整流特性相关论文
金刚石与氧化锌（ZnO）都是非常重要的宽带隙半导体材料，具有许多优异的化学和物理性质，两者组成的复合结构在半导体异质结、生物电极和......
近年来,电阻式随机存储器（Resistive Random Access Memorizer, RRAM）由于结构简单、耗能低、存储密度高以及与半导体CMOS工艺兼容性......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
本论文利用磁控溅射法制备了钙钛矿锰氧化物(La1-xSrxMnO3,La1-xCaxMnO3)基异质p-n结,并主要研究其电学、磁学性能。主要工作包含......
国家纳米科学中心研究员孙连峰课题组与研究员谢黎明课题组合作,设计制备出一种三维钙钛矿———一维氧化锌(CsPbBr3-ZnO)p-n异质......
日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳......
采用脉冲激光沉积法在(100)0.7wt%Nb:SrTiO3(NSTO)衬底上制备了La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)/NSTO(100)异质结,仔细研究了原位沉积氧压和......
采用热丝法，甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜，用透射电镜（ＴＥＭ）及拉曼（Ｒａｍａｎ）谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒，膜的厚度为......
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流......
本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表......
本文提出金属与PTC半导体瓷之间的欧姆接触模型，通过实验证实了这个模型是正确的．并研究了金属电极与PTC半导体瓷形成欧姆接触的方法......
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压......
用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜， 并且用扫描电镜和阴 极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率， 把......
研究了低压化学气相淀积方法制备的 n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管 (HJD)在 30 0～ 4 80 K高温下的电流密度 -电压 (J- V)特......
在半导体中,由于掺杂水平的不同,在同种导电类型的半导体之间会形成一种被称为高-低结的势垒,也会象p-n结一样表现出一定程度的整......
一、序言金属铝具有很大的电离作用,所以非常容易腐蚀。另外,铝很软容易划伤,为了使铝表面不易被腐蚀并变硬,从很早以前便采用了......
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-......
利用脉冲激光沉积法(PLD)在Si衬底上制备NiO薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对所制备薄膜的晶体结构和表面形貌进行表......
通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其......
利用热注入法合成带有油酸配体的PbS量子点,用短链乙醇胺替代长链油酸做为PbS量子点的配体。对比了由两种材料制得的量子点薄膜与A......
碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接......
以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行表征与结构分析。结果表明......
采用脉冲质结激光沉积法制备了La1.3Sr1.7Mn2O7(LSMO)/SrTiO3异质结，该异质结具有光生伏特效应，在退火后具有更好的整流特性.经......
采用热蒸发法,在硼掺杂p型金刚石膜(p-diamond)上生长高取向的ZnO纳米棒(NR)(图a,b),并制作出n-Zn ONR/p-diamond异质结(图c插......
异质结是指两种不同的半导体相接触所形成的具有非线性阻抗特性(整流特性)的界面区域，通常将具有异质结结构和特性的复合材料称......
近年来,分子器件的研究已发展成为科技界极具竞争力的新兴研究领域之一,较传统行业的电子技术相比较,它具有更快,更小,更冷的优势,......
日本茨城大学Nagata教授等人利用血浆聚合过程,在世界上首次合成了铜酞花青高强度薄膜。虽然由蒸发和应用法目前已生产出酞花青的......
采用无催化剂的气相输运方法在n-Si衬底上制备了ZnO纳米线.其直径约100nm至200nm,长度约几微米,X射线衍射图谱的所有峰位与典型的......
目的:研究人脐静脉血管内皮细胞的氯离子通道及其不同的调节机制。方法:全细胞膜片箝技术。结果:13.5％和27％的低渗液体灌流细胞激活......
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作......
二十年来,关于叶绿素光电效应及其光电池的研究报道很多。这些文章大都着重于光能转化率和电池的整流特性,本文则从另一个方面研......
利用固相反应法制备Pr0.5Ca0.5MnO3(PCMO)靶材,并采用脉冲激光沉积法(PLD)在n型Si(111)基片上沉积PCMO外延薄膜,研究了薄膜的输运......
金刚石不但作为宝右,而且利用它的硬度还有各种各样的用途。在电子学领域中正使用金刚石作为避免激光二极管过热的热沉。但构成金......
本文对ＰＴＣＲ半导瓷元件的银镍电极进行了研究，并测试了其电阻值，电阻温度特性、耐电压性能。使ＰＴＣＲ半导瓷元件与银镍电极形成理想的欧姆接触，延......
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导......
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48A......
对ZnS:Mn,Cu粉末DCEL屏的形成过程及光电特性作了研究。观测到经形成的EL屏具有整流特性及相位开关效应,发光局限于阳极附近,EL屏......
评论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的欧姆接触工艺技术。首先介绍在金属—半导体(肖脱基势垒)接触中电流输运的基本原理。电流输运方式是......
实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(C......
用CWCO_2激光器辐照Al-Si系统,制成了肖特基势垒。介绍了这些二极管的电特性,其反向击穿电压可与普通的P~+-n结二极管相比较,并具......
