随着半导体制造工艺的飞速发展,集成电路工艺尺寸越来越小,硅片有效面积寸土寸金,深槽隔离技术开始被广泛应用于特殊器件的隔离工......

在阳极膜上进行各项异性腐蚀硅深槽,采用外延方式生长多晶硅,进行填槽,再对表面进行化学机械抛光,实现了槽隔离的批量化生产.......

针对0.35μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_(t......

该文介绍了关于硅栅ＣＭＯＳ深槽隔离技术的测试器件、电路、图形的版图设计研究。...

利用电荷泵自举原理,提出一种新颖的CMOS驱动电路。该电路在输入信号未进行开关操作时对电容充电,在开关操作发生时,由电荷泵电容......

本文简要回顾了双极型集成电路隔离技术的发展,着重分析讨论了八十年代发展起来的深槽隔离技术及其在双极型集成电路中的应用。......

本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度......

报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择......

目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为......

瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,它具有箝位系数很小,体积小,响应快,漏电流小,可靠性高等优点,因......

在超高速集成电路领域中硅双极技术占有重要的地位,这是因为双极器件比MOS器件具有更强的驱动能力,更大的跨导和更快的速度。近年......