GaN薄膜的太赫兹光谱研究

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tcwf2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4~1.0THz波段的透射光谱,该样品采用金属有机物化学汽相淀积系统生长在蓝宝石衬底上。本文通过对双层膜的光学传输的研究,利用透射光谱的实验数据,由计算机程序计算得到了生长在蓝宝石衬底上的GaN薄膜在室温氮气环境下太赫兹波段的折射率与消光系数的数值解。
其他文献
本文提出波达方向估计的匹配加权子空间拟合算法(MWSF),通过信源相干结构的先验知识,构造相干源导向矢量.在信源间相关系数匹配的情况下,算法对相干信源的分辨力强于传统的加权子空间拟合算法,估计的均方误差远小于传统的加权子空间拟合算法,同时在相干信源组个数小于阵元个数的情况下,可以分辨任意多个目标.计算机仿真实验证明了算法的有效性.
本文提出多径散射点的线性约束,并用之推导了非直达波定位的线性解.尽管该约束源自移动台相对于多径散射物的多普勒频移特性,但在定位方程中并未使用多普勒频移测量.
本文对直升机载毫米波雷达的地杂波特性进行了详细分析,针对直升机的具体参数,采用对距离-多谱勒数据进行统计平均,实现了杂波谱中心和谱宽的估计,并对相应的杂波抑制方法进行了探讨,最后通过计算机仿真验证了理论分析的正确性.
本文首先提出了一种较文献[1][3]更灵活的数据模型,随后给出了与新模型相对应的稳健算法,我们称之为RASaS(Robust Adaptive SaS).
本文讨论了一种基于解析小波变换的分析方法.通过使用基小波的解析形式,能够从小波变换结果中提取出回波脉冲的形状和位置信息,克服了传统的匹配滤波由于缺乏先验信息而不能检测UWB冲激脉冲的局限.对变换后的系数采用一种四阶累计量的阈值方法,能够有效提高噪声比并且重构脉冲信号;进而可以估计出分散点目标的回波时延,有利于进一步的超宽带雷达的距离像处理.
本文提出了针对地波综合孔径脉冲雷达的发射波束进行超分辨处理的方法,分析表明,该雷达的各发射信号载频不同情况下的数据模型与常规接收阵元不均匀放置情况下的模型等效.仿真结果表明接收端可以对发射波束进行超分辨处理,有利于提高雷达的角分辨能力和测角精度.
本文探讨了在工程实际中提高广义副瓣干扰对消算法性能的方法.当雷达存在通道间幅度和相位不一致时,提出了一种沿阵列边沿选取差波束通道抽取的方法,通过计算机仿真与随机抽取的方法进行了对比,证明了所给出方法的有效性.
本文从线性完整变换的定义出发,首先阐述了它的基本性质,然后就其离散形式进行了讨论,最后对线性完整变换的应用作了举例说明.
我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们发现采用渐变模式的样品与没有采用渐变模式的样品相比,晶体质量和表面平整度都有所提高,并且随着TMA渐变率的增大。样品的位错密度不断减小,样品的表面形貌进一步改善。
本文利用分子束外延方法,存MOCVD生长的GaN模板上生长出高质量、超甲坦的In极性InN薄膜,10μm×10μm见方的表面平整度(rms)值约为1μm。在此基础上,利用金属Mg作为p型掺杂剂进行了p型掺杂的研究工作。实验上发现了高Mg掺杂下的极性反转行为,观察到Mg掺杂对InN薄膜的晶体质量和发光性质的显著影响,通过测试不同Mg掺杂组分下InN的光荧光谱得到了Mg在InN的激活能,通过电化学CV