集成密度相关论文
本文报道了用于半导体光刻的一体化小型KrF准分子激光器及光学系统的性能。获得了16mm×40mm的均匀光斑，光强分布不均匀性＜±5％光密度......
回顾总结了ＭＯＳＶＬＳＩ的发展，展望了未来发展趋势，说明工艺技术的进步以及器件和电路设计的不断改进对ＶＬＳＩ发展的重要作用
Review the development......
电子技术的发展潮流是缩小体积、降低功耗、增加更多功能、降低价格。反映在可编程逻辑器件,这就是要求更高的速度、更低的电压、......
APEX 20系列将该公司原有系列产品ELEX 10K和FLEX 6000器件的查找表(look-up table-LUT)逻辑、MAX 7000器件的乘积项(product ter......
随着微电子技术的发展，对芯片上的集成密度要求也越来越高。要求芯片上的有源器件的线宽进一步缩小，从1mm－1μm进而从1μm－1nm亦即由微......
东京大学微机电国际研究中心研制成原子力显微镜 (AFM)用的微小集成悬臂梁。三角形悬臂梁用半导体微细加工技术制成 ,集成密度为 1......
对于堆叠器件的3-D封装领域而言,穿透硅通孔技术(TSV)是一种新兴的技术解决方案。将器件3-D层叠和连接可以进一步加快产品的时钟频......
针对0.35μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_(t......
本文总结了做为大规模集成电路新系列的三层结构逻辑(3JL) 电路的测试方法与线路设计要点,并附有研制过程中的数据和结果,提出了几......
本文简要介绍一种我国自行设计研制定型的中规模超高速移位寄存器。文中简述了移位寄存器的功能、要求、用法、基本单元电路以及工......
最近几年期间,LSI 双极型存储器的领域,已经蓬勃开展起来。最显著的发展是集成密度的提高。1969年已报导,单元密度静态存储器为74......
目前半导体集成电路,主要是数字电路,正在向超大规模方向迅猛发展,其主要的趋势就是:高集成密度、高工作速度、低的功耗以及多功......
256k DRAM研制背景 自从1970年1k位器件开始被研制出来后,MOS DRAM的集成密度大约以每3年增长4倍的速度不断发展。实现这样高的速......
随着技术的飞速发展,到2010年,动态随机存取存储器(DRAM)、微处理器和专用集成电路(ASIC)的处理速率、存储容量和
With the rapi......
一、N阱CMOS——一种利于兼容的结构由于CMOS具有极低的静态功耗密度、抗干扰性好、工作电源电压范围宽、输入阻抗高,电容设计容......
普普通通的细沙随处可见,这种主要由地壳中含量丰富的硅元素组成的性状特异的材料,在经过漫长而复杂的加工之后,就变成芯片的基本......
当共同研究所于1976年春第一次讨论具体方案时,IBM公司在此前一年就发表了电子束直接曝光的8K位存储器。该存储器单元面积是6.5×......
1 引言 单管单元N沟MOS RAM是最先步入超大规模集成领域的半导体器件,它作为计算机的主存贮器,正在取代以往的磁心存贮器,这是因......
今年五月卅一日至六月二日,本刊编辑部和《电子科学技术》、《国外电子技术》、《电子简报》三个编辑部,在北京市联合组织了一次......
随着VLSI工艺的成熟和IC开始接近ECL电路的工作速度,封装工程师面临的任务是研究符合密度和固有时间延迟这两个规范的互连方法。......
贝尔公司的肖特基结构——具有三个扇出的肖特基I~2L单元的图形表明三个肖特基箝位二极管正好放在同时包含收集极和基极区域的p阱......
提出了NPNM四极管概念。它由相互作用的一个NPN晶体管和一个金属-硅结构成。瞬态工作时,具有非平衡载流子存贮效应小的优点;应用于......
揭开大规模集成电路序幕的1K位金属—氧化物—半导体随机存取存储器占领市场以来,已经过了十个年头。可以说,一九八○年也是回顾......
采用标准的双极工艺,兼顾I~2L和TTL的结构特点,成功地将二者结合在一个芯片上,制成可付整机使用的16位静态移位寄存器。它充分发挥......
本文讨论了LSI和VLSI的器件技术及微细加工技术的现状和未来的前景。讨论的主题是MOS技术和双极技术,CMOS技术和NMOS技术以及SOS技......
更小的几何图形在集成电路中的应用促进了硅工艺的发展。这些微小的几何图形使芯片集成密度得到提高。同时,使复杂的大规摸集成电......
研制了适用于制备双极集成电路的一种新的四掩模V形槽工艺流程。本工艺应用了ν/n~+/n~-外延层和〈100〉硅的各向异性腐蚀,以免去......
一、引言集成电路的历史,虽然只有20多年,但是集成电路的集成规模,却始终以惊人的速度发展,尤其在近10多年内,集成度以平均每三年......
帝、修、反、今天已处于全世界革命人民的包围之中,行将灭亡。但是,它们并不甘心失败,还要做垂死挣扎。疯狂地扩军备战,大力发展......
超大规模集成电路工艺中所需的粒子控制,无论在理论上还是在实际中都是困难的。当线宽缩小到微米和亚微米大小时,尺寸为最小条宽十......
集成电路是近十多年来发展非常迅速的一种新型电子器件。如果说把电子管算作是第一代的话,那么从第二代的晶体管,第三代的集成电......
它是以金属—氧化物一半导体场效应晶体管为主体构成的集成电路,简称为MOS集成电路。以N型沟道MOS晶体管构成的集成电路,称为N沟M......
工 作 报 告 钢(页)铝淋连续反应高子腐蚀工艺……………………………………………………一(二)一种用碗笔操作的集成电路版围编弱......
本文叙述了计算机辅助制版与制版技巧,指出计算机辅助设计和制版必将促使大规模集成电路的迅速发展。
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随着逻辑LSI的高速化、集成密度的增大和电路规摸的大型化,芯片的发热量增加,由于尺寸也变大,所以引线数增加。因此,封装用的材料......
MOS动态RAM的集成密度、性能正以每年约2倍的速度向前推进,现在是以256k位动态RAM(以下256kDRAM)为主流(图1)。由于历史的原因在......
本文简单介绍反应离子刻蚀的基本原理和激光干涉在线监控刻蚀的原理,比较了两种不同的反应气体(CF_4、SF_6)系统中polycide膜的刻......
为了设计抗辐射的CMOS超大规模集成电路,我们用电源电压为5V的4相时钟CMOS静态移位寄存器研究了包括SOS在内的六种不同的辐射加固......
在研究亚微米尺寸几何结构的超大规模集成(VLSI)时,原来得到公认的许多器件和集成电路工艺规则正在突破。有些制备方法已经具备了1......
佳能(美国)公司推出FPA-2500i3型i线步进式光刻机最近,佳能(美国)公司向市场推出FPA-2500i3型i线步进式光刻机。这种光刻机适于64......
