势垒相关论文
计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过......
SnO2压敏电阻作为一种新型压敏陶瓷,由于其良好的非线性和热传导特性而得到关注.本研究利用扫描电子显微镜成像、电压-电流测量、......
近年来,电阻式随机存储器(Resistive Random Access Memorizer, RRAM)由于结构简单、耗能低、存储密度高以及与半导体CMOS工艺兼容性......
本文研究了存在外加磁场和考虑Rashba自旋轨道耦合效应的情况下,自旋极化电子在一维F/S/F(铁磁/半导体/铁磁)异质结和T型F/S/F(铁磁/......
玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)是指当系统的温度足够低(一般为n K量级)时,玻色子在动量空间中能量最低态的聚集,其被认为是除固态、液态、气......
首先,我们提出了一种基于广义多项式混沌(gPC)的随机伽辽金方法(SG)用于计算具有随机和奇异系数的双曲方程。由于解的奇异性,标准gPC-S......
本论文基于两种能够发生激发态分子内质子转移的新型分子体系,采用密度泛函理论和含时密度泛函理论方法,使用B3LYP泛函以及TVZP基......
有机电致发光器件(OLEDs)具有低功耗、视角宽、可柔性化和响应速度快等优势,已经被广泛应用到照明及显示领域。在众多发光材料中,磷......
本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求......
本文主要介绍了利用真空蒸镀法制作可应用于Lechner有源矩阵的有机二极管——A1/A10x/C60/Cu结构的C60肖特基二极管的方法并分析了......
电子产品的快速发展激发了科学家们设计和探索新型的具有超高速率充/放电能力的电极材料,诸如石墨烯和二硫化钼等二维纳米结构。在......
水资源匮乏正日益成为制约世界经济发展的瓶颈口,发展新的水处理技术已成为当务之急。利用电场处理水,以达到防垢、除垢、杀菌灭藻目......
通过数值仿真, 研究了空间孤子在经过一个宇称-时间(PT)对称纵向势垒之后的动态传播特性。仿真结果表明, 空间孤子穿越势垒之后有......
本文简要介绍了 nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了 nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞 n......
论文主要从电子结构角度,采用LST/QST方法对比分析不同过渡金属对氢在Mg2Ni体相内的扩散动力学的影响机理,给实验结果提供理论指导......
最近研究表明:丙酮能与半导体Si(100)表面发生[2+2]环加成和α-H裂解反应形成相应的Si―C键或Si―O键,在半导体材料的合成方面具有......
日前,分离氢气又有新突破。中国石油大学(华东)研究人员发现多孔石墨烯PG-ES薄膜可高效将氢气从混合气体中分离出来,并利用“能量......
采用分子动力学方法模拟硅探针在空位缺陷和Stone-Wales(SW)缺陷石墨烯上的滑移过程,研究空位缺陷和SW缺陷对石墨烯摩擦力的影响.......
利用Melnikov方法讨论了非谐激励系统的混沌行为,并在极限情况κ→0下,把非谐激励转化为谐波激励,而运动方程化为倒置摆方程。倒置......
采用密度泛函(B3LYP)理论对乳清酸核苷单磷酸盐脱羧酶(ODCase)催化乳清酸核苷单磷酸盐(OMP)脱羧反应的动力学同位素效应进行了理论......
中国石油大学(华东)研究人员发现多孔石墨烯PG-ES薄膜可高效地将氢气从混合气体中分离出来,并利用“能量势垒”的模型阐述了分离原......
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点,认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散,与材料的结构、化学缺陷、掺......
报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好......
在计算原子光电离截面时,涉及到光电离跃迁过程的初态波函数与末态波函数的选择。在已有的计算结果中,原子光电离的初态和末态波函数......
通过X光电子能谱(XPS)、阳极氧化电压谱(AVS)和Fiske台阶电压的测量,研究了约瑟夫森结中AlOxAl隧道势垒.发现结的隧道势垒最佳沉积Al层厚度为7nm,Al上形成AlOx厚度只取......
我们从晶体生长学的观点评述了单晶的湿法化学腐蚀。出发点是晶体存在光滑表面和粗糙表面。光滑表面的动力学是由粗糙表面所缺乏的......
本文阐述了用fT测试仪,测试CTe的原理,测试了3DG60,3CK3和3CG21c的CTe,并对大量测试结果用微机进行了处理,测试计算结果与经验公式给出的值吻合;K在2~3之间
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本文中,我们利用nMOSFET’s器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率(我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量)进行了初步的探......
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受......
在GaAs/AlAs(10nm/2nm)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上,我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡.观测到的最高振荡频率可达142MHz.这种由级联隧穿引起的......
我们研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同.当在压力下AlAs垒层中的X基态子......
本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨,并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了......
在弱磁场条件下研究有限量子阱中磁性极化子特性.能级计算中包括了4 支界面声子、定域体声子和势垒体声子.同时,考虑了导带非抛物性对......
我们利用光调制反射光谱研究了GaAs/AlGaAs单量子阱,观察到了电子的11H及11L跃近.通过改变表面垒的厚度,使得真空垒对阱中电子态影响发生变化,由于量子阱......
施主掺杂的钛酸钡陶瓷的PTCR效应来源于晶界上的钡空位。在Bi2O3蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于8个量级的PTCR效应。在烧成过程中的Bi2O3蒸汽掺杂时,高......
对草酰氯分子的多键解离方式进行了理论和实验的研究。计算表明,草酰氯的第一电子激发态增强了C-C键而削弱了C-Cl键,解离出Cl原子和ClC......
我们利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级.测得1.7和2.5原子层InAs量子......
文中给出了计算电子隧穿问题的一种新的数值方法,该方法适用于任意形状的一维势垒。在该算法中,首先用Numerov算法求解薛定谔方程,然后再利用......
研究了高温和大电流应力对 TiAl/ GaAs和 TiPtAu/ GaAs Schottky二极管 Ⅰ~ Ⅴ特性及对 Richardson图 的影响.研究发现,随着应力时间的增加,在 Richardson图上,对TiAl/ GaAs Schottky二极管势垒高度快速降低......
本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验......
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理......