掺硼相关论文
自1990 年Canham 在多孔硅发现了可见光的光致发光以来，[1]人们对Si纳米晶镶嵌SiO2 的光学特性投入了大量的研究工作。由于本征薄膜......
会议
用 Landauer 形式主义，那联合非平衡草地功能和第一原则的密度功能的理论，一个一个维的分子的连接的电子运输性质基于有硼在各种各样......
掺硼金刚石膜(BDD)电极是一种理想的用于电化学分析微量重金属离子的非汞电极,选择合适的BDD电极类型和探索简便的活化BDD电极的方......
掺硼金刚石薄膜电极（BDD）电极具有良好的导电性、极宽的电化学窗口、非常低的背景电流、极高的物理和化学稳定性及抗腐蚀性能等特性......
重掺杂对硅锗基区带隙的影响＝ＥｆｆｅｃｔｏｆｈｅａｖｙｄｏｐｉｎｇｏｎｂａｎｄｇａｐｉｎＳｉＧｅｂａｓｅｒｅｇｉｏｎｓ［刊，英］／Ｍａｎｎｉｎｇ，Ｂ．Ｍ．…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３，１１（３）．－１１９０～１１９２根据实验器...
Effect of heavily doped silicon germanium base band gap = Effectofheavydo......
为增加馄饨皮的韧性,让馄饨吃起来口感更佳,馄饨店老板漆新泉竟然将非食品原料硼砂掺入馄饨皮中。经湖南省汉寿县检察院提起公诉。......
小角晶界是重掺硼直拉单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前......
研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原......
目的 为了提高中子探测器低能及中能区的能量分辨率,为现场剂量防护仪表校准提供依据,提出了一种改进型多球中子谱仪.方法 谱仪采......
以BDD为阳极,不锈钢为阴极,利用BDD电极良好的电化学特性研究BDD电极对含藻水的电化学氧化效果。考察了电流密度、极水比(A/V)、极......
本文应用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD)进行了一维纳米材料的制备.以Fe304纳米粒子为催化剂,采用不同的气源......
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在钛基片上沉积了掺硼金刚石薄膜,并对掺杂前后的薄膜形貌及结构进行了检测。结果表明掺......
用光透射法测得了 p-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度。对于与隙态有关的弱吸收区,利用 Mott-Davis 近似和隙态为高斯分布的假设,得......
采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_(ph)/σ_d)达到10_6量......
研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为......
草酸盐制备的γ-FeO_3磁粉(L≈0.15～0.2μm,L/D≈2～5),矫顽力为400 O_e。将硼掺入草酸盐中来保持粒子的形状。研究了这种元素在不同......
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果......
利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬......
河北省自然科学基金项目（基金号：５９６０３１）课题“重掺锑硅单晶中氧沉淀行为及机制研究”，日前通过河北省科委组织的技术鉴定．该课题是由刘彩池副......
金刚石不但作为宝右,而且利用它的硬度还有各种各样的用途。在电子学领域中正使用金刚石作为避免激光二极管过热的热沉。但构成金......
我们的工作是对硅片掺B后进行激光处理,而后X光发散束Kossel线方法和Ven den Bor方法进行测量。硅片重掺杂后,在片子的表面200A薄......
一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重......
本文介绍用电子束掺杂形成浅结的方法和实验结果,给出了结深在0.1～0.2μm的掺磷、掺硼、掺砷的掺杂层的载流子沿深度方向的分布曲线......
很多人在SiC中已观察到可见和近红外区的多种型式的光致发光。 用石墨坩埚在1550℃硅熔液中已生长出β-SiC晶体。石墨坩埚有内壁......
一、引言Kolomiets等人在对硫系玻璃进行了多年研究的基础上曾经指出,对玻璃材料很难通过掺杂的方式改变导电类型和电阻率。因此,......
离子注入NMOS的制作工艺 本工艺与前面介绍的PMOS、CMOS工艺大同小异,本文仅就不同之处作一叙述,以供参考。 1.NMOS硅片材料规格 ......
近些年来,由于非晶硅太阳能电池及其它非晶器件的新颖性引起人们的极大兴趣。在非晶硅器件的研制过程中,置换性掺杂是一项重要的......
本文测量了硼离子注入多晶硅薄膜经热退火及激光退火后的电学性质,并用晶界陷阱模型进行了理论计算。计算结果与实验符合。发现经......
本文介绍了旋涂乳胶扩散试验的原理、方法和初步结果,并对乳胶源的稳定性、扩散的均匀性和表面出现麻点花斑等问题进行了分析。
I......
本工作提出了一种利用液氮获得55°K绝对温度的简单方法,不需改装原设备,更不必增加昂贵设备.在此温度下测定了掺硼P型硅半导体材......
由于CMOS半导体器件具有功耗低、速度快等优点,得到了很大的发展。随着集成电路趋向大规模、超大规模化,CMOS工艺便被广泛采用。......
本文报道了用选择性低压化学汽相淀积钨和石墨快速退火降低金属与扩散形成的n~+、p~+浅结的接触电阻率.发现硼扩散或磷扩散浓度以......
The diffusion of impurities in a p-i-n solar cell is one of causes for the degradation of energy conversion efficiency. ......
本文报道了在不同条件下,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法制备掺硼硅薄膜的实验结果。实验发现:(1)反应气体流量是影响掺硼硅薄膜......
在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H......
用傅里叶变换光谱仪在15K和230～620cm~(-1)范围内研究了不同含Fe量的P型掺B多晶硅的远红外吸收光谱.观测和分析了Si中受主(B)基态到......
报道了一种模拟共振反应产额曲线的方法。利用~(11)B(p,d)~8Be在E_P= 163keV的共振反应,通过反应产额曲线的模拟研究了不同衬底温......
我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=[B_2H_6]/([Ar]十[H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。......
《固体工艺》1991年2月份报道,美国ASM外延工艺研究所宣称,该所已首次推出能淀积硅-锗合金外延材料的标准外延工艺设备——Epsilon......
以三氯化硼、甲烷和氢气的混合气体为前驱体,利用磁悬浮天平热重系统研究了850～1200℃区间内化学气相沉积掺硼碳的原位动力学。探索......
本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流......
