X射线光电子谱相关论文
采用直流辉光放电辅助脉冲激光沉积(PLD)法,以不同的激光通量在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电镜(SEM)、拉曼光谱、X射线衍......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同激光通量下烧蚀CNx靶,在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X......
本论文采用对向靶直流磁控溅射法制备了系列碳氮薄膜和掺Ni碳氮薄膜,并对它们进行了退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子谱、......
本文以实现对浮法玻璃表面锡元素的全面检测为目的,在对国内外浮法玻璃生产现状综合分析的基础上,取5 mm浮法玻璃原片作为试验样品......
玻璃材料的光敏性是指某些玻璃材料受紫外光照射后其折射率会发生永久性改变.利用玻璃材料的光敏性可以方便地制作光纤光栅及平面......
电子型铜氧化合物高温超导体RE2-xCexCuO4±δ(RE=Nd，Sm，Pr,La)，单纯的Ce掺杂并不能引起超导，超导只有在对样品经过合适的退火处理后才......
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在不同衬底温度(常温、50、100、150、200C)下制备了碳氮(CNx)薄膜,并对其形貌、结构及光学......
研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 G......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成......
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随......
通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究......
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的最佳条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用x射线衍射(XRD)......
报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜.X射线衍......
采用元素分析、X射线光电子谱 (XPS) 以及直流电导率σdc(T) 与温度关系等方法对三种聚苯胺PANI-HCl,PANI-H2SO4 和PANI-H3PO4进行......
本文用原子力显微镜（AFM），研究常用固化模具材料玻璃、有机玻璃（PMMA）和塑料制作的PDMS盖片的表面特性。并用XPS分析PDMS表面的化学组成......
研究了MeV碳离子及碳团簇C2^＋注入的聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）膜。光吸收谱研究结果表明，离子注入在聚合物近表面产生了断键及缺陷，改......
使用X射线光电子能谱（XPS）全元素扫描分析方法对镀锡钢板铬酸盐钝化膜的成分进行了分析研究．结果表明，组成钝化膜的主要元素为Cr，O，Sn和C......
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）方法不同生长条件下在C面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜，通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理......
利用脉冲激光烧蚀CNx靶，在室温至450℃基片温度时沉积CNx薄膜．利用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子谱（XPS）和拉曼光谱（Raman）等......
用直接键合技术在480℃实现了InP／GaAs真的异质键合，用X射线光电子谱研究了样品的界面化刺学态。研究分析表明，InP／GaAs样品在480℃的......
研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化，利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显徽镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪......
利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术,在Si(100)上制备氮化碳薄膜,并对薄膜进行了拉曼(Raman)、原子力显微镜(AFM)......
用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气／氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx（x〈2）薄膜。X射线光电子谱（XPS）分析证实，射频功率对x值起决定作用......
探讨了用硝酸亚铈通过溶胶－凝胶法制备ＣｅＯ２薄膜的制备工艺。用Ｘ射线和扫描电子显微镜分析了薄膜的显微形貌及其晶体结构，借助Ｘ射线光电子能......
利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ 200 mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄 膜.利用 Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性......
利用等离子体增强热丝化学气相沉积在不同条件下制备了不同结构的碳氮纳米结构材料。用扫描电子显微镜（SEM）、显微Raman光谱仪和X射......
由于ABO3型钙钛矿结构锰氧化物Ln1-xTxMn O3具有庞磁电阻效应和潜在的应用价值,在过去的三十年中这种材料得到广泛研究。在这种化......
利用X射线光电子谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对国内外浮法玻璃样品(样品A和样品B)下表面渗锡情况进行了对比分析.......
Chemical Reaction Between Polyvinyl Alcohol and Titanate Coupling Agent with X-Ray Photoelectron Spe
The chemical reaction between polyvinyl alcohol (PVA) and tri(dioctylpyrophosphoryloxy) isopropyl titanate (NDZ-201) was......
选取目前最常用的RCA清洗法和NCW清洗法分别对同批次加工的砷化镓抛光片进行清洗，使用X射线光电子谱对晶片表面杂质成分进行测试，对......
用X射线光电子谱研究了CeO2和Pt间的相互作用,探讨了通过相互作用能提高CeO2的氧化还原反应活性的机理,并与通常的金属和载体强相......
采用溶胶-凝胶技术制备溶胶,结合提拉镀膜方法,通过溶剂替换工艺在常压下制备出了纳米多孔结构的V2O5气凝胶薄膜.使用XRD、椭偏仪......
通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合.采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组......
采用X射线光电子能谱(XPS)分析研究了298 K时O2在金属U和U Nb合金清洁表面的原位吸附过程,作为对照还研究了在纯Nb表面的吸附.吸附......
液晶显示器行业目前一般采用ODS溶剂清洗.对一种新型水基替代ODS清洗技术进行了研究,利用X射线光电子谱的测试方法,比较用两种清洗......
采用高温固相法在1170℃还原气氛下保温3.5 h制备了(Ca1-xBax)1.95SiO4∶0.05Eu(x=0,0.1,0.3,0.5,0.6,0.7,0.8,0.9,1.0)系列新型荧......
通过凋研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法.在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜.对薄膜......
本文利用椭圆偏振光谱技术并辅助其它测量手段，对氧化银、氮化镓和氮化碳三种光学薄膜的结构、光学和光致发光性质作了深入研究，并用......
介绍了在聚乙烯醇缩甲醛（PVF或Formvar）膜上蒸镀Au，Pd和Ag金属膜，用XPS研究其表面与界面的化学组分与价态。实验发现，在PVF膜上蒸镀Au，Pd......
为了探索InN基异质结光电子器件的发光机理，弄清InN与其它p型半导体之间的异质结能带结构，以及获得InN与GaAs之间良好的界面，我们做了......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IF-VD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,......
本文研究了对痕量甲醛气体敏感的SnO_2-NiO纳米材料的X射线光电子谱（XPS）.通过对XPS O1s和Sn3d5/2分峰的分析证实了SnO_2-NiO纳米材......
将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au／Ni／Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析，最终获得了各元素的化学状态......
由于精密金属零件表面洁净度要求很高,目前一般采用ODS溶剂清洗.介绍了一种非ODS清洗技术,并利用X射线光电子谱等测试方法,分别比......
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅（SiNx）薄膜的方法,采用NH3等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制......
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并......
碳化硅(SiC)是具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性的第三代宽禁带半导体材料,十分适宜制备高压高功率MOS器件。由高斯定......
