基极电流相关论文
半导体发光二极管是一种将电能转化成光能的半导体器件,它具有工作电压低(1.5～3伏),工作电流小(10～30毫安)灵敏度高,安全
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从比较运算的角度重新定义了Boole代数中的与、或、非等3种基本运算,并根据电压信号易于实现比较运算的特点分析了双极型晶体管发......
东风4型内燃机车磁场削弱的自动过渡是采用晶体管电路,并根据机车运行速度而控制的。在目前所使用的各种方案中,由于对机车在运用......
电子技术的应用越来越广，电子技术基础知识在中学物理教材中占有相当的比重。因此，在物理教学中应当联系这门科学在技术中的实际应用......
本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数......
用电池供电的便携式产品的日益普及使得节省电源的需要显得更加突出,这就需要部分电路在不使用时能够被关闭.例如,当便携式计算机......
本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数及ＮＰＮ管基区横向电阻值随电流密度变化的解析模型，并据......
XOR门芯片曾经由于价格或尺寸 的原因而不能普遍使用。一种可 供选用的方法是象附图所示的那样把两只晶体管组合在一起,构成价格......
在晶体三极管的实验或使用中,不时要涉及到一些晶体三级管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题。本文从理论上进行......
无线电爱好者都熟悉CW9300音乐集成块,它的芯片虽然很小,但里面却有很多晶体管组成的各种振荡、放大、存储等电路。本实验电路就......
有时需要一个能在高压工作的可 调并联调节器。在高压时,用多 个晶体管串联在一起可克服安全工作区(SOA)限制,比并联配置有效得多......
对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析，并研究了各自的温度特性，在此基础上，设计并研制出一种多晶硅发......
通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提......
介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供......
开关电源稳压器又称开关模式直 流-直流变换器,是效率很高、但 噪声很大的器件。开关管快速上升的电压和电流脉冲产生的噪声表现......
光电子学：又一次技术革命１９４８年晶体管的发明被誉为是一种创新技术事件。它的影响海啸般地横扫了电子产业界，产生了后来的便携式电视、口......
在继电器控制电路中,有时需要继电器有自保功能,即有控制信号时继电器吸合,当控制信号去掉以后继电器仍保持吸合状态。例如,在防......
对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）中宽基区、低增益ｐｎｐ晶体管与普通高增益晶体管之间的差异进行了综合分析，结果表明，ＩＧＢＴ的工作特性必须采用双极传输理论......
借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ＩＧＢＴ完全相同，但瞬态时，由于Ｎ＋阳极对基区非平衡......
晶体管已广泛应用于社会生产及日常生活的各个领域,各种简单实用的晶体管电路及小产品越来越多。下面介绍几种简单的三极管应用电......
阴极图形对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆＣａｔｈｏｄｅＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｎｄｉ／ｄｔＣａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＴｈｙｒｉｓｔｏｒ￥／／清华大学王晓彬，王培清，张斌（北京１０２２０１）１前言ｄｉ／ｄｔ...
Effect of Cathode Pattern on High Frequency Thyristor di ......
第七讲 晶体三极管(上) 晶体三极管又叫半导体三极管,通常简称为晶体管或三极管。三极管大都是具有3个外部电极(引出脚)的半导体......
给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
The experimental resul......
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较......
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．
Consid......
从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发，推导出了基区少数载流子浓度的解析解，由此获得了基区各种复合电流的解析表达......
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体......
在考虑了重掺杂效应、异质结势垒效应、各物理量随温度变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电......
在ＳｉＢＪＴＥＭ模型基础上，对其直流参数进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的直流特性：电流增益不是常量和自热效应．计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流......
分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性，测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明，存在一个饱和压降阈值......
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β......
介绍一种由红外技术运用于家用电器的控制电路。该电路具有电路简单，成本低，体积小，易于安装调试，使用方便等优点；广泛运用于电扇的转速......
大家知道,交流电经过整流之后变为脉动的直流电,其中包含大量的交流成份。为了获得比较平滑的直流电压,必须通过滤波器进行滤波。......
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越......
在电路结构方面,有时需要利用三极管中NPN型、PNP型管各自的特点来组成一个综合器件(称为复合管),这种将两只或
In the circuit ......
(5)场效应管与晶体三极管的比较: ①晶体三极管在正常放大工作状态,其发射结为正向偏置,输入端需要向信号源吸取电流,其输出电流......
本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件......
在大功率晶体管变换器中 ,驱动电路是整个功率变换器的关键。驱动电路设计的如何 ,直接关系到整个功率变换器的工作状况。本文介绍......
本文介绍的充电装置主要是针对高校、职业技术学校等教学容量大、授课教师使用的无线话筒中的电池进行充电而设计的。整个电路经......
据了解,很多初涉电子制作的爱好者,对三极管如何放大交流信号不十分明白,影响了对电子电路的认知和分析。本人经过学习和探索,总......
