过剩载流子相关论文
本文针对新一代微电路PN结结构提出了增强光电流模型.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命......
本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究......
本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种......
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新......
叙述了激光辐照对红外系统的致盲作用，介绍了红外系统对抗激光致盲的几种方法
The blinding effect of laser irradiation on infr......
重掺杂半导体的反射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂......
扫描电子声显微镜是近几年国际上发展起来的一种新型的显微观察与成像工具，由于它的成像机理与以往的扫描电镜完全不同，特别是它能进......
本文对低温下激光与ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光照射后将产生的记忆效应进行了研究。根据本文提出的激光诱导激子的物理模型，得到了ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光作用时电导......
简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验，对比了辐照前后器件的关断特性。
A brief ......
简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０ＶＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致......
通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断......
发射极关断(ETO)晶闸管是一种新型MOS可控晶闸管。由于它改善了开关性能,容易控制,因此适用于大功率变流器。文章分析了ETO的初次......
文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5kV二极管。为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的......
介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技......
为建立载流子辐射检测Si基太阳能电池的理论模型，基于太阳能电池非线性耦合方程对调制激光激励下Si太阳能电池过剩少数载流子的空间......
本文着重讨论了载流子注入半导体制冷的关系，并且对其制冷性能进行了比较分析。
This paper focuses on the relationship between......
用可变的周界区域逼近法,以及用园柱形近似把少数载流子电流表示为径向电流之和来研究双扩散双极晶体管自发射极周界向基区的注入......
本文推导出具有短沟道长度的结栅场效应晶体管的两段模型。在此模型中,导电沟道分为源段和漏段。在源段假设包含有热电子效应修正......
用GaAs做双极晶体管时,它的某些材料参数优于硅和锗,另一个优点是可利用GaAlAs/GaAs异质结晶体管的宽禁带发射极原理。目前已制出......
用强度可调制的光照射肖特基接触,对其短路光电流与频率的关系进行了研究。从光电流的幅度和相移都可得到在接触下面的层中的少数......
引言 对于超大规模集成电路(VlSI)的部件来说,必须要求芯片有高的表面寿命,因为在一个长时期内,需要维持一定的注入电荷。然而,应......
讨论了影响0.1eVHgCdTe光导器件性能的因素,除考虑表面复合和背景辐射外,还考虑了器件不同厚度对其性能的影响,从过剩载流子的连......
从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,......
《电子学和电子物理学进展》第67卷涉及前几卷内容中有代表性的专题,并增加三个章节,介绍有关成象理论和成象处理的内容。电子学......
红外焦平面器件是遥感应用卫星对地观测平台的关键器件，当前我国对高分辨率、高灵敏度空间红外焦平面相机的需求十分迫切。我所对空......
<正>IGBT具有不同的内部结构,不同的特性,因此也对应着不同的应用要求。本文将详细地介绍这些不同的结构,同时,论述这些结构的特性......
利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析．所用样品采用PECVD技术制备，微波吸收测量采用脉......
重掺杂半导体的以射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂......
红外通信由红外发射二极管(IRED)发射二进制信号进行数据传输.然而红外光传输速率为1.152 Mbps(IrDA规范的MIR速率)时,发射管“熄......
