掺硼的β-SiC中的辐射复合

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很多人在SiC中已观察到可见和近红外区的多种型式的光致发光。 用石墨坩埚在1550℃硅熔液中已生长出β-SiC晶体。石墨坩埚有内壁与外壁,分别用高纯的与高密度的石墨制成。用这种方法,可长出高纯的晶体,而不含别的多型晶体。因此,人们就有可能对β-SiC详细的发光特性进行研究。 Many people have observed multiple types of photoluminescence in the visible and near infrared regions in SiC. Β-SiC crystals have been grown in a graphite crucible at 1550 ° C in a silicon melt. Graphite crucible has inner and outer walls, respectively, with high purity and high density graphite. In this way, you can grow high purity crystals, without other polymorphic crystals. Therefore, it is possible to study the detailed luminescence properties of β-SiC.
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