GaAlAs相关论文
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分束延生长法生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半......
通过长波ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡＳ量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统ＨｇＣｄＴｅ探测器的比较，直接地显示了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器在红外焦平面......
报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。
The fabrication and experimental......
利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在......
本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关......
基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式．针对带缓冲层ＧａＡｌＡｓ可见光激光器计算得到的有源层应......
简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着......
研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式Δβ耦合器．通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量......
本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长......
本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一......
对于单模ＧａＡｌＡｓ半导体激光器，使用一种简单的闪耀光栅外部弱反馈构型，迫使其工作在８５２．１１ｎｍ波长处，得到了２．２ＧＨｚ的频率连续调谐范围，获得的输出功率约为半导......
本文报导了为提高ＧａＡｌＡｓ双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色ＬＥＤ的发光强度为４００ｍｃｄ，由于电极制作......
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,......
近十年来,GaAlAs双异质结激光器的可靠性有了相当大的提高。这是由于通过大量的实验,消除了下述退化机构,a)体内退化。这种退化主......
日本索尼中央研究所用有机化合物热分解反应的气相生长法,制成了在可见光区可获得室温连续振荡的半导体激光器.室温连续振荡的最......
富士通公司的川琦实验室研究和发展了一种新的半导体制造工艺。在十年内,这一新成果,可帮
Fujitsu's Chuanqi laboratory to stu......
采用发射区掺杂很低的液相外延作出了GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。研究了一种扩散外延结构。I_c=10mA时,测出的转移频率接......
在半绝缘衬底上采用分子束外延(MBE)技术已得到e-b结是突变的GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。在I_C=20mA、V_(CE)=8V下已测出......
本文采用弹道电子运动概念,提出了一种新颖的异质结双极晶体管结构。电子克服了导带势垒峰值(......
GaAlAs隐埋异质结激光器已经和双极晶体管实现单片集成。异质结晶体管是通过激光器的掩埋层进行再生长形成的。激光器阈值电流的典......
发光二极管是一种微小的光源,广泛地应用在各种显示装置中,但在发光效率,功耗等方面未必都能满足要求。 该GaAlAs发光二极管是采......
已获得室温连续工作的可见光GaAlAs激光器,激射波长～7600A|°.其电光参数与红外光GaAlAs激光器相似,红外光GaAlAs激光器激射波长～880......
一、引言随着光纤通讯和集成光学的飞速发展,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延技术也得到了很大的进展,并成功地研制出了寿命六百万......
本文简要介绍对GaAsP和GaAlAs两种发光器件进行热激电容和热激电流的测量。看重介绍用电桥电路和锁相放大器测量热激电容的方法,并......
本文报告用相平衡理论计算溶液配比,结合近平衡生长法制备四层结构的GaAlAs双异质结激光器,证明理论计算与实验结果是一致的。通过......
对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓......
本文报道了用电调制反射光谱法测量GaA1As的能隙与组份的依赖关系,以及外延薄层和异质结界面处组份的纵向分布。利用样品在紫外区......
采用可重复制作技术,经MBE生长异质结构制造了GaAs-GaAlAs单模相位调制器。对长4.2mm的器件,在9伏下得到π相位漂移。当内光学损耗......
波长为650～660nm的Ga_(1-x)Al_xAs红光二极管,由于在室外显示、交叉路口信号灯及作为塑料光纤通信的光源等方面的新应用而得到发展......
本文用自制的TMGa、TMAl和外延设备研究了MOCVD生长GaAs、Ga-AlAs,并用SiH_4进行了n型掺杂实验。分析了生长条件对GaAs外延层生长......
本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合......
首次建成了一条采用温差溶液生长法原理的GaAlAs发光二极管(LED)批量生产线,该法属于液相外延生长范畴。随着GaAlAs结晶质量的改善......
本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性，计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数，在上述分析的......
本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控......
本文报道了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱（ＭＱＷ）双区共腔（ＣＣＴＳ）结构的双稳态激光器．该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏电压时得......
应用ＬＰＥ法成功地制出了Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层结构材料，讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为，测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质，井观察了材料......
本文用DLTS和瞬态单电容技术研究了液相外延生长的GaAlAs/GaAs有源层掺Si器件的深能级，用红外显微镜测量了近场EL图像，研究了深能级......
报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。......
首次建成了一条采用温差溶液生长法原理的GaAlAs发光二极管(LED)批量生产线,该法属于液相外延生长范畴。随着GaAlAs结晶质量的改善......
<正> 异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs......
