载流子寿命相关论文
热辅助光诱导衰减（LeTID）作为一种不可忽视的太阳电池效率衰减现象，其衰减机制和相关缺陷形态的演变过程亟需澄清。针对p型多晶硅钝化......
近年来,世界各国对太赫兹（terahertz,即THz）科学与技术这一光电交叉学科进行了广泛研究,并取得了丰硕的成果。太赫兹波在物体成像与......
通过建立All-Pass型微环谐振腔波导结构的非线性光传输模型，分析了影响全光开关调制速率的几个因素：光子寿命、载流子寿命、信号光波......
GaAs 材料由于其优越的光电特性，在光电领域被广泛应用，但是目前对其光电特性的检测方法比较复杂，常常需要制备接触电极，而使材料表面......
目前以二氧化钛为基础的可见光半导体光催化剂仍然面临光生载流子转换效率低和化学稳定性差等重大问题;如何在保持化学稳定的前提......
发明领域本发明涉及到电子化学品的生产方法,特别是超洁净和高纯度电子级醋酸生产方法。发明背景在电子工业上,电子级醋酸是重要的......
有机铅卤化物钙钛矿半导体材料由于其在构建高效、廉价太阳能电池和其他光电器件等方面展现出极大的应用价值,成为国际上尤为重要......
本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式。对各种模型计算了本征ＧａＡｓ在λ＝２．０６ｕｍ下的三光子吸收系数。实验上采用非......
本文介绍了研制GaAs:Cr,InP:Fe光导开关的过程,实验显示了开关对光的响应特性,利用光导开关来探测皮秒光脉冲的波形,并且利用光导......
利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命。观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ；掺锌Ｉｎｐ中载流子寿命３８Ｐｓ居中；掺......
本辐射探测器包括一层HgCdTe外延层(14),该外延层在生长期问被分化成了三个工作时可以区分的区域。外延层上面配有电极,使用时,它......
对Ｋｕｚｎｅｔｓｏｖ采用的速率方程加以修正，考虑了俄歇效应的影响，载流子寿命不再作为常数处理，而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式半导体激光......
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果
The article introduces the a......
本文重点讨论了一种新型的全光器件——波长转换器。从物理概念上分析了它的原理，并且在理论上进行小信号分析，得出有益的结论：当两束......
本文讨论了一种高效率微带光导开关电路的结构设计，分析了结构参数及不同光导材料对开关性能的影响，并给出了实验结果
This paper d......
本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关，在以蓝宝石为衬底的硅片（SOS）上构造了一种新型的光电探测器．非接触电光取样测量......
本文采用超高速光电采样技术研究了半导体微波器件和单片微波集成电路（ＭＩＭＩＣ）的时域特性和频域特性．阐述了该方法的原理及优越性，对时域波形......
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻......
测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流......
光控半导体开关在脉冲功率等方面具有广泛的应用前景，越来越受到人们的重视。本文对光控半导体开关进行了简要介绍，包括ＧａＡｓ∶Ｓｉ∶Ｃｕ开关的原......
回顾了近几年在 Ga N紫外光电导探测器上的研究进展 ,介绍了不同 Ga N光电导紫外光探测器的制备方法、光电参数及工作机理。
The ......
文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其I-V特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法。文中的IGBT模型运用精确的双......
为了生产出高压大电流快速晶闸管,我们采用了先进的金扩散工艺,精确地控制载流子寿命,调整n_B层中金的剖面分布,并对晶闸管长基区......
引言反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf、反向恢复电荷Qrr以......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾......
研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的I-V曲线呈现出反向转折......
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文......
为建立载流子辐射检测Si基太阳能电池的理论模型，基于太阳能电池非线性耦合方程对调制激光激励下Si太阳能电池过剩少数载流子的空间......
针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应......
制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰......
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计......
钙钛矿材料由于具有大的吸光系数，高载流子寿命、高电荷迁移率以及极低的缺陷态密度，在廉价太阳能电池以及其它光电器件中展现出......
石墨烯是一种由sp2杂化碳原子组成的二维原子晶体，其优异的电学和光学等特性，使得它在光电器件有广泛的应用前景。石墨烯光电器......
LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标。本报告将介绍目前针对GaN基LED内量子效率的多种评测方法，包括：变温光致荧光方法、变......
高速光学摄影是目前工业生产、科学研究中十分重要的探测和记录手段,在微观领域的研究中显得尤为重要。现今大多数前沿科学研究,如......
红外探测器件是现代军用武器装备目标识别的核心构件。碲镉汞(HgCdTe)材料因具有材料禁带宽度可调控、探测波长范围最广等特点,在......
随着激光技术、微波技术和微电子技术的发展以及半导体工艺的不断改善,超高速光电子器件的工作速度、工作精度得到了空前的提高,在......
以泵浦-探测技术为基础的超快光谱学研究是通过两束光在空间位置的相对延迟来实现时间上的高分辨,是目前探索超快现象或机理研究的......
可溶液加工的单晶钙钛矿薄膜在载流子寿命方面优于其多晶对应物,因为较少的晶界导致载流子复合损失减少。而单晶钙钛矿纳米线是光......
1.引言1975年由 Auston 首先叙述的超快光电导器件已在各种实验系统中获得广泛应用。迄今这种器件主要用于半导体材料及其元件的......
