双空位相关论文
正电子湮灭方法目前已发展成为金属材料微观、亚微观结构研究的一个重要手段。 随着正电子湮灭方法测量技术的提高,用它研究和尝......
本文采用正电子湮没的多普勒展宽方法,研究冷轧形变镍中阴极充氢后氢与缺陷的互作用行为。实验结果表明:冷轧镍电解充氢以后其S参......
用正电子湮灭寿命谱技术研究了ＮＴＤＣＺＳｉ的辐照损伤退火行为．发现辐照后的ＣＺＳｉ中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高，这些缺陷不断分解，直到１１００℃......
在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬......
测量了去合金后的掺砷双相黄铜H_(62)As中的正电子寿命,为黄铜优先腐蚀的双空位机制提供了较为直接的实验证据。讨论了掺砷黄铜抑......
运用过渡族金属bcc结构EAM(embedded atom method)模型,计算了碱金属Li,Na,K,Rb,Cs的单空位自扩散激活能、双空位形成能和双空位结......
最近几年,对 Al-Zn-Mg 系合金的预沉淀特点进行了大量的研究,而且多数工作是用透射电子显微镜、小角度X射线散射、比热和电阻等方......
本文对半经验分子轨道理论方法(CNDO/2)做了简要介绍,对其用于非晶硅基础研究的优越性做了概要论述。在此基础上,通过原子簇模型......
业已证实,淬火硼钢中硼向奥氏体晶界的偏聚,是在冷却过程中发生的一种非平衡的晶界偏聚。本文通过解变温扩散方程,导出了非平衡晶......
脱碳Fe-Ni合金的实验表明:当奥氏体母相的晶粒度保持一定,淬火温度在900℃以上时,随淬火温度的升高,M_s降低,母相强度提高;将高温......
应用正电子湮没多普勒展宽技术研究了含不同稀土量的16Mn钢的回复过程。实验结果表明,稀土元素的存在使S参数迅速下降,这可能是由......
本文介绍了于1984年7月完成的用盐浴浸入法,对钢铁材料进行稀土—硼盐浴多元共渗(以下简称共渗)获得强化渗层的研究成果。阐述了共......
本文研究了在低温固体S-N-C三元共渗过程中添加稀土化合物CeCl_2,对渗入动力学过程、金相组织及性能的影响。由于稀土化合物CeCl_2......
利用第一性原理及Stillinger-Weber(SW),EDIP和Tersoff经验势函数对比研究了硅中单空位(V1)、双空位(V2)和六边形空位环(V6)的结构......
作为一种有诸多优点的解决水污染问题的光催化氧化技术,由于可以充分利用太阳能以及低廉的制备方式受人们的关注。例如,晶体缺陷引......
本实验利用TDPAC方法,通过30MeVα粒子束(2μA)引起的~(109)Ag(α,2n)~(111)In核反应产生的~(111)In离子,研究了~(111)In离子在Ag......
过去人们一直用微量元素砷来抑制黄铜的脱锌腐蚀,并对其作用机制进行了大量研究近年来发现微量硼也能有效地抑制黄铜脱锌.经过实验......
采用微机控制激光散斑干涉技术，对多晶纯铜平板预裂纹试样在空气及在３．５％ＮａＣｌ溶液中外加阳极电流条件下的裂纹张开位移进行了原位测量，并对比......
在２５—２７５Ｋ范围内，测量了正电子在８０９０合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的８０９０合金的湮没寿命．结果表明，τ１＝１７５—１８７ｐｓ是典型的正电子在共格粒子δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）上的湮没寿命；τ２对温度Ｔ有明显的依赖......
材料性质的时间微分扰动角关联研究朱升云，左涛，李东宏，李安利，郑胜男，勾振辉，陈烽，范志国，罗起时间微分扰动角关联（ＴＤＰＡＣ）是测量原子核核矩与核外......
采用ＩＣＰ，ＸＲＤ，ＥＭＰＡ，ＰＡＴ等方法研究了加硼对铝黄铜脱锌行为的影响和机理。结果表明，在铝黄铜中加入微量硼，能提高合金抵抗这类选择性腐蚀的能力；硼能填充......
分别测量了含０．００、０．０１、０．０３、０．０５、００７、０．１０ｗｔ％Ａｓ的６８ｗｔ％Ｃｕ－Ｚｎ合金在１％ＣｕＣｌ２水溶液中脱锌后的正电子寿命谱。讨论了黄铜脱锌及砷抑制脱锌的空位体扩散机制。
The positron l......
低活化马氏体钢具有良好的抗辐照肿胀热物理性能,所以最有希望成为实验聚变堆第1壁和包层结构材料,也是正在进行研究设计的聚变堆......
近年来,离子注入在半导体中产生的缺陷及其退火行为被广泛地研究,DLTS技术提供了一个高灵敏度测量低浓度深中心缺陷的方法本文用D......
本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退......
电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位......
本文介绍用1.3MeV电子束对p~+in~+二极管进行辐照,得出了少子寿命随辐照剂量增加而减少的结果。辐照造成的缺陷主要为双空位。辐照......
为了进一步阐明半绝缘液封直拉(SI LEC)GaAs中EL_2缺陷的本质,本文结合GaAs中有关点缺陷的形成机理进行了EPR“A_(SG_a)”及EL_2两......
N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收......
观测到掺铂硅中 E_c-0.23eV能级的 DLTS信号因电子辐照而衰减,而E_v+0.32eV能级则对电子辐照不敏感.这一实验结果使我们认为,掺铂......
用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没......
研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃—500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照......
在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H......
在90～300K温区范围内测试了中子辐照直拉硅单晶的正电子寿命谱及红外光谱,发现直拉硅单晶的中子辐照缺陷主要是双空位和氧-空位复合......
对比电子辐照和氦、硼离子注入,研究了质子注入n型和P型直拉硅中产生的缺陷及其退火行为.指出我们所观察到的n型样品中的电子陷阱E......
对n-Si低剂量(10~(11)cm~(-2))B~+和P~+离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了......
近年来,利用1—12MeV加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺.它有效、精确地控制了器件寿命参数.全面......
报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986......
本文用深能级瞬态谱(DLTS)、X-光电子谱(XPS)与俄歇电子谱(AES)研究了室温下1.5MeV、9.0MeV电子和2.0MeV H~+离子(剂量10~(12)—10......
采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿......
