【摘 要】
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离子注入NMOS的制作工艺 本工艺与前面介绍的PMOS、CMOS工艺大同小异,本文仅就不同之处作一叙述,以供参考。 1.NMOS硅片材料规格 材料为掺硼P型硅,厚约0.02英寸±0.001英寸,
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离子注入NMOS的制作工艺 本工艺与前面介绍的PMOS、CMOS工艺大同小异,本文仅就不同之处作一叙述,以供参考。 1.NMOS硅片材料规格 材料为掺硼P型<100>硅,厚约0.02英寸±0.001英寸,电阻率为10Ω·cm+5Ω·cm(或-2Ω·cm),位错密度<500个/cm~2,平行度
Ion implantation NMOS manufacturing process The process described above and PMOS, CMOS processes are similar, this article only on the differences made a narrative, for reference. 1. The material specifications of the NMS silicon material are boron-doped P type <100> silicon with a thickness of about 0.02 inches ± 0.001 inches, a resistivity of 10 Ω · cm + 5 Ω · cm (or -2 Ω · cm), a dislocation density of <500 / cm ~ 2, parallelism
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