选择腐蚀相关论文
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的......
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
用HPO:HO系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×......
该工作试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl（Ga）As：InP和INGaAs：InAlAs择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上MSM......
介绍了新型CMOS-SE ED灵巧像素结构原理及相关的MCM倒装焊混合集成技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,研......
通过感应熔炼和冷拔变形制备了Cu-16Fe-2Cr原位复合材料, 将铜基体选择腐蚀后提取出了纤维, 采用SEM和TEM观察分析了纤维相结构.在......
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。...
综合了ＧａＡｓ和ＩｎＰ基ＨＦＥＴ工艺中选择腐蚀技术的有关报道，重点介绍了应用ＩＣＰ设备和气体组合ＢＣＩ＋ＳＦ６进行异质结材料组合的干法腐蚀实验，腐蚀后在显微镜和扫描电......
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ：ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ：ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ，ＨＥＭＴ器件......
用Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２系和ＨＣｌ系腐蚀液实现了ＩｎＰ对ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ对ＩｎＰ的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ ＨＢＴ制作，发射极面积为１０μｍ×２０μｍ的单管共发射极直流增益β为７０，截止频率Ｆ１和......
通过对衡阳钢管厂２０钢水平连铸坯的（Ｐ），（Ｓ），Ｍｎ／Ｓ及其对应的中间裂纹统计，得出：（Ｐ），（Ｓ），Ｍｎ／Ｓ对中间裂纹有较大影响，随（Ｐ）的增加，中间裂纹的敏感性增大，随（Ｓ）的增加，敏感性增......
基于GaAsPHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）材料结构的设计，材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取，完......
用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm......
