单粒子翻转相关论文
随着集成电路（IC）制造技术向深纳米技术时代发展,电路的集成度和性能得到了显著改善。然而,随着电路节点的临界电荷随着电路集成规模......
太空环境中,含有大量的高能粒子,工作在航天器上的SRAM型FPGA会受到这些高能粒子的辐射,造成电路发生单粒子翻转,导致FPGA上的电路......
航天科技发展的近十年中,卫星发射升空到达预定轨道作业的整个过程每一步都具有挑战性,尤其是当卫星在空间环境作业时遇到的未知因......
宇宙空间存在多种高能粒子,这些高能粒子进入半导体器件会引发辐射效应并最终导致电子系统失效,其中总剂量效应和单粒子效应是两种......
随着FPGA片内纠检错技术的发展,Xilinx公司在旗下的SRAM型FPGA上应用了一种名为软错误修复(SEM)的加固技术,大幅提升了配置RAM的单......
单粒子翻转(SEU)是影响空间电子设备可靠性的重要因素,本文提出了一种SEU甄别与定位技术方法,研制了原理样机.硅探测器与辐照敏感......
国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产.针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成......
卫星上常用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件易受到空间环境中高能粒子辐射发生单粒子翻转,从而可能导致电路......
针对MEO轨道空间粒子辐射对卫星在轨运行时产生的多种辐射效应,在北斗三号导航卫星M15/M16上配置了高能质子及单粒子风险监测载荷.......
单粒子翻转会使锁存器、触发器等电路中的逻辑值发生瞬态变化,影响芯片的可靠性。而且随着摩尔定律的发展,单粒子翻转正变得越发严......
为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,......
工作于空间辐射环境中的半导体器件因有源区受到高能粒子轰击而产生的单粒子效应是影响航天器件可靠性的重要因素。随着数字集成电......
空天应用集成电路通常需要工作在恶劣的空间辐射环境中,因此会受到太空中高能粒子轰击从而引发辐射效应。美国国家地理数据中心（NGD......
为了降低数字信号处理器(DSP)电路在太空中发生单粒子翻转事件,本文从触发器单元、存储模块及电路系统三个层面论述了 DSP的抗单粒......
使用西北核技术研究所自主研制的存储器辐射效应测试系统,选取了0.25 μm 工艺4M 容量和0.13 μm 工艺16M容量的CMOS随机静态存储......
本文首先介绍了计算质子单粒子翻转(SEU)率的三种模型——优质因素(FOM)模型、J.Barak的模型和Philippe Calvel的模型，然后对通过重......
本文设计了一种用(16,8)准循环码实现的EDAC电路,能够自动纠正两个错误,比(22,16)扩展汉明码差错率小4~7个数量级,可用来更有效地......
电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU)，而致使CMOS APS不能正......
在西安脉冲反应堆开展了特征尺寸为0.18μm尺寸的SRAM型FPGA中子辐射效应实验研究,通过在线测试方式,得到了功能错误、配置存储器......
宇航半导体器件运行在一个复杂的辐射空间环境中,质子是空间中各种射线的主要组成部分,因而质子对半导体器件的辐射效应研究一直受......
2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第四十七研究所三家单位联合协作在国内首次......
本文利用实验室从俄罗斯引进的激光模拟单粒子效应试验系统,初步进行了大规模集成电路Intel386EX单片机单粒子效应的地面模拟试验......
本文对星载电子器件和集成电路空间高能质子单粒子翻转率计算方法进行了研究.系统地分析总结了十三种主要计算质子单粒子翻转率的......
用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上建立分析器件SEU的可靠手段.对MOSFET漏区模拟得......
随着集成电路工艺尺寸的不断缩小,辐射引起的软错误已经成为影响芯片可靠性的重要因素之一.为了减轻辐射环境中D触发器受单粒子翻......
本文根据CMOS器件单粒子闩锁、单粒子翻转和总剂量的机理和测试方法,以CMOS加固SRAM为对象,研制了SRAM辐射效应测试系统,可在多种......
SRAM型胚胎电子细胞在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU,Single Event Upset)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列......
单粒子翻转是计算机中的元器件受到高能粒子的照射,引起的电位状态跳变,使器件逻辑状态翻转的现象.故障注入是研究针对单粒子翻转......
针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重......
计算分析了高能质子与硅材料核反应产生次级粒子的种类、线性能量传输值和射程,仿真研究了低能质子直接电离的能量沉积与单粒子翻......
针对空间用SRAM型FPGA器件抗单粒子效应性能全面测试评估的要求,研究内部不同资源电路结构的单粒子效应敏感性及测试方法,利用重离......
空间单粒子翻转(SEU)对于在轨卫星寿命和可靠性有着较大的影响,然而,针对低轨互联网卫星1000～1200 km的典型极地轨道空间SEU,目前缺......
SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一.提出了两种SRAM读出......
随着半导体工艺节点遵循摩尔定律逐渐缩小,空间环境中辐射诱发的单粒子效应(Single Event Effect,SEE)对集成电路造成的影响却在不......
随着制造工艺技术的不断发展，器件的结构尺寸不断缩小，存储单元灵敏区的体积及其发生单粒子翻转的临界能量随之减小，高能粒子辐照......
本文详细地介绍了地面评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性试验方法,试验系统的软硬件组成及试验系统的研制.利用脉冲激光,重离子,锎源三......
本文首先对集成电路中的单粒子翻转(SEU)的失效物理机理做分析,在此基础上对存储器和组合电路等主要,同时也是SEU现象较多的的集成......
文章介绍了激光模拟单粒子效应试验新技术的原理及试验方法,主要结合我们实验室从俄罗斯引进的激光模拟单粒子效应试验系统,总结了......
在航天器设计中,为了减少单粒子翻转效应的影响,星载微处理器的存储单元采用检错和纠错(EDAC)设计。SPRAC V8体系的32位微处理器AT......
针对空间粒子辐射效应评价中的多因素影响问题,提出了端到端数据驱动方法预测多因素条件下的单粒子翻转截面。首先通过卷积神经网......
...
Monte Carlo simulation results are reported on the single event upset(SEU) triggered by the direct ionization effect of ......
介绍了中小规模逻辑电路的单粒子效应实验。单粒子效应实验是在中国原子能科学研究院核物理国家实验室的ＨＩ－１３型串列加速器上完成的。用......
SRAM型FPGA在空间辐照环境下,容易受到单粒子效应的影响,导致FPGA存储单元发生位翻转,翻转达到一定程度会导致功能错误。为了评估F......
基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应......
使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现......
