通信的ＳｉＧｅＩＣ将获得通信类ＩＣ市场(190亿美元)约10%的份额。该报告称,1999年,ＳｉＧｅＩＣ市场为3000万美元,......
据99IEEEMTT-S国际微波会议报道,有关振荡器的论文共有10篇,其中5篇为毫米波频率,5篇为微波频率。主要内容为:采用SiGeHBT(fT=70GH......
′99IEEEMTT-S国际微波会议,1999年6月在美国阿纳海姆召开。共收到学术论文468篇,与会人数超过1万人,是历次年会中最多的。学术论......
南京电子器件研究所于 1 997～ 1 999年分别研制了用于手机射频电路的专用系列单片集成电路 ,包括双刀双掷开关、开关功放、低噪声放......
介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于......
南京电子器件研究所已研制成 Ku波段单片功率放大器 ,可应用于点对点通信、卫星通信等领域。功率放大器的主要参数如下 :工作频率 ......
报道了一种性能良好的 Si Ge功率放大器 ,具有用于无线通信的前景 .在 B类模式下工作时 ,输出功率可以达到 30 d Bm.在 AB类模式下......
Agilent Technologies公司推出其输出功率、动态范围和功率附加效率为最高的小型无引线塑封增强型赝晶高电子迁移率晶体管(E—pHE......
00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications/S. Chen, E. Reese and K. S. Kong (T......
美国仙童公司推出CDMA和CDMA2000—1×个人通信系统用的型号为RM-PA1965的3V功放组件,这种工作频段为1850—1910MHz的功率放大器......
Hittite Microwave公司宣布开发出用于点对点、点对多点、甚小孔径终端(VSAT)、军事及太空领域的三款GaAs pHEMT中功率放大器。每......
美国休斯研究所(HRL)称,他们制造出具有前所未有性能的两款GaN基HFET放大器MMIC。他们首先制造出33GHz(Ka波段)功放MMIC,其输出功......
安捷伦科技日前宣布,推出最高线性度的E-pHEMT场效应管。这款产品采用了新型低热电阻的微型2mm×2mm的8针LPCC(无引线塑料芯片载......
据《Semiconductor FPD World》(日)2004年第2期报道,日本富士通研究所开发了用于第3代移动通信基站的GaN基HEMT功率放大器。该功......
采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除......
瑞萨日前推出包括5W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET,用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大。通过采用新工艺,这......
日本富士通研究所开发出可将GaN HEMT制造成本削减2/3的制造技术。 GaN HEMT可高压工作,其输出和效率优良,有望用作下一代移动电话......
美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaN IC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的Ga......
据《Compound Semiconductor》2006年第8期报道,美国GaAs芯片制造商TriQuint公司与海军研究实验室签订了一项价值为3100万美元的合......
日本NEC公司的一个研究小组声称他们打破了采用AlGaN/GaN结构的化合物半导体凹栅MISFET的输出功率记录。该研究小组把他们的这项成......
随着全球3G移动电话业务的大规模延伸,-族化合物器件供货商TriQuint和Agilent(安捷伦)公司推出用于新品手机的功放组件。采用InGaP......
