碲镉汞相关论文
针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结，并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺......
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双......
高帧频中波制冷红外探测器在机载光电吊舱、红外警戒系统、光电跟踪瞄准系统中有着广泛应用。传统的碲镉汞中波制冷红外探测器在保......
碲镉汞材料为窄禁带半导体，随着工作温度的升高，材料本征载流子浓度会增加，探测器截止波长会变短，暗电流增加等，会导致器件性能降低。碲......
碲镉汞雪崩光电二极管（HgCdTe APD）因其具有高增益、高带宽、高量子效率、低噪声的优良性能，在主动/被动成像、激光雷达、波前传感和......
研究了脉宽对于中红外脉冲激光带内损伤碲镉汞(HgCdTe)材料阈值的影响,使用一维自洽模型对激光辐照HgCdTe材料程中的载流子数密度,......
p-on-n结构的碲镉汞红外探测器具有长的少子寿命、低暗电流、高R0A值等优点,是高温器件、长波甚长波器件发展的重要器件结构.而国......
随着红外技术的进步,红外探测器组件向着更小尺寸、更高分辨率的方向发展.小像元间距、大面阵规格是长波探测器发展的重要方向.通......
金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分,对器件的性能与稳定性影响较大.然而在碲镉汞金属化过程中,金属离子能量较......
碲镉汞红外探测器具有波段覆盖宽、灵敏度高等优越性能,是航天遥感、天文科学等领域的红外探测的首选。随着红外探测与成像的空间......
碲镉汞由于其高量子效率、高工作温度范围、禁带宽度连续可调、电子迁移率高等优点成为高速、高分辨率、高光谱探测应用领域最具竞......
将相平衡形成母液法和碲化汞补偿合成母液法结合起来,探索出一种液相外延生长碲镉汞薄膜的新方法.利用该方法,生长出来的碲镉汞外......
碲镉汞（MCT）是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜：MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面......
甚长波指的是波长大于14 μm的波段,该波段富含大量的信息,包括大气中的湿度和CO2的含量,以及云层的结构和温度的轮廓,这些对大气......
本文采用椭圆偏振技术,对液相外延(LPE)生长的碲镉汞薄膜材料的组分及其组分的纵向分布进行了测量和研究.结果发现经P型热处理后的......
文章报道了基于分子束外延碲镉汞(MCT)短/中波双色材料、器件的最新进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材......
报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,分析HgCdTe材料大缺陷形成原因并......
会议
该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这......
Ar束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析，通过介质膜对n-HgCdTe光导......
为了解决小光敏元器件由于裸露在外的侧面占的比例大,易发生Hg溢出,对器件性能影响大的问题,在芯片制备过程中采用先刻蚀图形,再进......
p-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环......
As掺杂HgCdTe薄膜材料在研制高工作温度(HOT)红外探测器方面有着特殊的用途, 能够有效抑制高温下产生的复合电流。富Te液相外延中A......
报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
经过多年的研发工作，制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力，其阵列规格也从最初的......
本文简要介绍了 nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了 nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞 n......
介绍了高光谱用长波1024×256红外焦平面探测器组件的研究结果.长波红外焦平面探测器芯片基于液相外延碲隔汞薄膜材料制造,读出电......
本文介绍了一种专用于红外器件ZnS/CdTe双层钝化膜工艺的群集式磁控溅射设备.通过正交实验探索不同靶基距、靶偏心距对薄膜均匀性......
红外探测技术在激光测距、成像、遥感、夜视等领域有重要应用,降低红外光电探测器的尺寸、重量、功耗和成本,以及提高探测器的性能......
本文介绍了一种专用于红外器件ZnS/CdTe双层钝化膜工艺的群集式磁控溅射设备。通过正交实验探索不同靶基距、靶偏心距对薄膜均匀性......
赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,HgxCd1-xTe)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。......
本文概要叙述了128元长波碲镉汞焦平面器件的原理及研制工艺；CMOS互连后测试结果：峰值Dλ＝3．4×1010cmHz1／2W－1，Rvλ＝1．2×108V／W，利用128元长......
Graseby Infrared公司在制备1至30μm光谱区上红外探测器中已积累了35年的经验,可提供一整套的红外探测器及附件。探测器产品的范......
本文简单叙述长波１６０元光导碲镉汞红外探测器，３～５μｍ锑化铟和８～１２μｍ光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程，性能和使用情况。
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采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶......
目前,有关方面正着手研究制定“九五”及以后的各专业技术科技发展规划。本文就红外技术基础—红外探测器技术的重要性、特点及其......
1994年10月,以色列的S.C.D半导体器件公司(Semi-Conductor Devices)组团参加了在北京国际展览中心举办的国际光电技术讨论会(IOPS......
本文介绍了在PTR测量中,采有编程控制技术控制锁相放大器,采集并实时处理实验数据,抑制背景随机噪声,提高实验精度的方法,并给出了......
由YBa_2Cu_3O_x(YBCO)超导形成的测辐射热计探测器正在接近碲镉汞(HgCdTe)探测器的红外灵敏度,且波长范围延伸到大于15μm,无碲镉......
数十年来,澳大利亚红外技术的发展主要体现在两种传感器技术上:一种是由国防科学和技术机构(DSTO)开创的非致冷印刷硅片测辐射热传......
(括号外数字为期数,括号内数字为该期页次)(一)红外材料波长变换用非线性光学单晶…….……4(21)非线性光学材料薄膜合成成功.……......
变温霍耳测量和电阻率测量,已被用于监测硼元素穿透p型碲镉汞材料上光化学生成的SiO_2薄膜后对其载流子行为的影响,证明形成了n型......
砷镓铟焦平面列阵为用于监视、光谱学和热成象技术的近红外成象摄象机提供了传感器。
The indium gallium arsenide focal plane ......
介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具......
文中报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均......
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖......
采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T......
