吸杂相关论文
提高太阳能电池的转换效率与降低生产制造成本一直是晶硅太阳能电池产业化规模不断扩张过程中面临的问题。为了提高电池的转换效率......
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重......
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集......
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业......
通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％～１５％，硅......
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂......
本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退......
本文研究了与堆中子活化分析法相结合的硅片掩模、刻蚀剥层技术及在此基础上建立的硅片中金的纵向浓度分布测定法。 采用自行设计......
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处......
研究了普通直拉(CZ)硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理(RTP)后,再经600～1000℃的不同温区内的缓慢......
本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为.样品经过高低高三步常规热处理形成洁净区后,在不同温度下引入杂......
医院获得性肺炎(hospital acquired pneumonia,HAP)亦称医院内肺炎(nosocomical pneumonia,NP),是指患者入院时不存在、也不处于感......
2014年3月22日下午,由合肥市文联等单位主办的大湖之约——艺术名家大讲堂请来当代著名作家苏叔阳。此次活动,三名小记者范宇明、......
实验证明,经双吸除和本征吸除两种工艺处理后,硅片的机械强度有较大增加。从而可以认为硅片中引入的高密度层错和位错网络将对硅片......
本室采用近年发展的生物素—链霉抗生物素蛋白体系检测特异互补的核酸序列,先经缺口翻译制备生物素DNA探针,分子杂交后,再与链霉抗......
本文综述了３ｄ过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质，介绍了国际上在此领域的研究进展，为进一步开展这方面的......
研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生......
一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性......
通过离子探针分析,少子寿命监测和对诱生缺陷形成情况的观察分析证明,经过双吸除技术处理的晶片,在经受了器件制造工艺条件下的多......
Si中浅结经离子注入调整阈值后,除非在高温下退火,不然就显示漏电流增加。在超大规模集成电路技术中,高温处理是不合乎要求的。我......
观察到,当用高纯铝丝(含铝99.99％)在外延基座表面划线作记号,再将外延片衬底放在该位置上,进行常规的SiCl_4-H_2还原法外延,然后将......
硅的微缺陷控制 1.硅晶体生长过程中微缺陷的消除 如本文第一部分所述,为了制作超大规模集成电路,必须进一步提高电路芯片的成品......
我们用CWCO_2激光对注B~+硅片从背面进行辐照,注入的样品受到激光退火的同时,在背面附近的体内引入了大量的晶格损伤.这些损伤可以......
一、前言 微电子学是当代信息科学的重要组成部分。它的发展趋势是集成度不断提高,而单个元件的成本不断下降。超大规模集成电路(......
本文提出了一种低噪声MOS型彩色摄象器的硅衬底结构。在p阱上制作的光敏二极管抑制了由于杂散红光、红外灵敏度、象晕和拖影现象引......
GZ413型2×512电荷耦合模拟延迟线系电子部44所85年6月鉴定的科研成果项目之一。该产品采用三相时钟驱动,表面N沟硅栅结构。在工......
The presence of metallic contaminations such as Au, Cu, Ti, Ni, etc. during silicon device processing often causes junct......
本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺......
上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色......
一、引言 用BF_2代替B对CMOS源、漏P管注入具有几方面的优点。第一,束流大;第二,容易形成浅结;第三,湿O_2退火时,依赖于反偏电压,......
本文从半导体线性集成电路生产观点,较详细地介绍了上海有色金属研究所的综合吸杂硅片和常规片在我厂SL322、SL325发光显示驱动电......
采用双重吸杂硅片作为衬底材料,应用于CCD器件的研制工作已获得良好的效果。它使器件的暗电流明显下降,基本上消除了暗电流尖峰,同......
虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P......
本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结......
本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID......
一、前言近年来为了解决硅器件工艺中的重金属沾污问题,国内外开展了大量的有关吸杂的研究工作。由于内吸杂技术具有独特的优点,......
研究了高剂量(7.5×10~(15))氩离子注入硅片背面的吸杂效应;吸杂效果由npn晶体管的漏电流,Iceo的降低得到证实;分别用SIMS及DLTS法......
本文介绍消除CMOS电路闭锁效应的几种方法:第一、减少寿命,起初,使用掺金的办法来降低少数载流子寿命,后来Sakai等采用本征吸杂办......
本文介绍一种将磷吸杂、缺陷吸杂和多晶硅吸杂等吸杂机理综合应用的多重吸杂技术。
In this paper, we introduce a multi-getter......
