深能级杂质相关论文
硅作为目前研究最为成熟的半导体材料之一,已广泛应用于集成电路、光电检测、光波导集成、太阳能电池等微电子和光电子领域。硅光......
以萘酚蓝黑为模型污染物,采用动力学方法研究了δ-MnO2颗粒杂质对亚微米级商品TiO2(C)、ZnO(C)和纳米级自制TiO2(N)、ZnO(N)光催化......
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0......
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测......
利用非线性光导开关的雪崩注入模型，讨论了光导开关工作偏压、光导开关材料的深能级杂质浓度、光脉冲能量等参量对非线性光导开关输......
1981年12月15日至19日在江苏省无锡市召开了第三届全国半导体物理学术会议.参加会议的133名代表,来自全国各有关的高等院校、研究......
本文采用17个原子的原子蔟,用电荷-组态自洽的EHMO方法,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得......
本文报导了应用3T—HB法制备高纯度反掺锡砷化镓单晶的工艺和热处理对其电学性质的影响。实验结果表明,经过适当热处理砷化镓单晶......
研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模......
报道了在高偏置电压下半绝缘GaAs光导开关进入非线性模式并产生光电延迟的实验结果。分析了非线性模式下光电延迟现象,指出半导体......
采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等......
研究了退火前后Ｃ６０膜的ＰＰＣ效应．结果表明，随着高温退火温度的升高，Ｃ６０膜的结果由非晶相向多晶相转变，同时其ＰＰＣ效应减弱．基于以上实验事实，对上述结果......
用CWCO_2激光器已把淀积到硅片上的金引入到了硅中.硅中金的表面浓度达到4×10~(11)cm~(-3).用SIMS和DLTS技术研究了掺杂行为.
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非晶硅的隙态密度在很大程度上决定了材料的电学和光学性质,因而对非晶硅隙态密度的研究具有重要的理论和实际意义。目前,对非晶......
硅单晶中的杂质氧对硅器件质量影响很大。它产生热施主,使材料电阻率发生变化;在晶体生长时氧还会引起空位团、氧——深能级杂质......
第三届全国半导体物理会议于1981年12月15日至19日在江苏省无锡市召开.出席这次会议的有领导部门、高等院校、研究所、工厂等66个......
去年秋天,日本松下电器公司东京研究所研制出了固体脉冲振荡器件“跳跃二极管”,开辟了GaAs材料的第三个用途。 GaAs脉冲振荡器“......
为了避免迁移率的降低和接近 GaAs 外延层-衬底界面的深能级杂质的影响,对有源层与衬底间嵌入一个高电阻率缓冲层进行了考查。用一......
作为本文研究的主要目的,证实了X_α—重叠球方法在研究共价半导体中深能级杂质的适用性.作者利用自旋非极化的X_α—重叠球方法计......
半导体整流器件,常常需要在尽可能短的时间内从低阻态转变到高阻状态,其转换时间直接地依赖于少子寿命。在器件的PN结或空间电荷区......
近十年来,随着我国红外技术的发展,我厂先后为国内许多单位提供了多种化合物半导体。文化大革命以来,由于红外技术日新月异地发展......
本文研究了GaAs低温气相外延过程和评价了外延层的质量。对低温外延时的表面形貌,生长速率,剩余杂质浓度,电子迁移率,深能级杂质和......
在一钯扩散的氢和砷蒸汽混合气流下进行了砷化镓的液相外延生长。发现在混合气流下的液相外延对于制备高质量的接近化学计量组份的......
本文用热激电流法测量了MOS结构在77K～600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能......
半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质......
通常利用Hall系数的测量确定半导体材料的掺杂浓度。我们认为,对Si:In:而言,这样测量的结果误差大。用曲线拟合法测出的Hall浓度是......
一、前 言 结型磁敏器件是一种新型半导体磁电转换器件.它有锗、硅磁敏二极管[1],锗[2]、硅磁敏晶体管,磁敏可控硅[3]以及集成式磁......
本文介绍了用深能级瞬态谱(DLTS)法测量GaAs MESFET的深能级杂质和缺陷。在有源层中一般没有测到深能级杂质和缺陷,但在有源层与缓......
本文介绍了用739厂的P型硅单晶制作Si(Li)X射线探测器所得的一些结果。探测器对~(55)Fe5.89keVX射线的能量分辨率小于165eV(FWHM)......
本文计算了 GaP 发光材料的内量子效率,分析讨沦了影响它的各种因素
In this paper, we calculated the internal quantum effici......
采用通过深能级杂质的间接隧道过程与热激发、俘获过程之间的细致平衡,推导出间接隧道过程所引起的电容的理论表达式.这一电容仅出......
深能级瞬态谱(DLTS)是一种研究半导体深能级、界面态、非晶态、检测分析微量深能级杂质和缺陷的重要技术.本文利用DLIS技术,对器件......
用深能级瞬态谱(DLTS)法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E_(?)-0.31ev)。并观察了......
本文用DLTS法测量了直拉硅和区熔硅中与铜有关的深能级及其俘获截面,测量了其中部分能级的空间分布,研究了区熔硅中与铜有关深能级......
本文利用深能级瞬态谱DLTS技术,对器件的失效批理作了分析探讨。指出用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还......
大家知道,不含杂质的纯半导体几乎没有什么直接的用途.为了制造半导体器件,人们总是先将半导体材料尽可能地提纯,然后用扩散、离子......
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根据 Shockley 统计规律,用数值计算方法对深能级杂质 Pt 在 n 型硅晶体中的掺杂转型效应进行了定量描述.得到费米能级(E_F)随掺 P......
本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可......
制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构；用高精密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容、电导谱；通过修正获得了由隙态决定的电导......
