非晶态半导体相关论文
迄今为止,无论用什么方法也测量不到硫系非晶态半导体内自旋不成对的电子密度.这是由于在这类非晶态半导体中最低能态的缺陷是一......
一些实验事实表明,非晶态半导体的最近邻关系与晶态相近,对晶态半导体结构的了解是讨论非晶态半导体结构模型的基础.最常见的半导......
由于非晶态半导体超晶格具有量子尺寸效应及简便的制备方法,因此具有独特的优点。简要综述了非晶态半导体超晶格的制备、光致发光......
借助著名的谢尔宾斯基（Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ）分形，构造四面体键合非晶半导体的一种理想分形结构模型，并研究其倒格子空间的构造。结果指出，基于二维和三维谢......
全国第二次半导体物理学术会议于1979年11月8～14日在合肥举行,会议收到学术报告93篇,分别进行了大会、小组和书面交流,内容涉及半......
本文主要研究了过渡元素Mn对硫系化合物As_(35)Te_(55)Si_(10)电导特性的影响,测量??的实验结果表明,不论掺杂与否,该材料在低温......
对简单的非晶体半导体结构,可采用通常的手段进行分析,而对复杂的化合物非晶导体来说,用这些方法很难获得有关结构方面的资料.为......
本文主要报导我们对掺Mn的AsFe_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流-电压特性的初步工作,包括在≤6.5×10~3V/cm的弱场下所观察到的欧......
由中国科学院物理数学学部组织召开的全国第二届非晶态材料和物理学术讨论会于一九八○年十二月三日至九日在昆明举行.会议学术活......
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致......
光反射或光透射光谱技术是我们通常用来了解材料光谱特性的方法。这类传统的光谱技术用于一些不透明的、弱吸收的(如吸收系数10cm)......
1.半导体超晶格微结构主要内容:半导体超晶格与量子阱材料制备;超晶格和量子阱的输送特性和深能级特性;超晶格量子阱的光学性质研......
本文利用DSC差热分析、红外吸收光谱和正电子湮没试验,研究了硫系非晶态半导体Se的玻璃转变。结果表明,可用Mott等人提出的MDS模型......
本文采用 DSC、XRD、TEM 和瞬态反射率 R—温度 T,分析了 Sb_2Se_3,SbSe 和 Sb_3Se_2薄膜的非品析晶过程,研究了超化学计量 Sb_2Se......
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能，给出了薄膜器件的发展太平和制膜技术、制膜设备的研究现状。
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用Ｘ射线衍射、透射电镜、Ｒａｍａｎ光谱、Ｘ射线光电子谱等测量方法研究了用对向靶溅射法制备的Ｃｏ／Ｃ多层膜的结构热稳定性．退火Ｃｏ／Ｃ多层膜的结构变化包括......
在 a—Si∶H 薄膜中,H 严重地影响了 a—Si∶H 薄膜的光电性能.我们用自洽场分子轨道理论和 CNDO/2近似方法.计算了[Si_8H_(18)]和......
研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向......
半导体科学技术是２０世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天，重温其发展历程，总结其发展规律和认识其发展特点......
本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活......
一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重......
一、引言非晶态半导体电编写,电擦除唯读存贮器(Electrical Erasable Programable Read OnlyMemory—EEPROM)具有低功耗、非易消......
第三届全国半导体物理学术会议于1981年12月15日至19日在无锡召开,这次会议是中国科学技术协会和中国物理学会共同组织的,复旦大学......
一、引言Kolomiets等人在对硫系玻璃进行了多年研究的基础上曾经指出,对玻璃材料很难通过掺杂的方式改变导电类型和电阻率。因此,......
与晶体半导体不同,这是一种在结构上原子,分子或离子配列的空间位置处于无规则的状态,具有长程位置无序,短程有序的半导体。因为......
一、引 言 五十年代末,人们就开始研究非晶态固体的微观结构和电子状态,开创了以非晶态为研究对象的固体物理的新领域.非晶态固体......
本文研究了非晶态半导体多层膜a-St:H/a-SiN_x:H结构在低温下(150～250K)的持续光电导效应(PPC),实验表明PPC效应强烈地依赖于曝光时......
本文用辉光放电(G·D)法在(100)晶向p型InP衬底上淀积n型a-Si:H,形成较为良好的异质p-n结。测试结果为:a-Si:H/InP异质p-n结的正向......
In this paper we presented a theoretical model on the atomic arrangement in ideal amorphous semiconductors. The main po......
每两年一次的国际非晶半导体会议是该领域具有较高学术水平的聚会.第十一届国际非晶和液态半导体会议于1985年9月2—6日在意大利罗......
本文报导用射频溅射法制备出一种新型非晶态半导体超晶格薄膜α—Si:H╱α—SiY:H,并验证了其量子尺寸效应。
This paper reports......
本工作用IR法研究了a·Si_(1-x)Cx:H(x～0.2)膜中掺杂(B和P)对H键合特性的影响,并对样品含H量作了定量分析.
In this work, the inf......
半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原......
一、引言 氢化的非晶态硅-碳(a-Si_(1-x)C_x:H)膜,是一种十分重要的非晶态半导体光电材料。由于它具有宽的且可变的带隙,用它作Pi......
非晶态半导体超晶格一种新发展的材料。它一般由两种极薄的薄膜交替迭合而成,单个薄层的厚度从十几埃到数百埃。薄层的厚度、厚度......
本文首次报道成功地实现了非晶态半导体准周期(无平移对称性)超晶格结构.利用辉光放电汽相淀积技术,由两种超薄的a-Si:H层和a-SiN_......
光量子效率是非晶态光电导材料的一个重要参数。本文利用静电放电的方法,探讨和研究了 As—Se 系统非晶态半导体材料的光量子效率......
四、非晶态超晶格材料 1.非晶态半导体叙述非晶态超晶格材料之前,先介绍非晶态半导体。非晶态半导体有时也称为无定形或玻璃态半......
<正> 第七届全国半导体物理会议于1989年10月31日至11月3日在上海举行。本次会议共征集了252篇论文,包含了半导体物理的各个领域:......
一、引言 超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后,又研制出G......
