空间电荷区相关论文
半导体结是指两种不同的半导体相接触所形成的具有非线性阻抗特性(整流特性)的界面区域。半导体结不仅可以构建新的能带结构，其......
Using Geant4 Monte Carlo code and Technology Computer-Aided Design(TCAD) simulation,energy deposition and charge collect......
测量了在多孔硅形成初期阶段的电流I-电压V曲线,计算了硅表面原子吸附不同元素时电荷的转移量.指出在(单晶硅/电解液)界面处存在一......
本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理。在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限......
在考虑了重掺杂效应、异质结势垒效应、各物理量随温度变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电......
在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的......
在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。
Based on the experimental re......
本专利提供一种多光谱半导体谐振腔探测器,它至少包括一个谐振腔(2),该谐振腔能在两种以上的波长上谐振。谐振腔至少包括两层膜层......
半绝缘GaAs是弛豫半导体 ,其电传输特性和通常的寿命半导体有所不同。对弛豫半导体和寿命半导体电特性的差异进行了介绍 ,并介绍了......
采用一维非平衡等离子体模型讨论了阴极区的等离子体性质 ,阴极区被分为电离区和空间电荷区 .数值计算结果表明 :在电离区 ,电子的......
本文利用涂敷Fe(C_8H_(15)O_2)_3[2-乙基己醇酸铁(Ⅲ)]于Fe,Ti,Pt金属基片上,热氧化分解制成多晶氧化铁电极。对其介电、光电化学......
硅基微通道板（MCP）的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔......
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和......
实验研究了具有pn结结构的碲镉汞光电二极管的双光子吸收.激发光源采用了皮秒红外脉冲激光.尽管入射光子能量仅为碲镉汞材料带隙的......
目前使用的两种《电子技术基础》教材对二极管电容效应的讨论有两种不同的结论 ,笔者通过对结电容的形成及结电容充、放电过程的分......
提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜......
静电封接是在外加电场下进行的封接,故又叫场助封接。这是近十年来较为先进的一种封接技术。它具有快速,简便,牢固,清洁等显著优......
从对同一样品测量结果之间的关系的讨论得知,用汽相淀积系统生长的砷化镓外延层中,电子迁移率降低的主要原因是由补偿受主和空间电......
本文介绍了用降落试验测量阴极活性的工作原理、测量装置,讨论了测量条件的选取,进行了测量误差的分析,举出了应用的实例,证明了降......
已经研究了在GaAs MESFET漏极上设置的p型区的作用。从这个p型区注入的空穴,补偿了沟道-衬底界面空间电荷区中的负电荷,因而将不希......
本文论述了表面状态和外电场对不同导电类型光电阴极的作用,给出了相应的关系式并进行了讨论。
This paper discusses the effect......
在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷保持恒定,则用半导体表面势(ψ_s)与MOS的瞬态微分电压(dv/dt)之间......
CCD的控制能力,即单位电极面积所能处理的最大电荷密度Q_(max),是CCD的一个重要参数。我们知道,控制能力差就可能限制窄带半导体I......
研究了在T=77°K时的锑化铟p-n结在各种偏压和照度下的低频(频率=20赫-20千赫)噪声频谱。发现在无光照时,欧姆漏电流起伏是电流噪......
半导体中各种不均匀性对迁移率的影响在理论上已有不同深度的认识。尤里斯克处理过导体中不导电腔的影响,克劳福特讨论过半导体中......
半导体整流器件,常常需要在尽可能短的时间内从低阻态转变到高阻状态,其转换时间直接地依赖于少子寿命。在器件的PN结或空间电荷区......
载流子通过窄基区的硅双极晶体管的基极和集电极空间电荷区的输运,是用输运过程的Monte Carlo模拟的方法研究的。所得到的基区内载......
本文详细地研究了横向晶体管直流特性。该理论解析了观察到的收集极和基极电流与射-基偏压的依赖关系。考虑了二维几何效应并分别......
一、前 言静电封接是在外加电场下进行的封接,故又叫场助封接.它有快速、简便、牢固、清洁等优点.根据静电封接的基本原理,它可以......
对硅开关晶体管来说,在基极驱动电流I_B_1和反抽电流I_B_2固定的条件下,测量出的存贮时间t_s随集电极电流的增加而增加或不变.这种......
在115.2K到162.3K的温度范围内,用电容瞬态技术研究了P-N结电场对硅中金施主中心空穴热发射率的影响.测量结果表明电场对热发射率......
本文概述了硫属玻璃半导体的物理结构、能带和电子态。文中主要讨论了非晶硫属半导体光电二极管阻挡层和各种组合结构的电子—空穴......
本文采用类Misawa方法解连续性方程和泊松方程,引用Grant离化率数据和Canali等人的饱和速度数据,借助计算机计算硅单边和双边突变......
本文研究单边超突变结空间电荷区,结的轻掺杂边为高斯分布。推导电势和电场分布、耗尽层宽度以及耗尽层电容。指出在一定电压范围......
晶体管散弹噪声理论已在早先的文章中发表了,对硅晶体管考虑的发射极空间电荷区陷井效应也作了修正。本文旨在讨论此修正。让 I_e......
本文根据基区扩展效应,以集电区N~-层掺杂浓利和厚利为因素,导出晶体管扩展基区宽度的数学表达式。这些数学表达式说明晶体管集电......
——一场关于P-N结边界上np乘积的争论直到1980年底仍在继续.本文从较深入地讨论Shockley模型中的“准电中性假设”和“常数准费米......
测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度......
一百多年以前,人们就把周围的材料按照导电能力的大小分为导体(金属)、半导体、绝缘体三类.金属的室温电阻率一般在10～(-4)到10～(-6)......
1.光电二极管工作原理和特性光电二极管是结型器件。当光照射在P-N结时,光子被吸收,产生电子-空穴对,电子和空穴在结区被结电场所......
