霍耳效应相关论文
采用Cu、In、Ga、Se一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜.XRD分析表明一步共蒸发法制备的CIGS薄膜基本消除了(In,Ga)2Se3相.霍耳效应分析......
用磁控溅射方法制备了系列(FeZrNbBCu)(AlO)颗粒膜样品.室温下在FeZrNbBCu体积百分比x=0.43时得到17.5μΩ cm的最大饱和霍耳电阻......
大学物理实验教学中应注重实验与理论有机结合,文章推导了有限长通电螺线管轴线上磁感应强度理论公式,并把计算得到的磁感应强度理......
物理实验教学是培养学生创新意识和能力的重要手段。在实验中引入物理学史、有趣的设计性内容和相关思考题目,以丰富实验内容,调动......
本期物理学研究热点论文因排名第6这篇论文的出现而重现生机。这篇文章报道了半导体自旋电子学（基于自旋的电子学）中的一个新的效应，......
启发式教学，是一个老生常谈的问题。很多人在这方面进行过不少的努力和探讨。但是往往把这种教学简单定位为教学方法。我认为这种定......
本文对用气态蒸发法制备的S_nO_2薄膜进行了基本物理特性的研究。试样薄膜的厚度为5000,利用霍耳效应测定其载流子浓度为4.99×1......
提出利用霍耳效应测量研究非晶态物质结构弛豫的方法。第一次实验研究了金属型非晶态InSb的结构弛豫,结果表明,霍耳效应测量是一种......
在高功率微波（ＨＰＭ）辐射下，２７系列ＥＰＲＯＭ存储器呈现出暂时失效及永久失效两种情况。进一步的研究表明，在较低功率密度电磁波辐射下，器件失效的主要原......
本文介绍了全自动“霍耳效应测试系统”的基本构成，并对每个分系统作了较为详细地描述。本系统具有测量样品类型全、数量多、测试速......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构．结果表明，改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０１３／ｃｍ２的室温二维空穴浓度．在......
磁敏二极管是基于霍耳效应研制出来的,其特点是体积小,灵敏度高。磁敏二极管外形如图1所示。较长的管脚为正极(P+区),较短的管脚......
研究了p－型异质外延和同质外延金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻，磁阻器件的结构为条形和圆盘形。实验结果表明磁阻强烈依赖于磁......
拓扑绝缘体是最近几年发现的一种全新的量子物态,是目前凝聚态物理学最活跃的研究前沿之一。拓扑绝缘体研究不仅对探索和发现新的......
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.......
一、前言电测仪表工业产品的分辨力和准确度一直在不断改进,自动化程度也不断提高。科学家们利用这些新式仪器可更深入地了解自然......
为加强对我国重大基础研究进展的宣传,激励广大科技工作者的科学热情和奉献精神,促进全社会对基础研究的理解、关心和支持,特开展......
为了在慢性实验的条件下记录家兔子宫的活动,我们应用霍耳效应原理,可以准确的记录家兔子宫收缩的强度变化和频率变化。实验前给动......
我们应用霍耳效应原理记录平滑肌运动,首先在记录家兔小肠运动上获得成功,随后又在记录家兔胃运动上获得成功。为了记录胃体较小......
采用常规方法和分步注入法制备SOI SIMNI(SilicononInsulator SeparationbyImplantationofNitrogen)薄膜材料 .用液氦低温霍耳效应......
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利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用......
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果......
利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬......
在１６～４００Ｋ的温度范围内，测量了用常压ＣＶＤ方法制备的氟掺杂绒面ＳｎＯ２薄膜的霍耳效应，研究了膜的电导率，载流子浓度和迁移率等电导参数对制备条件的依赖......
本期物理学研究热点论文因排名第6这篇论文的出现而重现生机。这篇文章报道了半导体自旋电子学(基于自旋的电子学)中的一个新的效......
从对同一样品测量结果之间的关系的讨论得知,用汽相淀积系统生长的砷化镓外延层中,电子迁移率降低的主要原因是由补偿受主和空间电......
将掺磷的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶样品放在不同汞分压中,使其在450℃到600℃温度范围内退火。待样品冷却到室温后测量霍耳效应和迁......
在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自......
近三十年内,半导体异军突起,成为发展现代电子技术必不可少的东西。半导体器件具有体积小、重量轻、耗电省、可靠性高等优点,在当......
本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较......
霍耳效应集成电路简称霍耳集成电路,它是集成电路技术与具有一百多年古老历史的霍耳效应原理结合在一起的半导体磁敏元件。其输出......
本文首次报道了溅射GaAs SOI电子束退火再结晶以及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶.对实验所得SOI样品,用ED和TEM分析GaAs......
高剂量As注入Si的样品,经红外瞬态辐照退火能获得亚稳态载流子浓度(体浓度可高达6×10~(20)cm~(-3)),明显超过800℃时热平衡条件下......
本文对非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳效应和磁阻随磁场变化等电磁性能进行了实验研究。在室温条件下,测量了非晶态Ni-Si-B合金薄膜......
我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温......
本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相......
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入......
