氮化镓薄膜相关论文
第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在600℃下在蓝宝石衬底上外延生长了GaN薄膜,研究了热氧化温度对GaN薄膜的微观结构和光学特性......
期刊
基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED),以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)被制备出来。......
太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本......
采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究，通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究，发现GaN的晶体质量对AIN缓冲甚的晶体质量有明显的依赖......
在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分......
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。......
采用理论分析和有限元数值模拟方法,研究了GaN薄膜/Si基底结构中GaN薄膜的断裂问题.结果表明,对于几种典型几何构形,残余应力正比......
Nonpolar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire by metal-organic chemical vapor depositio......
Temperature dependence of the point defect properties of GaN thin films studied by terahertz time-do
绝缘的功能为温度和 10-300 K 的频率范围轧了， 0.3-1 THz 被获得使用兆兆赫时间域光谱学。有在各种各样的温度的绝缘的功能的摆动，......
研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz......
以氮化镓(gallium nitride,GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料,由于其优良的光学(带隙宽度可调:0.67-6.2 eV)和电学(高击穿电场......
学位
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料,因其优异的光电性能和稳定性,十分适合制备光电子器件和微波射频器件,在照明与显示......
GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,广泛用于制备高亮度LED、半导体激光器和大功率电子设备。在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长的GaN由于......
氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的光电性能和稳定性,十分适合制备光电子器件和微波射频器件,在照明显示、5G通信、......
氮化镓（ＧａＮ）是一种优良的兰色发光半导体材料。该文作者采用反应离化簇团束方法（Ｒ－ＩＣＢＤ）在Ｓｉ（１１１）衬底上用较低的衬底温度（４００℃）得到了氮化镓薄膜，用Ｘ光电子能......
Prefer-oriented and fine grained polycrystalline GaN films are prepared by plasma enhanced metal organic chemical vapour......
氮化镓(GaN)材料已成为宽带隙半导体材料中一颗璀璨的明珠,它的研究与应用是现今全球半导体研究的前沿和热点。目前,金属有机物化......
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用......
近年来,宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注,生长......
本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预......
直接带隙宽禁带半导体材料GaN是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要材料之一,深受国际上的关注。因此,GaN材料的研究已成......
近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN/GaN LED在晶体生长、薄膜制备以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显......
氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带(3.4 eV)半导体材料,因其独特的特性被广泛的利用在很多领域如在光电子方面GaN基的高效率蓝绿光L......
针对高温环境下在蓝宝石衬底上生长完毕的氮化镓薄膜冷却下来时，常常会在热错配应力的驱动下破裂和膜基体系可能发生翘曲的问题，以及......
近年来，氮化镓(GaN)材料越来越受到人们的关注。它具有很多优点：禁带宽，是直接带隙材料，电子饱和速率高，导热性能好，击穿电场高，介电常数......
近年来GaN基LED等光电子器件得到迅猛发展,目前商品化生产的LED器件是在α-Al2O3和SiC等衬底上制作的,然而在这些衬底上制备的器件......
目前主流的制备氮化镓(GaN)材料的方法是在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上通过金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或......
本文中实验采用金属有机物化学气相沉积方法制备GaN薄膜，在实验过程中，首先使用电子回旋共振等离子体技术，在反应室中产生了活性物种......
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿结构，在室温下的禁带宽度为3.39 eV，在光电子和微电子领域的应用前景广......
GaN基材料一般生长在蓝宝石衬底上，由于其大的晶格失配和热失配使生长的材料具有高的位错密度，这也限制了GaN基材料应用。特别是对于......
我们发展的蓝宝石图形衬底湿法刻蚀以及基于其上的GaN侧向外延方法，GaN悬桥外延，克服了多种传统侧向外延方法各自难以克服的困难，得到......
本论文的主要内容是在激光和等离子体特性研究的基础上进行激光和等离子体的应用探索，摸索一种新的材料制备方法—基于电子回旋共振......
GaN基材料具有禁带宽度大、电子漂移饱和速率高、介电常数小、导热性能好等特点,非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电......
采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTI......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术,以自支撑金刚石厚膜作为衬底,改变缓冲层参数条件,低温沉积氮化镓（Ga N）......
采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺，以氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在蓝宝石衬底α—Al2O3的（0001）面上低温生长了GaN薄膜。薄......
利用化学气相沉积法（CVD），分别以三氧化二镓（Ga2O3）和氨气（NH3）为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓（GaN）薄膜，实验中没有......
采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备GaN薄膜，并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱（FTIR）、X......
主要讨论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主......
用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间.用扫描电镜(......
