器件物理相关论文
金属卤化钙钛矿是新型的具有优异光电性质的材料。钙钛矿发光二极管（light-emitting diode,LED）经过近5年的发展,在效率上已经取得飞......
与无机半导体的连续能带结构不同，有机半导体的分子轨道形成的能带较窄，因此造成它的吸收范围很窄，只能强烈地吸收带边附近的光子，这是......
在最近的年里，器官的薄电影的太阳能电池的表演获得了快速的进步， 3%5% 的力量变换效率(p ) 通常被获得，它是困难的以前获得年并且现......
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间（Ｃ－ｔ）瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一......
提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器......
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao......
有机太阳电池因其低成本、柔性、重量轻及可溶液加工等优势备受学术界和产业界的关注。近年来有机太阳电池发展迅猛,基于非富勒稀......
以有机半导体材料为活性层的有机太阳能电池,可通过印刷制备大面积柔性器件,具有成本低、多彩、半透明等特点,是一种极具发展前景......
Microstructures with periods at subwavelength-scale have played important roles in optical and optoelectronic devices,pa......
会议
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变......
目前多数研究人员主要从电路分析角度研究CMOS器件闩锁效应，缺乏对该失效现象触发机理的研究。针对该现状，从半导体器件物理的角......
回顾有机发光器件发展的历程,可以看出器件性能的提高是建立在材料的发展和对器件物理的深入了解的基础上的。目前有机发光器件无......
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。该模型指出,当场板长度......
本论文摘要集主要介绍半导体物理中有关低维物理、表面物理、表面与输运性质、Ⅲ族氮化物、宽禁带半导体及纳米半导体、纳米材料和......
[摘 要] 以图形展示和表达为核心的計算机多媒体技术被广泛应用于当今的课堂教学中，收到了良好的效果。但在某些工科类课程中，......
在能源需求不断增大,矿物能源逐渐消耗,环境问题日益凸显的今天,清洁能源的研究与利用,以及将太阳能转化为电能的太阳能电池,越来......
静电感应晶闸管作为新一代电力电子器件的代表,集多种优点于一身,在高新技术的发展中发挥着越来越重要的作用.该论文着重对它的动......
3.7前端工艺2008年,绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b:热生长/薄膜/掺杂/刻蚀。表FEP4的......
电子学以应用为主要目的,是一门主要研究电子的特性和行为以及电子器件的物理学科.作为其分支学科,微电子技术是随着集成电路,尤其......
随着半导体技术的提升,以SiC和GaN为代表第三代半导体材料越来越受到关注。与传统硅工艺相比,Si C和Ga N等宽禁带半导体材料可实现......
自首次于聚乙炔发现导电现象以来,具有共轭结构的有机半导体材料赖其种类丰富多样、制备工艺简捷低耗、以及优异的机械柔性等特点,......
光子晶体是一门正在蓬勃发展的、很有前途的新学科，它吸引了包括经典电磁学、固体能带论、半导体器件物理、光学、量子光学、纳米技......
金属/氧化物异质结是金属功能材料和器件物理研究的热点课题之一。金属/氧化物异质结非易失性阻变器件具有多态存储能力、稳定性能......
技术的不断进步给传统织物带来了新的能力，使得人们有可能改变与服装和其他纺织产品交互的方式。北京大学信息科学技术学院、纳米器......
论述了深亚微Ｏ主ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、业阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理要领为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量......
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷（charge-sheet）模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验，相对于以基本的MOSFET器件物理......
微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路发展起来的一门新技术。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自......
刘式墉教授长期从事信息光电子学的研究,在光波导器件物理、半导体激光器及物理、光电子集成器件、有机发光器件、聚合物AWG、光电......
据报道，北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室丁力博士和张志勇副教授作为共同第一作者于2012年......
近日，陕西省教育厅公布了2008年度省级双语教学示范课程的评审结果，我校田斌副教授负责的《无线通信》、刘西洋教授负责的《软件工程......
提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管．报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件......
目前全球纳米技术的发展非常迅速，中国同先进国家一样也在投巨资进行纳米科技的研发。据悉，2007年中国在纳米技术的研发投资额达到了......
2008年，绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b：热生长／薄膜／掺杂／刻蚀。表FEP4的变动受到新的ORTC......
《器件物理》作为电子科学与技术专业的重要专业基础课,对学生掌握信息技术、提高专业技能至关重要。本文通过对课程特点及本专业......
金属──氧化硅──硅（ＭＯＳ）器件物理研究郑耀宗（香港城市理工学院）早在２０年代初期，场效应晶体管的概念已经发展。然而，由于当时的工艺条件尚未......
2018年4月10日晚,万众瞩目的“教育,因你而奋进——2017上海教育年度新闻人物颁奖主题活动”在上海教育电视台举行,华东师范大学褚......
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一......
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发，采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法，建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计......
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型．基于此，美国Berkeley......
具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料......
1引言非制冷红外焦平面探测器,由于具有使用方便、室温工作、响应频谱宽、可低成本大批量生产等优点,可广泛地应用于工业、农业、......
李树深,男,汉族,河北人,中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师,中国科学院院士、发展中国家科学院院士,半导体器件物理专家,......
＂2010年我国太阳能电池组件的产量达8GW,占世界总产量的50%,但只有0.4GW用在国内,占世界的2.5%。我们消耗了大量能源制造了低碳产品......
