分凝系数相关论文
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
采用单晶提拉法成功生长出优质的Gd3+/Yb3+共掺铝酸钇晶体.对晶体的结构、分凝系数、光谱和激光性能进行了表征,结果表明:所生长的......
期刊
本文以HgCdTe化合物的晶体生长为例,针对竖直Bridgman晶体生长过程,数值模拟了液相区界面处溶质分凝产生的溶质扩散边界层随-拉晶......
现多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是：长晶方向为由下往上，这就使得分凝系数大于1的极少部分金属元素及氧元素集中分布在晶锭底部，大部......
LD泵浦晶体激光器的高效率、高质量、长寿命、小型化、高可靠性以及实现激光器全固化等优越性，引起了学术界、产业界和军方的高度重......
应用TGT法生长了直径为 75mm的U :CaF2 晶体 ,宏观上透明完整 .应用公式K0 =Cs Cl 计算了U在CaF2 晶体中的分凝系数等于 0 5 3.应......
本论文包括五章。第一章绪论部分简要的介绍了本论文研究领域的基础知识和论文中涉及的相关内容背景知识。第二章到第五章是关于稀......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
(一九八三年十一月在永川举行)5D0015D0115D0O25D0125D0035D0045D0135D0055D0145D006晶体生长与材料科学 兵器工业部二O九所罗楚华......
掺钕的钇铝石榴石单晶是一种优良的激光工作物质,近年来得到了国内外的普遍重视,因而发展迅速,成效显著,Nb~(+3):yAG晶体的激光效......
五磷酸钕是一种新型的激光材料,对这种晶体的生长和激光性能已有许多报导。为改善晶体的生长习性和激光性能,往往加入一定量的La~......
用石墨炉原子吸收法测定掺质钆镓石榴石单晶中钴、铬、镍的含量,晶体中的钆不影响测定,但镓呈现背景干扰,文中对此进行了讨论。用......
本文概述了重掺锑硅单晶析出的规律现象,提出了析出的模型。根据这个模型,可以全面地解释观察到的规律性现象,并预计了未曾生长过......
根据实验数据分析,结合物料平衡规律,以分凝系数比(χ_s/χ_i=k...
本文叙述了真空悬浮区熔硅中磷的变化规律,并对多次区熔后硅中的磷浓度作了测定,得到了残留磷随区熔次数增加而成指数衰减的蒸发曲......
本文论述了二极管PN结成形用点触金丝的质量要求及研制过程。同时,还针对用户在该材料使用过程中,须进行人工缠绕、清洗、退火等复......
采用提拉法生长 β′-相掺钕钼酸钆晶体。在 10 0 0℃温度下烧结 72h合成钼酸钆粉末样品。研究了生长工艺 ,拉速 0 .3～ 3mm/h ,转速......
采用HRS定向工艺方法制备了铼、碳含量不同的四种镍基单晶高温合金，考察了元素铼和碳对相变温度和分凝系数以及杂晶形成倾向性......
前言直拉硅单单晶中常用的掺杂元素有磷P、硼B、砷As、锑Sb等。众所周知N型硅单晶是采用P、As、Sb三种元素作为掺杂剂,P型硅单晶......
本文从三个方面论述硅中的氧和碳:(1)氧和碳的引入及其浓度;(2)对形成晶体缺陷所起的作用和对集成电路的影响;(3)关于工业方面解决......
将铝酸镁镧(LNA)晶体横向切片,经酸洗、淬火和烘干,研细至200目,称取1.228克粉末与13克粉状焦硫酸钾混匀,移入铂坩埚中,铂坩埚在2......
本文报道了一族稳定的类Ｆ￣＋＿２激光激活（Ｆ￣＋＿２）＿Ｈ和（Ｆ￣＋＿２）＿（ＡＨ）色心的形成和特性。讨论了得到这种高浓度色心的途径。
In this paper, we report the formati......
在不同氧含量的气氛中生长了Ｃｒ：Ｍｇ＿２ＳｉＯ＿４晶体，研究了生长及退火气氛对晶体光谱的影响。实验表明，提高生长气氛中的氧含量，有利于４价Ｃｒ离子的形成。调......
采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂体系，控制晶体中ＯＨ￣－的含量在１０～８０ｐｐｍ，排除Ｋ￣＋、Ｌｉ￣＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的Ｎａｃｌ（ＯＨ￣－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ￣－）：（Ｆ）＿Ｈ。色......
本文配制了系列掺锌铌酸锂多晶料，测量了掺锌铌酸锂的熔化温度及居里温度随掺锌量的变化。用熔融提拉法生长了不同掺锌量的铌酸锂单......
Based on the diffusion actuion of gallium in silicon and SiO2 ,a diffusion model of gallium doping in bare silicon sy......
采用中频感应加热引上法，生长了（Ｃｒ，Ｃａ）∶ＹＡＧ可调谐激光晶体，测试了Ｃｒ４＋的吸收特性，分析了Ｃｒ４＋在晶体中的几何分布和形成机理。......
非真空气氛下生长的ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体中Ｔｌ＋分布及其对晶体性能的影响刘光煜沈定中倪海洪樊加荣（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＴｌ＋ｉｎＣｓＩ（Ｔｌ）ＣｒｙｓｔａｌｓＧｒｏｗｉｎｇｕｎｄｅｒＵｎｖａｃｕｕｍＡ.........
用扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法研究了不同Ｃ６０／Ｃ７０含量比的甲苯溶液在单晶硅表面大气环境条件下等温蒸发Ｃ６０和Ｃ６０／Ｃ７０的结晶特点。纯Ｃ６０的结晶表现为层状扩展......
本文从熔体组分挥发产生杂质这一观点出发，研究了二元化合物Ａ＿ｍ＿Ｂｎ熔体中的杂质产生率以及过剩组分杂质在熔体和晶体中的浓度，并导出了浓度......
本文研究了Ｎｄ：ＹＡＧ晶体由于小面的生长而产生核心与侧心的机理。讨论了熔体生长Ｎｄ：ＹＡＧ晶体的固液界面形状和温度梯度及小面生长的内在联系；探讨了......
新型压电晶体La3Ga5SiO1 4因其低声速、零温度切向和良好的高温稳定性受到关注 ,但是昂贵的Ga2 O3原料阻碍了它的工业应用。通过离......
采用坩埚下降法生长了Nd3 + 掺杂浓度分别为 15 %、8%和 2 .5 %原子分数的Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体 ,所得晶体最大尺寸为2 6mm× 15m......
采用提拉法生长出Yb:YPxV1-xO4(X=0.02,0.06,0.10)晶体。XRD测试表明晶体保持了四方锆石型结构,晶胞参数随着x的增大逐渐减小。ICP......
本文叙述利用液封法研制Ga_xIn_(1-x)As单晶的工艺和这种单晶的电学特性.三元合金料用直接合成法制备.拉晶速度为每小时3毫米左右.......
用差热分析法测定了组分为x=0.067、x=0.10和0.7≤y...
用液相外延(LPE)法生长了单层、双层和三层结构的外延层。在1(1/2)吋长的片子上生长的外延层有可控性好、厚度均匀以及表面好等特......
由美国晶体生长学会主办的美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议于1984年7月15日至20日在美国新泽西州大西洋城......
为生长特别适于制备发光二极管用的GaP化合物半导体晶体,发展了一种所谓合成熔质扩散法(SSD)。长成的晶体呈园柱状,由相当大的颗粒......
在Si引入深能级杂质Au,可以用来制作高灵敏感温元件。Au在Si中具有双重能级,其固溶度低,分凝系数很小,易发生非活性沉淀,又有较大......
1.在研究半导体問題中使用放射性同位素的必要性近十年来,由于晶体管、半导体材料制备和其它半导体物理問题的发展,研究外类化学......
